技術名稱-中文軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術的執行單位是中科院飛彈所, 產出年度是99, 計畫名稱是薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫, 技術規格是可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。, 潛力預估是光電面板廠、太陽能製程設備系統。.
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.5μm以下。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.5μm以下。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I523963 | 專利期間起: 105/03/01 | 專利期間訖: 123/12/09 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 | 專利發明人: 潘文玨 | 徐滄銘 | 韋士珊 | 陳燦桐 | 李人傑 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I328113 | 專利期間起: 1999/8/1 | 專利期間訖: 115/12/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 專利發明人: 潘文玨 | 賴哲雄 | 范陽鑑 | 郭豐河 | 黃啟芳 | 方健維 @ 技術司專利資料集 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 熱處理溫度≧800 ℃、加熱速率≧10℃/s、加熱溫度均勻度±1%、底材：玻璃。 | 潛力預估: 薄膜太陽能板製程設備。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃，卷軸速率20cm±1cm。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 卷軸CIGS採用DSMC分析技術精確計算銅銦鎵硒不同元素，於動態鍍膜狀態下組成率及厚度分佈的均勻性，並因而獲致較佳之噴嘴設計型態，其均勻度可達大面積下之非均勻性小於±5%。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 線性蒸鍍、CIGS製程開發。 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發、各式薄膜製程。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I523963 | 專利期間起: 105/03/01 | 專利期間訖: 123/12/09 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 | 專利發明人: 潘文玨 | 徐滄銘 | 韋士珊 | 陳燦桐 | 李人傑 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I328113 | 專利期間起: 1999/8/1 | 專利期間訖: 115/12/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 專利發明人: 潘文玨 | 賴哲雄 | 范陽鑑 | 郭豐河 | 黃啟芳 | 方健維 @ 技術司專利資料集 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 熱處理溫度≧800 ℃、加熱速率≧10℃/s、加熱溫度均勻度±1%、底材：玻璃。 | 潛力預估: 薄膜太陽能板製程設備。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃，卷軸速率20cm±1cm。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: | 技術規格: 卷軸CIGS採用DSMC分析技術精確計算銅銦鎵硒不同元素，於動態鍍膜狀態下組成率及厚度分佈的均勻性，並因而獲致較佳之噴嘴設計型態，其均勻度可達大面積下之非均勻性小於±5%。 | 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 線性蒸鍍、CIGS製程開發。 | 潛力預估: CIGS太陽電池開發、各式薄膜製程。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 流量12cis，壓力3000psi | 潛力預估: 可搶攻高級閥件市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻導航系統市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 | 潛力預估: 可搶攻國際航太工業，極具市場淺力 |
| 執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm，須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 | 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場 |
| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
| 執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU
Life time > 5年
Cool-down time < 6分鐘
Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛機系統關鍵技術整合應用三年計畫 | 領域: | 技術規格: 塗層材料具UV輻射穿透率改善200％，IR輻射穿透率改善85％，阻水阻氣性提昇逾50%，耐磨性能提昇逾60%、基材附著強度提昇逾100%。 | 潛力預估: 開發具耐濕、耐熱、 IR/UV遮蔽機能之長效型奈米彈性材料，具環境阻斷與抗輻射之優點，可應用於航空、船舶、汽車、公共建築、大樓、電子工業之高性能塗層材料。 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 流量12cis，壓力3000psi | 潛力預估: 可搶攻高級閥件市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻導航系統市場，極具市場潛力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 通過AMS-STD-2219銲接X-RAY之A級檢驗要求 | 潛力預估: 可搶攻國際航太工業，極具市場淺力 |
執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 鍛造件幾何精度須達到幾何公差.15mm，須通過AMS 4079C 機械性能及超音波MIL- STD–2154 Class AA檢驗規範 | 潛力預估: 可搶攻航太工業及核電工程結構零組件市場 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院資通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... | 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會 |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格 ＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段 ＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估: |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256
Pitch : 30um
RoA > 1.E5Ohm-cm2
漏電流 < 1nA (負偏壓250mV)
接合良率 > 99.9%
操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU
Life time > 5年
Cool-down time < 6分鐘
Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上 |
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