複材天線模組製作
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文複材天線模組製作的執行單位是中科院軍民通用中心, 產出年度是93, 計畫名稱是材料與化工領域資源釋商科專計畫, 技術規格是複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm ˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm,深度大於3 mm,尺寸精度高於在±0.05 mm以內,表面粗度 Ra 6.3以內 ˙複材金屬鍍層之鍍銅層厚度12.5μm以上,鍍銀層厚度12.5μm以上 ˙品質必須滿足電訊、結構組裝、密著..., 潛力預估是可應用於各式輕質複材導波零件研發,包括天線反射器、天文望遠鏡,具衍生應用價值.

序號411
產出年度93
技術名稱-中文複材天線模組製作
執行單位中科院軍民通用中心
產出單位(空)
計畫名稱材料與化工領域資源釋商科專計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本計畫係自行開發滾軋除氣裝置將適當層數之纖維預浸布疊製為複材厚板,經加壓加溫成化為複材厚平板結構後,以機械加工導波孔道及外表面,再於表面施以高導電性之金屬鍍層,使其具有良好之導波效果。此複材結構件具有高精度及複雜性,且為輕量化之導波結構。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm ˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm,深度大於3 mm,尺寸精度高於在±0.05 mm以內,表面粗度 Ra 6.3以內 ˙複材金屬鍍層之鍍銅層厚度12.5μm以上,鍍銀層厚度12.5μm以上 ˙品質必須滿足電訊、結構組裝、密著性、耐候性、熱激循環試驗等
技術成熟度雛型
可應用範圍相關技術擴展應用於各式輕質複材導波、導電、導熱零件研發,包括天線反射器、天文望遠鏡、光學元件、衛星結構元件、反射鏡面系統、電子元件、導波散熱元件,具衍生應用價值
潛力預估可應用於各式輕質複材導波零件研發,包括天線反射器、天文望遠鏡,具衍生應用價值
聯絡人員林永崑
電話03-4712201 分機 503714
傳真04-22846589
電子信箱yklin51@yahoo.com.tw
參考網址http://無
所須軟硬體設備抽真空設備及壓力釜
需具備之專業人才複材相關背景
同步更新日期2023-07-22

序號

411

產出年度

93

技術名稱-中文

複材天線模組製作

執行單位

中科院軍民通用中心

產出單位

(空)

計畫名稱

材料與化工領域資源釋商科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本計畫係自行開發滾軋除氣裝置將適當層數之纖維預浸布疊製為複材厚板,經加壓加溫成化為複材厚平板結構後,以機械加工導波孔道及外表面,再於表面施以高導電性之金屬鍍層,使其具有良好之導波效果。此複材結構件具有高精度及複雜性,且為輕量化之導波結構。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm ˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm,深度大於3 mm,尺寸精度高於在±0.05 mm以內,表面粗度 Ra 6.3以內 ˙複材金屬鍍層之鍍銅層厚度12.5μm以上,鍍銀層厚度12.5μm以上 ˙品質必須滿足電訊、結構組裝、密著性、耐候性、熱激循環試驗等

技術成熟度

雛型

可應用範圍

相關技術擴展應用於各式輕質複材導波、導電、導熱零件研發,包括天線反射器、天文望遠鏡、光學元件、衛星結構元件、反射鏡面系統、電子元件、導波散熱元件,具衍生應用價值

潛力預估

可應用於各式輕質複材導波零件研發,包括天線反射器、天文望遠鏡,具衍生應用價值

聯絡人員

林永崑

電話

03-4712201 分機 503714

傳真

04-22846589

電子信箱

yklin51@yahoo.com.tw

參考網址

http://無

所須軟硬體設備

抽真空設備及壓力釜

需具備之專業人才

複材相關背景

同步更新日期

2023-07-22

根據名稱 複材天線模組製作 找到的相關資料

無其他 複材天線模組製作 資料。

[ 搜尋所有 複材天線模組製作 ... ]

根據電話 03-4712201 分機 503714 找到的相關資料

無其他 03-4712201 分機 503714 資料。

[ 搜尋所有 03-4712201 分機 503714 ... ]

與複材天線模組製作同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏... | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38; embedded into BT or other Substrate)與壓合製程驗證;2.4GHz 內藏被動元件的射頻模組為載具之設計量測驗證 ;內藏... | 潛力預估: 資訊電子產品的發展,為提昇效能均已朝向數位高速化、類比高頻化發展;另一方面,消費性電子產品亦走向多功能與輕、薄、短、小之趨勢,特別是可攜式無線通訊之電子產品,其硬體元件均需使用為數眾多之被動元件,依據...

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

 |