雷射掃描技術
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技術名稱-中文雷射掃描技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是100, 計畫名稱是飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫, 技術規格是掃描範圍:50mm x 50mm 掃描速度:1000cps 掃描重複定位精度:≦±15μm, 潛力預估是此技術可應用於雷射精密加工製程成為設備關鍵組件.

序號5340
產出年度100
技術名稱-中文雷射掃描技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術結合振鏡馬達及驅動電路,將雷射光經由擴束準直後,經由雷射掃描模組掃描於工件上,達到精密定位掃描功能。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格掃描範圍:50mm x 50mm 掃描速度:1000cps 掃描重複定位精度:≦±15μm
技術成熟度雛型
可應用範圍雷射marking、雷射劃線、雷射鑽孔。
潛力預估此技術可應用於雷射精密加工製程成為設備關鍵組件
聯絡人員廖金二
電話06-6939109
傳真06-6939056
電子信箱artliao@itri.org.tw
參考網址http://airp.org.tw/iars/1001223/index.htm
所須軟硬體設備位置感測器
需具備之專業人才具機械、光電、電機工程知識
同步更新日期2019-07-24

序號

5340

產出年度

100

技術名稱-中文

雷射掃描技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術結合振鏡馬達及驅動電路,將雷射光經由擴束準直後,經由雷射掃描模組掃描於工件上,達到精密定位掃描功能。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

掃描範圍:50mm x 50mm 掃描速度:1000cps 掃描重複定位精度:≦±15μm

技術成熟度

雛型

可應用範圍

雷射marking、雷射劃線、雷射鑽孔。

潛力預估

此技術可應用於雷射精密加工製程成為設備關鍵組件

聯絡人員

廖金二

電話

06-6939109

傳真

06-6939056

電子信箱

artliao@itri.org.tw

參考網址

http://airp.org.tw/iars/1001223/index.htm

所須軟硬體設備

位置感測器

需具備之專業人才

具機械、光電、電機工程知識

同步更新日期

2019-07-24

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三維雷射掃描技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 掃描模組角度重複精度≦22μrad 掃描速度:3.5 m/s 掃描重複定位精度:≦±10μm 三維掃描之Z軸聚焦範圍:±5mm | 潛力預估: 此技術可應用於三維雷射加工製程,取代國外關鍵組件

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Mini Skill Show 微型技藝展

| 活動起始日期: 2024/02/24 | 活動結束日期: 2024/02/24 | 折扣資訊:

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三維雷射掃描技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 掃描模組角度重複精度≦22μrad 掃描速度:3.5 m/s 掃描重複定位精度:≦±10μm 三維掃描之Z軸聚焦範圍:±5mm | 潛力預估: 此技術可應用於三維雷射加工製程,取代國外關鍵組件

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雷射圖案製程應用技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.光學解析度: 3 um_x000D_2.Optical resolution : 3 um_x000D_3.加工材料: TCO, Metal/Organic layers_x000D_4.材料厚度... | 潛力預估: 可撓式顯示器、薄膜式太陽電池、軟性電子製造商及相關設備開發商

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軟板對位與封裝設備技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.連續式基板寬度≧250mm_x000D_2.對位精度±2.5μm_x000D_3.張力偏差:±0.5% / 50kgf_x000D_4.導正速率:60mm/sec_x000D_5.解析0.5μm | 潛力預估: 軟性顯示器、軟性電子產品、軟性電路板、 軟性太陽電池設備業者

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有機薄膜封裝技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.基板材質: PI on Glass_x000D_2.膜厚均勻性:<5﹪_x000D_3.沉積速率:1000 Å /min_x000D_4.溫度控制:腔體150℃,基板:20± 3℃_x... | 潛力預估: OLED產業、可撓式顯示器、軟性電子相關設備開發商

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雷射圖案製程應用技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射波長:355 nm 平均輸出功率:< 7W 脈衝式 重複頻率:100kHz 脈衝寬度:30 n-sec 最小光斑尺寸:10μm | 潛力預估: 預計可與平面顯示器、軟性電子/顯示器及太陽光電等應用廠商合作。

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軟板對位與封裝設備技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 連續式基材寬度300mm 水平對位精度 ±2.5μm 動態補償誤差20μm | 潛力預估: 可協助自動化設備業者、軟電製程及設備業者、及顯示器設備業者提升相關技術。

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有機薄膜封裝技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel size:370mm×470mm 基板材質:Glass、PI 對位精度:±10um 製程溫度:<100℃ 均勻度:<±5% | 潛力預估: 預計可協助軟性電子/顯示器、太陽光電等應用廠商提升相關技術。

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奈秒脈衝光纖雷射技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射尖端功率(Maximum Peak Power): 1500 W 雷射脈衝能量:0.19 mJ 雷射波長(Wavelength): 1064 nm 雷射頻寬(Bandwidth, FWHM): ≦... | 潛力預估: 預計可應用於雷射精密加工、及半導體等產業。

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超快雷射微孔成型技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 應用材料:Si 雷射脈衝寬度 | 潛力預估: 預計可應用於矽基太陽能電池、 IC半導體、和MEMS產業。

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雷射圖案製程應用技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.光學解析度: 3 um_x000D_2.Optical resolution : 3 um_x000D_3.加工材料: TCO, Metal/Organic layers_x000D_4.材料厚度... | 潛力預估: 可撓式顯示器、薄膜式太陽電池、軟性電子製造商及相關設備開發商

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軟板對位與封裝設備技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.連續式基板寬度≧250mm_x000D_2.對位精度±2.5μm_x000D_3.張力偏差:±0.5% / 50kgf_x000D_4.導正速率:60mm/sec_x000D_5.解析0.5μm | 潛力預估: 軟性顯示器、軟性電子產品、軟性電路板、 軟性太陽電池設備業者

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有機薄膜封裝技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.基板材質: PI on Glass_x000D_2.膜厚均勻性:<5﹪_x000D_3.沉積速率:1000 Å /min_x000D_4.溫度控制:腔體150℃,基板:20± 3℃_x... | 潛力預估: OLED產業、可撓式顯示器、軟性電子相關設備開發商

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雷射圖案製程應用技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射波長:355 nm 平均輸出功率:< 7W 脈衝式 重複頻率:100kHz 脈衝寬度:30 n-sec 最小光斑尺寸:10μm | 潛力預估: 預計可與平面顯示器、軟性電子/顯示器及太陽光電等應用廠商合作。

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軟板對位與封裝設備技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 連續式基材寬度300mm 水平對位精度 ±2.5μm 動態補償誤差20μm | 潛力預估: 可協助自動化設備業者、軟電製程及設備業者、及顯示器設備業者提升相關技術。

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有機薄膜封裝技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel size:370mm×470mm 基板材質:Glass、PI 對位精度:±10um 製程溫度:<100℃ 均勻度:<±5% | 潛力預估: 預計可協助軟性電子/顯示器、太陽光電等應用廠商提升相關技術。

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奈秒脈衝光纖雷射技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射尖端功率(Maximum Peak Power): 1500 W 雷射脈衝能量:0.19 mJ 雷射波長(Wavelength): 1064 nm 雷射頻寬(Bandwidth, FWHM): ≦... | 潛力預估: 預計可應用於雷射精密加工、及半導體等產業。

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超快雷射微孔成型技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 應用材料:Si 雷射脈衝寬度 | 潛力預估: 預計可應用於矽基太陽能電池、 IC半導體、和MEMS產業。

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大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後,基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50%之目標,故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備,此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題,任何的微量有機殘留都會影響製程與良率,因此有機物殘留檢測技術的建立,除了可以驗證清洗效率外,並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格:TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格,科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載,或直流變頻壓縮機,展現節能效益,或更進一步的控制。此為其商業淺力。

UV/O3系統實廠操作技術評估與開發

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例,以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理

電子式溫度資料蒐集紀錄元件

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH | 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...

雨水貯留供水系統可行性評估系統

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 輔助設計軟體。 | 潛力預估: 因應建築規則,綠建築專章已通過,建築設計市場需求殷切。

高濃度臭氧水產生技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 臭氧水濃度:50ppm | 潛力預估: 臭氧技術因是on-site製造,具有高潔淨度特性,符合奈米製程高標準的潔淨度要求,並且省能省水,氧化力強,能在常溫下快速將有機物直接氧化成為CO2、羧酸類(R-COOH)等簡單小分子,反應產物可迅速揮...

二相流體精密洗淨製程技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可適用於具多孔性或具奈米孔洞之超微細結構元件與材料之清洗潔淨,奈米孔徑範圍可 < 5 nm~> 200 nm | 潛力預估: 未來半導體及顯示器相繼產用具奈米孔洞或微細結構元件,故清洗技術需採用此技術。

蓄冷容器積載最佳化技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 傳統物流公司以專用車輛配送,常、低溫貨件,或實施多溫共配之物流公司,以常溫車輛共配常、低溫貨件時,運用畚積載最佳化系統,可有效利用車廂內空間提供裝載率,將技術導入服務業者應用,預估可產生每年1仟萬元的...

PROFIBUS通訊技術及CAN-Bus通訊技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 基於現今工廠與日常機能自動化盛行的需求,標準的工業網路為最主要的構成要件。

功因控制技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 220VAC輸入,具備保護功能,功因可達0.97以上。 | 潛力預估: 運用於高功因雙向電能轉換控制系統之DSP架構,可應用於雙向交流電能轉換市場,如電梯、變頻器、工具機

12吋晶圓廠製程生產用水規劃

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商去除水中有機物達回收限值1ppm以下 | 潛力預估: 提升TOC處理效率,節省用藥成本與降低環境 二次污染的風險。

奈米水中極性有機物採樣分析技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: MDL:4.167ppb~20.3ppb之間(依水樣體積4.8ml換算) | 潛力預估: 可應用於機台排水,去離子水及一般水中揮發性有機物的追蹤檢測,該方法具備前處理操作步驟簡易,不需購置purge and trap設備,可快速獲得結果之優點。但如需檢測超純水等級水質或 更低濃度之水樣,...

以FPGA/CPLD為基礎設計家電控制晶片組技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 以IEEE 標準VHDL開發晶片功能。 | 潛力預估: 可應用未來家電產品整合驅動控制系統之SOC架構實現,具市場發展潛力

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後,基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50%之目標,故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備,此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題,任何的微量有機殘留都會影響製程與良率,因此有機物殘留檢測技術的建立,除了可以驗證清洗效率外,並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格:TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格,科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載,或直流變頻壓縮機,展現節能效益,或更進一步的控制。此為其商業淺力。

UV/O3系統實廠操作技術評估與開發

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 科學園區管理局之污水納管管制條例,以及製程用水回收率需達85%之規定皆促使廠商進行有機廢水之處理

電子式溫度資料蒐集紀錄元件

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: -30o~70oC±0.6oC(-20o~50o)/±1.2oC其他範圍,紅外線傳輸,工作條件:-20o~70oC,5~95﹪RH | 潛力預估: 搭配蓄冷保溫櫃與保溫箱使用,推動全溫層保鮮服務,由於價格與進口產品比較具備相當高的競爭優勢,預估國內需求量每年超過1000個以上,加上授權廠家具備接受國外OEM及行銷能力,其評估每年出口(OEM)應可...

雨水貯留供水系統可行性評估系統

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 輔助設計軟體。 | 潛力預估: 因應建築規則,綠建築專章已通過,建築設計市場需求殷切。

高濃度臭氧水產生技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 臭氧水濃度:50ppm | 潛力預估: 臭氧技術因是on-site製造,具有高潔淨度特性,符合奈米製程高標準的潔淨度要求,並且省能省水,氧化力強,能在常溫下快速將有機物直接氧化成為CO2、羧酸類(R-COOH)等簡單小分子,反應產物可迅速揮...

二相流體精密洗淨製程技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可適用於具多孔性或具奈米孔洞之超微細結構元件與材料之清洗潔淨,奈米孔徑範圍可 < 5 nm~> 200 nm | 潛力預估: 未來半導體及顯示器相繼產用具奈米孔洞或微細結構元件,故清洗技術需採用此技術。

蓄冷容器積載最佳化技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 策略性服務業導向科專推動計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 傳統物流公司以專用車輛配送,常、低溫貨件,或實施多溫共配之物流公司,以常溫車輛共配常、低溫貨件時,運用畚積載最佳化系統,可有效利用車廂內空間提供裝載率,將技術導入服務業者應用,預估可產生每年1仟萬元的...

PROFIBUS通訊技術及CAN-Bus通訊技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 基於現今工廠與日常機能自動化盛行的需求,標準的工業網路為最主要的構成要件。

功因控制技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 220VAC輸入,具備保護功能,功因可達0.97以上。 | 潛力預估: 運用於高功因雙向電能轉換控制系統之DSP架構,可應用於雙向交流電能轉換市場,如電梯、變頻器、工具機

12吋晶圓廠製程生產用水規劃

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商去除水中有機物達回收限值1ppm以下 | 潛力預估: 提升TOC處理效率,節省用藥成本與降低環境 二次污染的風險。

奈米水中極性有機物採樣分析技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: MDL:4.167ppb~20.3ppb之間(依水樣體積4.8ml換算) | 潛力預估: 可應用於機台排水,去離子水及一般水中揮發性有機物的追蹤檢測,該方法具備前處理操作步驟簡易,不需購置purge and trap設備,可快速獲得結果之優點。但如需檢測超純水等級水質或 更低濃度之水樣,...

以FPGA/CPLD為基礎設計家電控制晶片組技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 以IEEE 標準VHDL開發晶片功能。 | 潛力預估: 可應用未來家電產品整合驅動控制系統之SOC架構實現,具市場發展潛力

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