奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作的執行單位是中科院材料所, 產出年度是100, 計畫名稱是奈米材料及製程技術發展計畫, 技術規格是玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。, 潛力預估是開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。.

序號	4909
產出年度	100
技術名稱-中文	奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米材料及製程技術發展計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	開發奈米Sn doped In2O3混成溶膠，Sb doped SnO2粒徑<40 nm，用於透明微波吸收鍍膜玻璃製作。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板、隔熱玻璃、抗微波玻璃製作。
潛力預估	開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。
聯絡人員	王偉洪
電話	03-4458267
傳真	03-4711024
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	http://N
所須軟硬體設備	溶膠製備、溶膠光學鍍膜技術及光學量測設備
需具備之專業人才	化工、材料、機械、化學

序號

4909

產出年度

100

技術名稱-中文

奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米材料及製程技術發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

開發奈米Sn doped In2O3混成溶膠，Sb doped SnO2粒徑<40 nm，用於透明微波吸收鍍膜玻璃製作。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。

技術成熟度

試量產

可應用範圍

開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板、隔熱玻璃、抗微波玻璃製作。

潛力預估

開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。

聯絡人員

王偉洪

電話

03-4458267

傳真

03-4711024

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://N

所須軟硬體設備

溶膠製備、溶膠光學鍍膜技術及光學量測設備

需具備之專業人才

化工、材料、機械、化學

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奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 101 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。 \| 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。 \| 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米Sn doped In2O3混成溶膠透明微波吸收鍍膜玻璃製作	執行單位: 中科院材料暨光電研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展第二期計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 玻璃板兩層雙面鍍膜，導電度可達100 Ω/□等級，微波吸收率＞50％，鍍膜硬度率≧3H。 \| 潛力預估: 開發透明微波吸收鍍膜玻璃，用於手機觸控面板，預估市場具2億年產值。開發建築玻璃及汽車玻璃隔熱及抗微波，預估市場具2億年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集

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TiO2 Anatase溶膠鍍膜應用技術	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鍍膜空氣中有機物分解能力：乙酸丁酯分解能力0.1～1.0μg / min.×W×cm2 \| 潛力預估: 應用於玻璃、陶瓷、金屬、塑膠及紙製品光觸媒鍍膜產品開發，具親水性、自潔性及抗菌能力，用於環境、空氣及水質品質改 @ 技術司可移轉技術資料集
液晶混成溶膠技術開發－電子窗簾試製	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小～1μm，電子窗簾元件具有控制透明度之功能，經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)＞30%，耐用性＞10,000 cycle \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 建立50公升批式先導工廠產能，經離心過濾與乾燥製備奈米銀微粉，配合矽烷偶合劑開發各式材料鍍膜技術，奈米銀微粒塗佈在無光照環境以(NH4)m－1(Ag)n(OH)m＋n－1＋1銀錯離子殺菌，殺菌能力較A... \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年 @ 技術司可移轉技術資料集
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電激光液晶混成溶膠技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 聚合物分散液晶薄膜中之液晶微粒大小～1μm，電子窗簾元件具有控制透明度之功能，經電場on-off形成之光線穿透率差ΔT(Ton-Toff)＞30%，耐用性＞10,000 cycle。 \| 潛力預估: 約新台幣1.0億元/年。 @ 技術司可移轉技術資料集
合成纖維光觸媒鍍膜技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光觸媒鍍膜合成纖維經切短與靜電劑加工，於窗簾布進行靜電植絨製得光觸媒鍍膜植絨窗簾布，光觸媒空氣清淨能力較以往光觸媒鍍膜窗簾布強10倍。 \| 潛力預估: 光觸媒鍍膜合成纖維用於光觸媒鍍膜植絨窗簾布，以200NT$/m2為單價，預估市場需求約105 m2，年產值約兩千萬元。若用於衣著紡織品，年產值約三千萬元。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米多孔箔材料結構控制技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 功能性化學品關鍵技術開發與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制，孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm \| 潛力預估: 奈米多孔鋁箔，為製作鋁電容器的主要材料，普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口，提昇多孔鋁箔研製品質技術，可降低產業對國外的依存度，增進產品的國際市場競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集
奈米多孔箔材料結構控制技術精進	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進化學品技術發展與應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米多孔箔材料孔洞結構鑑測控制，孔洞孔徑範圍2nm ~ 300nm。 \| 潛力預估: 奈米多孔鋁箔，為製作鋁電容器的主要材料，普遍應用於消費性電子產品。目前多孔鋁箔大部份由國外進口，提昇多孔鋁箔研製品質技術，可降低產業對國外的依存度，增進產品的國際市場競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集

TiO2 Anatase溶膠鍍膜應用技術

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液晶混成溶膠技術開發－電子窗簾試製

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奈米銀微粒溶膠製程與應用技術開發

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酸性TiO2 Anatase溶膠應用技術開發

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電激光液晶混成溶膠技術開發

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合成纖維光觸媒鍍膜技術開發

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奈米多孔箔材料結構控制技術開發

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奈米多孔箔材料結構控制技術精進

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MB-OFDM UWB V1.0 Matlab baseband simulation platform	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... \| 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力
MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF and baseband co-simulation platform	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... \| 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力
MB-OFDM UWB V1.0 baseband VHDL code	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範；Group A bands (3.1GHz – 4.9GHz)；Data rate：6.6，10，13.3，20， 25，40，50，60Mbps。 \| 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力
MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF simulation platform	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... \| 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力
用戶台及基地台Trch Codec模組技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合3GPP W-CDMA R99版規範 \| 潛力預估: 可搶攻3G W-CDMA晶片市場，極具市場淺力
環境頻譜分析及基地台整合測試技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測 \| 潛力預估: 可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。
導航顯示電腦技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Display Control & Processor Unit (Airborne Computer)；6.4”TFT LCD Flat Panel640；480 dot RGB, Antiglar... \| 潛力預估: 可運用於電腦、遊艇與汽車導航顯示器。
直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輸出頻寬: 0-160MHz；功率: -8dBm ；工作溫度範圍:-40~+85℃；信號雜訊比:3 60 dB \| 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統
低相位雜訊鎖相迴路振盪器 (Phase-locked DRO)	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輸出頻率: X band (or Ku band)；相位雜訊: -110 dBc/Hz @100KHz \| 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統
低頻高增益帶通濾波器設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 頻寬: 30kHz~160kHz；平均增益90dB \| 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統亦有數十億元之市場規模
單晶微波電路模組技術開發-S-頻段數位移相器單晶積體電路	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: Freq. S-Band；Control Bit: 6Bit (0,-5V)；Phase Control: 0.5 ~354° 5°/ step；Gain Variation:1.4 dB \| 潛力預估: 應用於智慧型相列天線移相器及車用電子系統防撞雷達，極具潛力.
微波管磁路設計與製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 陰陽極電位差14~16KV，電子束半徑0.25~0.3mm，發射電流400~450mA，導流係數0.24~0.26 \| 潛力預估: 脈衝式微波管
熱像夜視系統組裝、測試及維修	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電路板層數>四層，線距及線寬 \| 潛力預估: 96-102年國軍將採購總價20億元之紅外線熱影像裝備，海巡署亦將在96-105年採購總價30億元之紅外線熱影像裝備，除軍用市場外，民用市場每年成長20%以上，尤其在醫療保健及汽車工業上，成長更為驚人...
高真空RDU封裝製作	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: IR光窗穿透率>95%(3-5um)，杜瓦平可使用超過5年以上，致冷器使用時數超過4000小時 \| 潛力預估: 96-102年國軍將採購總價20億元之紅外線熱影像裝備，海巡署亦將在96-105年採購總價30億元之紅外線熱影像裝備，除軍用市場外，民用市場每年成長20%以上，尤其在醫療保健及汽車工業上，成長更為驚人...
雷射預警系統組裝、測試及維修	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 \| 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。

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