奈米結構之製造方法
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技術名稱-中文奈米結構之製造方法的執行單位是中科院材料所, 產出年度是99, 計畫名稱是新世代能源關鍵技術開發計畫, 技術規格是1. 基板尺寸>2吋, 鋁膜厚度 0.1~1um 2. 陽極氧化鋁膜孔洞直徑約10~100 nm 3. 奈米結構圖案深度0.1~1um, 潛力預估是可以低成本製作快速且大面積之奈米尺寸級圖案化基板.

序號4260
產出年度99
技術名稱-中文奈米結構之製造方法
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱新世代能源關鍵技術開發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用陽極氧化方法,將鍍於基板之鋁膜製作成具有奈米孔洞結構之氧化鋁膜層,以此為蝕刻遮罩將圖案轉移至基板,形成具有奈米結構圖案之基板,此法可獲得大面積、低成本、快速及可在任何材質製成具奈米結構圖案之基板,已於99/12/24申請中華民國專利,申請案號為99145672。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. 基板尺寸>2吋, 鋁膜厚度 0.1~1um 2. 陽極氧化鋁膜孔洞直徑約10~100 nm 3. 奈米結構圖案深度0.1~1um
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍圖案化基板
潛力預估可以低成本製作快速且大面積之奈米尺寸級圖案化基板
聯絡人員張國仁
電話03-4072261#951082
傳真03-4111334
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址
所須軟硬體設備電化學設備及半導體製程設備。
需具備之專業人才化工與半導體製程
同步更新日期2024-09-03

序號

4260

產出年度

99

技術名稱-中文

奈米結構之製造方法

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

新世代能源關鍵技術開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用陽極氧化方法,將鍍於基板之鋁膜製作成具有奈米孔洞結構之氧化鋁膜層,以此為蝕刻遮罩將圖案轉移至基板,形成具有奈米結構圖案之基板,此法可獲得大面積、低成本、快速及可在任何材質製成具奈米結構圖案之基板,已於99/12/24申請中華民國專利,申請案號為99145672。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1. 基板尺寸>2吋, 鋁膜厚度 0.1~1um 2. 陽極氧化鋁膜孔洞直徑約10~100 nm 3. 奈米結構圖案深度0.1~1um

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

圖案化基板

潛力預估

可以低成本製作快速且大面積之奈米尺寸級圖案化基板

聯絡人員

張國仁

電話

03-4072261#951082

傳真

03-4111334

電子信箱

hohh@csnet.gov.tw

參考網址

所須軟硬體設備

電化學設備及半導體製程設備。

需具備之專業人才

化工與半導體製程

同步更新日期

2024-09-03

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無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

覆晶錫鉛凸塊植球技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: ;Bump Height (μm) 20;Bump Composition

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...

肢體機能回復設備技術應用開發

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 3關節自由度(髖、膝、踝)下肢醫療復健設備具備連續被動式運動(CPM)及生理機能即時遠端監督功能。使用對象:140公分~180公分;80公斤以下;可動範圍(最大活動速度):股關節:10?~100?(2... | 潛力預估: 引導式操作的友善人機介面,具備病患資料保密性、復健資料可回溯、評估、、等功能,使用者容易操作與訓練。可協助物理治療師為病患進行復健,解決目前復健師人力嚴重不足的問題。

智能型跨越障礙行走設備之應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 使車輪傾斜角度可達水平面上53度至水平面下47度,並可簡易且準確調整車輪傾斜角度,可跨越250mm高的門檻或樓板段差。 | 潛力預估: 本設備可作為居家照護機器人之移動平台,在未來老年化社會發展下,勢必成為居家設備中重要之關鍵模組。預估未來將可成為熱銷商品。

電漿束液晶配向製程驗證與系統模組大型化技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 配向尺寸可達G3(550*650mm),配向均勻性佳。技術規格:錨定能~10-5J/m2,預傾角:0~10度,VHR>95%,Rdc<300 mV | 潛力預估: 目前配向效果遠高於光配向,與離子束配向結果相當但設備價格低。

平面顯示器陣列圖案瑕疵檢測系統整合應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測物: TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片;檢測速率: 75 M pixel/sec;最小瑕疵: 10μm | 潛力預估: 高速多個CCD攝影機同步取像控制技術;快速瑕疵檢測法則

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

覆晶錫鉛凸塊植球技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: ;Bump Height (μm) 20;Bump Composition

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...

肢體機能回復設備技術應用開發

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 3關節自由度(髖、膝、踝)下肢醫療復健設備具備連續被動式運動(CPM)及生理機能即時遠端監督功能。使用對象:140公分~180公分;80公斤以下;可動範圍(最大活動速度):股關節:10?~100?(2... | 潛力預估: 引導式操作的友善人機介面,具備病患資料保密性、復健資料可回溯、評估、、等功能,使用者容易操作與訓練。可協助物理治療師為病患進行復健,解決目前復健師人力嚴重不足的問題。

智能型跨越障礙行走設備之應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 使車輪傾斜角度可達水平面上53度至水平面下47度,並可簡易且準確調整車輪傾斜角度,可跨越250mm高的門檻或樓板段差。 | 潛力預估: 本設備可作為居家照護機器人之移動平台,在未來老年化社會發展下,勢必成為居家設備中重要之關鍵模組。預估未來將可成為熱銷商品。

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執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 配向尺寸可達G3(550*650mm),配向均勻性佳。技術規格:錨定能~10-5J/m2,預傾角:0~10度,VHR>95%,Rdc<300 mV | 潛力預估: 目前配向效果遠高於光配向,與離子束配向結果相當但設備價格低。

平面顯示器陣列圖案瑕疵檢測系統整合應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測物: TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片;檢測速率: 75 M pixel/sec;最小瑕疵: 10μm | 潛力預估: 高速多個CCD攝影機同步取像控制技術;快速瑕疵檢測法則

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