自動穿線機技術
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技術名稱-中文自動穿線機技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是98, 計畫名稱是放電精細線切割系統技術研究發展三年計畫, 技術規格是‧自動穿線控制 ‧夾持式剪線模組 ‧張力控制, 潛力預估是全自動穿線功能,可大幅縮短操作人員加工準備時間,提高市場接受度與競爭力.

序號3223
產出年度98
技術名稱-中文自動穿線機技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱放電精細線切割系統技術研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文放電加工機用自動穿線機,0.2mm~0.1mm線徑所用之自動穿線機為開迴路設計,線張力變化50g內。0.1mm~0.02mm線徑所用之自動穿線機為閉迴路設計,線張力變化5g內。本自動穿線機包含機械式剪刀機構、伸縮汽缸、上下機頭與收發線輪。穿線成功率於各種線徑均在90%以上。性能優異且為模組化設計易於搭配各種放電加工機型。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧自動穿線控制 ‧夾持式剪線模組 ‧張力控制
技術成熟度雛形
可應用範圍WEDM線切割放電加工機
潛力預估全自動穿線功能,可大幅縮短操作人員加工準備時間,提高市場接受度與競爭力
聯絡人員羅佐良先生
電話04-23583993轉662
傳真04-23584061
電子信箱TzuoLiangLo@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備放電加工機,PC Based控制器
需具備之專業人才‧放電加工機開發經驗 ‧具機械設計相關經驗

序號

3223

產出年度

98

技術名稱-中文

自動穿線機技術

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

放電精細線切割系統技術研究發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

放電加工機用自動穿線機,0.2mm~0.1mm線徑所用之自動穿線機為開迴路設計,線張力變化50g內。0.1mm~0.02mm線徑所用之自動穿線機為閉迴路設計,線張力變化5g內。本自動穿線機包含機械式剪刀機構、伸縮汽缸、上下機頭與收發線輪。穿線成功率於各種線徑均在90%以上。性能優異且為模組化設計易於搭配各種放電加工機型。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧自動穿線控制 ‧夾持式剪線模組 ‧張力控制

技術成熟度

雛形

可應用範圍

WEDM線切割放電加工機

潛力預估

全自動穿線功能,可大幅縮短操作人員加工準備時間,提高市場接受度與競爭力

聯絡人員

羅佐良先生

電話

04-23583993轉662

傳真

04-23584061

電子信箱

TzuoLiangLo@itri.org.tw

參考網址

所須軟硬體設備

放電加工機,PC Based控制器

需具備之專業人才

‧放電加工機開發經驗 ‧具機械設計相關經驗

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I331943 | 專利期間起: 1999/10/21 | 專利期間訖: 116/12/02 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 多重直驅馬達旋轉軸技術計畫 | 專利發明人: 羅佐良 | 林洋鑫 | 許晉謀 | 歐峰銘 | 張恩生 | 林瑞寬 | 林清源

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收線裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710195725.0 | 專利期間起: 1999/9/15 | 專利期間訖: 116/12/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 多重直驅馬達旋轉軸技術計畫 | 專利發明人: 羅佐良 | 林洋鑫 | 許晉謀 | 歐峰銘 | 張恩生 | 林瑞寬 | 林清源

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線切割放電加工機

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810006381.9 | 專利期間起: 1999/9/8 | 專利期間訖: 117/02/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 多重直驅馬達旋轉軸技術計畫 | 專利發明人: 羅佐良 | 許晉謀 | 張恩生 | 林清源

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收線裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I331943 | 專利期間起: 1999/10/21 | 專利期間訖: 116/12/02 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 多重直驅馬達旋轉軸技術計畫 | 專利發明人: 羅佐良 | 林洋鑫 | 許晉謀 | 歐峰銘 | 張恩生 | 林瑞寬 | 林清源

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收線裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710195725.0 | 專利期間起: 1999/9/15 | 專利期間訖: 116/12/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 多重直驅馬達旋轉軸技術計畫 | 專利發明人: 羅佐良 | 林洋鑫 | 許晉謀 | 歐峰銘 | 張恩生 | 林瑞寬 | 林清源

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執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

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5GHz體聲波濾波器

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性微細結構四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中心頻率:5GHz~6GHz,頻寬:100MHz~150MHz,插入損失6.0dB以內 | 潛力預估: 為因應寬頻需求、整合行動電話與無線區域網路,通訊系統業者所規劃的第四代無線通訊頻率將在5GHz以上,現有SAW與微波陶瓷濾波器將不易滿足系統規格與模組化整合需求。

高清淨合金材料技術

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粉末射出成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸精密度2%。 | 潛力預估: 可創造產業投資超過新台幣3億元,並創造產值約5億元。

鈦鋯合金熔鑄技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 非晶板材尺寸可達3mm(t)* 45mm(w)* 70mm(l) | 潛力預估: 藉由同步協助業界開發非晶質板材量化成型技術,可創造年產值新台幣1.5億元。

超微結構粉末及成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大

真空電漿噴覆技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。

高介電塗層噴覆製作技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

記憶體靶材製作技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90% | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要

自助式數位印相系統

執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理各種大小之JPEG影像,可於一公尺內進行紅外光無線傳輸可讀取六種規格記憶卡。 | 潛力預估: 產品預留相當大的空間可以依照客戶的需求而修訂服務之內容。

音效即時傳輸與播放系統

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 取樣頻率︰4kHz~44.1kHz(可調)、音效取樣 / 播放解析度︰16位元類比/數位轉換、紅外光傳輸距離︰0~2m(min)、紅外光發射接收模組IrDA 4Mbps。 | 潛力預估: 音效的無線即時傳輸模組,預估其生產成本的降低後,可容易的放置於娛樂裝置的使用上。業者可以結合業者原有之平台,創造新的附加價值。此外一些展覽會、畫展、產品說明展示會,亦可利用此項技術進行導覽、說明、翻譯...

氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

氮化鋁鎵紫外線偵檢器製程技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

太陽光紫外線強度量測技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 即時顯示太陽光紫外線指數功能 | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性,並具創新產品與國內產業應用性

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執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務

厚膜加工製程技術

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高清淨合金材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.成份符合316L不銹鋼規範。2.半導體管閥件用材料符合SEMI F19-95規範。3.生醫材料ASTM-F138生醫規範。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

粉末射出成型技術

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超微結構粉末及成型技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 釹鐵硼合金熔配公至批量50公斤量,銅模速冷至批量10公斤,粉化粒度至次微米 | 潛力預估: 目前因釹元素主要產在中國大陸,價格競優勢弱,磁材具有逾百億市場只要在技術與品質能領先則潛力甚大

真空電漿噴覆技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層與基材可達冶金鍵結,結合強度大於10000psi。 | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過5億元衍生產值超過10億元。

高介電塗層噴覆製作技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 下電極為TFT生產設備中重要之零組件,需具有高絕緣質常數、高崩解電壓、高絕緣阻抗等特性,並需能耐酸之腐蝕,以往下電極板表層僅以陽極處理,使用壽命僅有三個月,文獻顯示,若再將陽極模上噴塗一層氧化鋁,壽命... | 潛力預估: 完成國內自製取代國外進口,創造產值超過1億元衍生產值超過5億元。

記憶體靶材製作技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4吋,純度3N,密度>90% | 潛力預估: 隨著新型記憶體之開發磁阻材料及靶材越形重要

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