軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術
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技術名稱-中文軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術的執行單位是工研院院本部, 產出年度是98, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 技術規格是A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.5cm2/Vs B.特色︰使用既有之薄膜電晶體製程設備低溫製程，環保考量 (低製程功耗), 潛力預估是採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。.

序號	3222
產出年度	98
技術名稱-中文	軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用高耐熱塑膠基板並結合標準之薄膜電晶體製程設備，開發可用於軟性主動式顯示器之軟性矽基電晶體製程及陣列設計技術
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.5cm2/Vs B.特色︰使用既有之薄膜電晶體製程設備低溫製程，環保考量 (低製程功耗)
技術成熟度	雛形
可應用範圍	軟性主動式面板
潛力預估	採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。
聯絡人員	李中禕
電話	03-5914195
傳真	03-5913482
電子信箱	leechungi@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備	與推廣負責人洽商
需具備之專業人才	材料、化工、機械之相關領域

序號

3222

產出年度

技術名稱-中文

軟性矽基電晶體及顯示陣列設計技術

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用高耐熱塑膠基板並結合標準之薄膜電晶體製程設備，開發可用於軟性主動式顯示器之軟性矽基電晶體製程及陣列設計技術

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.5cm2/Vs B.特色︰使用既有之薄膜電晶體製程設備低溫製程，環保考量 (低製程功耗)

技術成熟度

雛形

可應用範圍

軟性主動式面板

潛力預估

採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。

聯絡人員

李中禕

電話

03-5914195

傳真

03-5913482

電子信箱

leechungi@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

與推廣負責人洽商

需具備之專業人才

材料、化工、機械之相關領域

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軟性基板製程技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)軟性基板材質︰PI；(2)規格︰厚度20~75μm，塗佈成形均勻性±3%，surface roughness≦20Å \| 潛力預估: 軟性顯示器、軟性觸控面板等等軟性電子元件 @ 技術司可移轉技術資料集
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軟性非晶矽電晶體及顯示陣列設計技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: A.規格︰曲率半徑≦5cm Ion/Ioff＞104 Before Debounding Vth≦5V Under Bending △Vth≦3.5V Saturation Mobility≧0.15... \| 潛力預估: 採用本技術可使原a-Si TFT面板廠商升級為軟性a-Si TFT、且無需採購新設備，減少設備資本支出，在現有之設備能力內，可使a-Si TFT廠商的EPD解決方案得以實現，降低跨入軟性顯示器之門檻。 @ 技術司可移轉技術資料集
單基板軟性觸控薄膜	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: *TCO：ITO 膜厚：< 50nm 片電阻值：< 25Ω/□ 感測模組：投射式電容光學穿透率：85%以上 b：≦2** \| 潛力預估: 隨著電子書應用市場的興起，2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元，此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公布資料，全球應用於... @ 技術司可移轉技術資料集
軟性基板製程技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 軟性基板材質：PI (2) 規格︰厚度15μm，塗佈成形均勻性±3%，surface roughness≦20?，基板翹曲量小於1.5mm@370mmx470mmx0.7mm玻璃載板，取下外觀... \| 潛力預估: 2008年DisplaySearch預估電子書於2014年市場規模將達到878M美元。此外，在IMI 2005年國際會議上，由IT Strategy公司所公佈資料，全球應用於大型佈告顯示產業超過1千億... @ 技術司可移轉技術資料集
顯示互動元件與驅動技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: *1. Size：6” 2. Thickness：< 30μm 3. Transparency：≧ 85% 4. CIE: (a,b) ＜ 5 5. Bending Test Be...** \| 潛力預估: 為目前世界首創軟性觸控自發光顯示薄膜技術，此技術具有可大型化、輕量化及易貼合等優點。本技術可應用於高畫質彩色化捲軸式顯示器、曲面顯示器及軟性電子閱讀器等產品。 @ 技術司可移轉技術資料集
微晶矽電晶體陣列技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 非晶矽薄膜電體特性: - mobility ≧ 0.4 cm2V-1s-1 - Ion/Ioff ratio ≧ 107 @Vg = Vd =10V - S.S. ≦ 0.58 V/dec - 畫素設... \| 潛力預估: 使用既有之薄膜電晶體製程設備低溫製程 @ 技術司可移轉技術資料集

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低膨脹係數Al-Si合金成型技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC，抗拉強度達100Mpa以上。 \| 潛力預估: 可提供功能性材料應用
飛彈固體發動機噴嘴組複材組件小批試產	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃纖維、碳纖維長度6-12 mm 溶劑型酚醛樹脂固含量 60-65%。 \| 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料
複合材料發射管製作	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一以纖維強化塑膠（FRP）一體成型所繞製而成，且內部具有四條向左旋之導軌之中空管體。 \| 潛力預估: 軍用各型火箭發射器
複材天線模組製作	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm ˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm，深度大於3 mm，尺寸精度高於在±0.05 mm以內，表面粗度 Ra 6.3以內 ˙複材... \| 潛力預估: 可應用於各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡，具衍生應用價值
高性能抗彈陶瓷板試製及小批量產技術開發研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 須通過20機砲砲擊驗證 \| 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元
通訊用燃料電池模組應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W \| 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
質子交換膜燃料電池應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W \| 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
玻璃融封零組件應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量產製作，規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用。 \| 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場潛力。
微波吸收材應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量產製作，長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。 \| 潛力預估: 生產所需機具成本較高。
真空機械手臂開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 \| 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
集束型製程設備真空輸送平台系統技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm \| 潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。