光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)
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技術名稱-中文光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)的執行單位是學界科專辦公室, 產出年度是99, 計畫名稱是學界科專計畫, 技術規格是一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻犧牲膜，使基材與光電半導體磊晶膜分離，由於在成長光電半導體磊晶膜前即完成通道的製作，以保持基板完整使..., 潛力預估是具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場.

序號	3694
產出年度	99
技術名稱-中文	光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)
執行單位	學界科專辦公室
產出單位	(空)
計畫名稱	學界科專計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	已申請專利
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻犧牲膜，使基材與光電半導體磊晶膜分離，由於在成長光電半導體磊晶膜前即完成通道的製作，以保持基板完整使其能重複使用，且省去多餘的貼合工時，並維持快速蝕刻移除犧牲膜的功效。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	半導體/光電
潛力預估	具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場
聯絡人員	武東星老師
電話	(04)-22851811
傳真	(04)-22851672
電子信箱	tlo@nchu.edu.tw
參考網址	http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01
所須軟硬體設備	無資料
需具備之專業人才	半導體/光電元件產業製造背景
同步更新日期	2024-09-03

序號

3694

產出年度

技術名稱-中文

光電元件的製造方法(國立中興大學工學院材料系)

執行單位

學界科專辦公室

產出單位

(空)

計畫名稱

學界科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

已申請專利

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

一種光電元件的製造方法，是先自一基材形成一犧牲膜，且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道，接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜，並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後，將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻犧牲膜，使基材與光電半導體磊晶膜分離，由於在成長光電半導體磊晶膜前即完成通道的製作，以保持基板完整使其能重複使用，且省去多餘的貼合工時，並維持快速蝕刻移除犧牲膜的功效。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

半導體/光電

潛力預估

具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場

聯絡人員

武東星老師

電話

(04)-22851811

傳真

(04)-22851672

電子信箱

tlo@nchu.edu.tw

參考網址

http://caic.nchu.edu.tw/GroupIndex.aspx?SystemGroupCode=SG01

所須軟硬體設備

無資料

需具備之專業人才

半導體/光電元件產業製造背景

同步更新日期

2024-09-03

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低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法：先自一晶格不匹配的基材側向磊晶，形成一具有複數缺陷處且表面缺陷降低的第一磊晶層，再自該第一磊晶層平面進行缺陷選擇性蝕刻，將該等缺陷處蝕刻出複數第一凹洞，使該第一... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
低表面缺陷密度之磊晶基板(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種低表面缺陷密度之磊晶基板包含一基材、一第一磊晶層及複數阻擋塊，該第一磊晶層側向磊晶於該基材上且與該基材晶格不匹配，包括複數缺陷處、複數分別相對位於該等缺陷處頂端的第一凹洞，及一圍繞界定該等第一凹洞... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶用基板(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜，及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜，犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道，每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道，濕式蝕刻... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
發光元件模組的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種發光元件模組的製作方法，包含(a)準備磊晶用基材，(b)在基材表面形成犧牲層，(c)在犧牲層上形成與犧牲層具有高蝕刻選擇比的磊晶層，(d)定義出多數彼此間隔且交錯排列並將磊晶層界定出多數發光單元的... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來高效率發光元件的應用市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
磊晶用基板的製造方法(國立中興大學工學院材料系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種磊晶用基板的製造方法，包含以下步驟製備一磊晶用基材，並自基材沉積一犧牲膜，接著自犧牲膜成長一第一半導體磊晶膜，基材在發光元件的後續製程將被移除，犧牲膜呈圖樣化且包括複數第一通道及複數分別由一奈米材... \| 潛力預估: 具有大量生產的潛力及未來磊晶用基板開發市場 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統(國立中興大學社管院資管系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種結合RFID於零售業存貨管理之安全監控應用系統，利用RFID以實施盤點效率更佳、更精確、更安全的存貨監控機制。零售通路必須實施良好的存貨控管才能反應實際上的銷售利潤，本發明提出的存貨監控模式可發揮... \| 潛力預估: 就目前來說RFID仍有價格上的考量，若要推廣至較屬於低價的一般零售業，會有不少的困難，但是就長遠的市場來說，先以高價商品如3C專賣店或是精品店為現行目標，配合RFID的發展進程，逐漸朝向普遍性零售業來... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統(國立中興大學社管院資管系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種結合RFID系統之全新線上影音光碟租賃系統，設計了新型態的影音光碟多次傳租模式，讓消費者多了能夠方便租片與分享的管道，使租賃光碟變得更方便，解決目前線上出租服務中消費者等待光碟寄達的時間成本以及業... \| 潛力預估: 依據系統中執照所授權的播放限制，能夠成為一個合理的DRM機制設計，在現今提供影音光碟線上租賃服務之電子商務發展下具有更大的優勢，而更具特色的「影音光碟多次傳租」模式能提高影音光碟的租賃流通性，除了使業... @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
氮雜環-2,4-雙酮系化合物、利用其製得的化合物及聚(醯胺-胺酯)(國立中興大學工學院化工系)	執行單位: 學界科專辦公室 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 學界科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一種氮雜環-2,4-雙酮系化合物係具有如下式(I)所示的化學式：其中，R1與R2各自是一C1至C6的烷基；R3是 -CH3、-COOH或-COCl。此外，以本發明氮雜環-2,4-雙酮系化合物作為起始物... \| 潛力預估: 無資料 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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高性能鋁擠棒鎔鑄技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl，含氫量需低於0.18cc/100g Al，成品率達80%。 \| 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料
低膨脹係數Al-Si合金成型技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC，抗拉強度達100Mpa以上。 \| 潛力預估: 可提供功能性材料應用
飛彈固體發動機噴嘴組複材組件小批試產	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃纖維、碳纖維長度6-12 mm 溶劑型酚醛樹脂固含量 60-65%。 \| 潛力預估: 高鐵、捷運構建之消耗性替換材料
複合材料發射管製作	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 一以纖維強化塑膠（FRP）一體成型所繞製而成，且內部具有四條向左旋之導軌之中空管體。 \| 潛力預估: 軍用各型火箭發射器
複材天線模組製作	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複材厚積層板之板厚>35 mm、尺寸> 450 mm x 250 mm ˙複材精密加工之孔槽寬度小於2 mm，深度大於3 mm，尺寸精度高於在±0.05 mm以內，表面粗度 Ra 6.3以內 ˙複材... \| 潛力預估: 可應用於各式輕質複材導波零件研發，包括天線反射器、天文望遠鏡，具衍生應用價值
高性能抗彈陶瓷板試製及小批量產技術開發研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 須通過20機砲砲擊驗證 \| 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元
通訊用燃料電池模組應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W \| 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
質子交換膜燃料電池應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W \| 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
玻璃融封零組件應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量產製作，規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用。 \| 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場潛力。
微波吸收材應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量產製作，長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。 \| 潛力預估: 生產所需機具成本較高。
真空機械手臂開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 \| 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
集束型製程設備真空輸送平台系統技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm \| 潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
半導體基材輸送設備控制器開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 \| 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換
磁性流體軸封開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃，耐真空度10-8Torr，洩漏速度10-10 mbar/sec，單/雙軸式磁性軸封 \| 潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件，常用於真空機械手臂之真空隔離介面，由於磁性流體具有使用期限，為定期更換件，每年約有1,000顆以上之需求量。
磁性聯軸器設計開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m \| 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。