奈秒脈衝光纖雷射技術 - 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部 技術名稱-中文奈秒脈衝光纖雷射技術 的執行單位是工研院南分院 , 產出年度是97 , 計畫名稱是雷射創新應用技術關鍵計畫 , 技術規格是雷射尖端功率(Maximum Peak Power): 1500 W 雷射脈衝能量：0.19 mJ 雷射波長（Wavelength）: 1064 nm 雷射頻寬（Bandwidth， FWHM）: ≦1 nm 雷射脈衝(Pulse Width): 80～200 ns 雷射重複率(Repetition... , 潛力預估是預計可應用於雷射精密加工、及半導體等產業。 .
序號 2719 產出年度 97 技術名稱-中文 奈秒脈衝光纖雷射技術 執行單位 工研院南分院 產出單位 (空) 計畫名稱 雷射創新應用技術關鍵計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術以雙包層?鐿(Yb-doped)光纖當雷射增益介質，搭載機構、電路、光學、和散熱全方位整合，達到雷射脈衝尖端功率2.5千瓦等級，波長在1微米並具備窄半高寬的雷射，可彈性調變雷射的重複率及脈衝寬度，出光雷射品質近單模光，符合現階段業界需求。南分院開發之全光纖式奈秒紅外脈衝雷射，具有體積小、氣冷式散熱、維修頻率低、可操作於振動、粉塵、及高溼度的工業環境優勢。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 雷射尖端功率(Maximum Peak Power): 1500 W 雷射脈衝能量：0.19 mJ 雷射波長（Wavelength）: 1064 nm 雷射頻寬（Bandwidth， FWHM）: ≦1 nm 雷射脈衝(Pulse Width): 80～200 ns 雷射重複率(Repetition Rate)：80～120 kHz (Tunable） 技術成熟度 雛型 可應用範圍 本計畫發展增益光放大器方法/雷射二極體損壞機制防護技術，開發高尖端功率奈秒脈衝光纖雷射，具備體積小、不需水冷散熱、維修頻率少簡易等特點，相關技術可應用於雷射加工/切割/焊接、表面標示、或精密雷射加工/微機械加工等方面。 潛力預估 預計可應用於雷射精密加工、及半導體等產業。 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109; 03-5918607 傳真 06-6939056 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 需使用由南分院雷射應用科技中心所設計之全光纖式奈秒紅外脈衝雷射源模組。 需具備之專業人才 需了解雷射相關專業知識者 同步更新日期 2023-07-22
序號 2719 產出年度 97 技術名稱-中文 奈秒脈衝光纖雷射技術 執行單位 工研院南分院 產出單位 (空) 計畫名稱 雷射創新應用技術關鍵計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術以雙包層?鐿(Yb-doped)光纖當雷射增益介質，搭載機構、電路、光學、和散熱全方位整合，達到雷射脈衝尖端功率2.5千瓦等級，波長在1微米並具備窄半高寬的雷射，可彈性調變雷射的重複率及脈衝寬度，出光雷射品質近單模光，符合現階段業界需求。南分院開發之全光纖式奈秒紅外脈衝雷射，具有體積小、氣冷式散熱、維修頻率低、可操作於振動、粉塵、及高溼度的工業環境優勢。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 雷射尖端功率(Maximum Peak Power): 1500 W 雷射脈衝能量：0.19 mJ 雷射波長（Wavelength）: 1064 nm 雷射頻寬（Bandwidth， FWHM）: ≦1 nm 雷射脈衝(Pulse Width): 80～200 ns 雷射重複率(Repetition Rate)：80～120 kHz (Tunable） 技術成熟度 雛型 可應用範圍 本計畫發展增益光放大器方法/雷射二極體損壞機制防護技術，開發高尖端功率奈秒脈衝光纖雷射，具備體積小、不需水冷散熱、維修頻率少簡易等特點，相關技術可應用於雷射加工/切割/焊接、表面標示、或精密雷射加工/微機械加工等方面。 潛力預估 預計可應用於雷射精密加工、及半導體等產業。 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109; 03-5918607 傳真 06-6939056 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 需使用由南分院雷射應用科技中心所設計之全光纖式奈秒紅外脈衝雷射源模組。 需具備之專業人才 需了解雷射相關專業知識者 同步更新日期 2023-07-22
序號 4687 產出年度 99 技術名稱-中文 紫外奈秒脈衝光纖雷射技術 執行單位 工研院南分院 產出單位 (空) 計畫名稱 雷射創新應用技術關鍵計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 開發的紫外奈秒脈衝光纖雷射適用於透光基材如ITO透明電極、GaN藍寶石基板、SiO2玻璃材質等精密鑽孔與切割，其優異的雷射光品質可取代現有的氣體紫外雷射，為精密工業用雷射源的新主流。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 (a)波長：360±15nm (b)倍頻脈衝寬度≦100ns (c)倍頻脈衝能量≧50μJ (d)倍頻最大瞬時輸出功率≧300W 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 可應用於面板、太陽能、LED廠商 潛力預估 預估亞洲區每年至少需要100套以上加工雷射源需求，產值超過5000萬元以上，此雷射源技術結合整合設備，將可應用於太陽能製程及軟性電子設備之切割用途上 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109 傳真 06-6939056 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 http://1230.airp.org.tw 所須軟硬體設備 高功率高能量雷射特性量測系統，電路開發測試系統，大直徑光纖融接機，雷射產品環測系統 需具備之專業人才 具機械,物理,光電背景專業
序號: 4687 產出年度: 99 技術名稱-中文: 紫外奈秒脈衝光纖雷射技術 執行單位: 工研院南分院 產出單位: (空) 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 開發的紫外奈秒脈衝光纖雷射適用於透光基材如ITO透明電極、GaN藍寶石基板、SiO2玻璃材質等精密鑽孔與切割，其優異的雷射光品質可取代現有的氣體紫外雷射，為精密工業用雷射源的新主流。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: (a)波長：360±15nm (b)倍頻脈衝寬度≦100ns (c)倍頻脈衝能量≧50μJ (d)倍頻最大瞬時輸出功率≧300W 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 可應用於面板、太陽能、LED廠商 潛力預估: 預估亞洲區每年至少需要100套以上加工雷射源需求，產值超過5000萬元以上，此雷射源技術結合整合設備，將可應用於太陽能製程及軟性電子設備之切割用途上 聯絡人員: 廖金二 電話: 06-6939109 傳真: 06-6939056 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: http://1230.airp.org.tw 所須軟硬體設備: 高功率高能量雷射特性量測系統，電路開發測試系統，大直徑光纖融接機，雷射產品環測系統 需具備之專業人才: 具機械,物理,光電背景專業
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序號 2716 產出年度 97 技術名稱-中文 雷射圖案製程應用技術 執行單位 金屬中心 產出單位 (空) 計畫名稱 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 雷射圖案製程應用技術利用UV雷射光短波長與短脈衝特性，將材料內部電子激發，造成物質瞬間離子化及材料分解，達到材料微成型加工 (Micromachining)的效果；本技術整合雷射光路系統、雷射動態掃描、雷射材料製程技術與基板傳輸等技術，可應用於Batch Type與R2R Type的加工製程，應用領域包含平面顯示器、軟性電子/顯示器及太陽光電等產業。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 雷射波長：355 nm 平均輸出功率：< 7W 脈衝式 重複頻率：100kHz 脈衝寬度：30 n-sec 最小光斑尺寸：10μm 技術成熟度 雛型 可應用範圍 雷射圖案加工技術，利用UV雷射光短波長與短脈衝特性，將材料內部電子激發，造成瞬間的離子化及材料的分解，達到材料微細結構加工 (Laser Micro-machining)，可應用於Batch Type與R2R Type的加工，例如FPD/Flexible display雷射圖案加工、觸碰面板導電薄模加工、光學模片模仁微結構加工、Thin film Solar Cell Laser Scribing、Wafer Solar Cell Laser Isolation等 潛力預估 預計可與平面顯示器、軟性電子/顯示器及太陽光電等應用廠商合作。 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109；03-5918607 傳真 06-6939056 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 需整合雷射光路系統、雷射動態掃描、雷射材料製程技術與基板傳輸等技術，及南分院雷射應用科技中心所設計之R2R雷射圖案加工系統。 需具備之專業人才 需了解雷射相關專業知識者
序號: 2716 產出年度: 97 技術名稱-中文: 雷射圖案製程應用技術 執行單位: 金屬中心 產出單位: (空) 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 雷射圖案製程應用技術利用UV雷射光短波長與短脈衝特性，將材料內部電子激發，造成物質瞬間離子化及材料分解，達到材料微成型加工 (Micromachining)的效果；本技術整合雷射光路系統、雷射動態掃描、雷射材料製程技術與基板傳輸等技術，可應用於Batch Type與R2R Type的加工製程，應用領域包含平面顯示器、軟性電子/顯示器及太陽光電等產業。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 雷射波長：355 nm 平均輸出功率：< 7W 脈衝式 重複頻率：100kHz 脈衝寬度：30 n-sec 最小光斑尺寸：10μm 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 雷射圖案加工技術，利用UV雷射光短波長與短脈衝特性，將材料內部電子激發，造成瞬間的離子化及材料的分解，達到材料微細結構加工 (Laser Micro-machining)，可應用於Batch Type與R2R Type的加工，例如FPD/Flexible display雷射圖案加工、觸碰面板導電薄模加工、光學模片模仁微結構加工、Thin film Solar Cell Laser Scribing、Wafer Solar Cell Laser Isolation等 潛力預估: 預計可與平面顯示器、軟性電子/顯示器及太陽光電等應用廠商合作。 聯絡人員: 廖金二 電話: 06-6939109；03-5918607 傳真: 06-6939056 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 需整合雷射光路系統、雷射動態掃描、雷射材料製程技術與基板傳輸等技術，及南分院雷射應用科技中心所設計之R2R雷射圖案加工系統。 需具備之專業人才: 需了解雷射相關專業知識者
序號 2717 產出年度 97 技術名稱-中文 軟板對位與封裝設備技術 執行單位 金屬中心 產出單位 (空) 計畫名稱 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本設備技術由定線速放捲輥輪、動態尋邊補償機構、壓力回饋式軟板貼合模組及定張力收捲等系統所組成，其目的乃針對軟板製程採R2R方式進行兩片薄膜基板之精密對位與貼合，可應用於軟性顯示器及軟性電子產品在大氣環境下進行連續式高精度封裝製程。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 連續式基材寬度300mm 水平對位精度 ±2.5μm 動態補償誤差20μm 技術成熟度 試量產 可應用範圍 本計畫運用高精度位置導正、壓力回饋及連續式輥壓技術，進行軟性基板之精密對位與貼合，以應用於軟性顯示器及軟性電子產品在大氣環境下，進行Batch或R2R形式之高精度封裝製程。預計可應用於軟性電子產品、軟性顯示器、電子紙、軟性印刷電路封裝等方面。 潛力預估 可協助自動化設備業者、軟電製程及設備業者、及顯示器設備業者提升相關技術。 聯絡人員 廖金 電話 06-6939109；03-5918607 傳真 06-6939056 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 整合大氣環境貼合製程、高對位精度導正技術、和適用軟板R2R連續式封裝相關技術，及配合南分院雷射應用科技中心的軟板對位與封裝系統和連續輸送導正裝置。 需具備之專業人才 需了解雷射相關專業知識者
序號: 2717 產出年度: 97 技術名稱-中文: 軟板對位與封裝設備技術 執行單位: 金屬中心 產出單位: (空) 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本設備技術由定線速放捲輥輪、動態尋邊補償機構、壓力回饋式軟板貼合模組及定張力收捲等系統所組成，其目的乃針對軟板製程採R2R方式進行兩片薄膜基板之精密對位與貼合，可應用於軟性顯示器及軟性電子產品在大氣環境下進行連續式高精度封裝製程。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 連續式基材寬度300mm 水平對位精度 ±2.5μm 動態補償誤差20μm 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 本計畫運用高精度位置導正、壓力回饋及連續式輥壓技術，進行軟性基板之精密對位與貼合，以應用於軟性顯示器及軟性電子產品在大氣環境下，進行Batch或R2R形式之高精度封裝製程。預計可應用於軟性電子產品、軟性顯示器、電子紙、軟性印刷電路封裝等方面。 潛力預估: 可協助自動化設備業者、軟電製程及設備業者、及顯示器設備業者提升相關技術。 聯絡人員: 廖金 電話: 06-6939109；03-5918607 傳真: 06-6939056 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 整合大氣環境貼合製程、高對位精度導正技術、和適用軟板R2R連續式封裝相關技術，及配合南分院雷射應用科技中心的軟板對位與封裝系統和連續輸送導正裝置。 需具備之專業人才: 需了解雷射相關專業知識者
序號 2718 產出年度 97 技術名稱-中文 有機薄膜封裝技術 執行單位 金屬中心 產出單位 (空) 計畫名稱 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma， ICP)具高離子密度(1011cm-3)與低工作壓力(10-3torr)，可提供良好的蝕刻品質，本技術以「併聯式複數線圈」來降低駐波效應，製作大面積之低溫電漿模組；透過改變線圈距離，以調整電場分布，並搭配「可變噴嘴及多管路等分進氣模組」設計調整氣場分佈，提升電漿均勻度；在薄膜封裝製程製程中，利用高密度ICP進行有機層邊緣蝕刻，可使無機層完整覆蓋於有機層上，此舉阻止水氧由側邊侵入，提升軟性顯示器產品壽命。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 Panel size：370mm×470mm 基板材質：Glass、PI 對位精度：±10um 製程溫度：＜100℃ 均勻度：＜±5％ 技術成熟度 試量產 可應用範圍 本技術在薄膜封裝製程有機與無機層堆疊過程中，利用高密度ICP電漿、金屬遮罩與高精度對位系統進行有機層邊緣蝕刻，使無機層可完整覆蓋有機層以阻止水氧由側邊侵入。本計畫所發展電漿輔助乾蝕刻技術，用以建構軟性顯示所需之完整的低溫薄膜封裝系統，預計可將技術應用於軟性顯示器、OLED面板、表面光阻去除、乾蝕刻等方面。 潛力預估 預計可協助軟性電子/顯示器、太陽光電等應用廠商提升相關技術。 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109；03-5918607 傳真 06-6939056 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 需整合電漿輔助乾蝕刻技術及有機薄膜封裝設備。 需具備之專業人才 需了解雷射相關專業知識者
序號: 2718 產出年度: 97 技術名稱-中文: 有機薄膜封裝技術 執行單位: 金屬中心 產出單位: (空) 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma， ICP)具高離子密度(1011cm-3)與低工作壓力(10-3torr)，可提供良好的蝕刻品質，本技術以「併聯式複數線圈」來降低駐波效應，製作大面積之低溫電漿模組；透過改變線圈距離，以調整電場分布，並搭配「可變噴嘴及多管路等分進氣模組」設計調整氣場分佈，提升電漿均勻度；在薄膜封裝製程製程中，利用高密度ICP進行有機層邊緣蝕刻，可使無機層完整覆蓋於有機層上，此舉阻止水氧由側邊侵入，提升軟性顯示器產品壽命。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: Panel size：370mm×470mm 基板材質：Glass、PI 對位精度：±10um 製程溫度：＜100℃ 均勻度：＜±5％ 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 本技術在薄膜封裝製程有機與無機層堆疊過程中，利用高密度ICP電漿、金屬遮罩與高精度對位系統進行有機層邊緣蝕刻，使無機層可完整覆蓋有機層以阻止水氧由側邊侵入。本計畫所發展電漿輔助乾蝕刻技術，用以建構軟性顯示所需之完整的低溫薄膜封裝系統，預計可將技術應用於軟性顯示器、OLED面板、表面光阻去除、乾蝕刻等方面。 潛力預估: 預計可協助軟性電子/顯示器、太陽光電等應用廠商提升相關技術。 聯絡人員: 廖金二 電話: 06-6939109；03-5918607 傳真: 06-6939056 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 需整合電漿輔助乾蝕刻技術及有機薄膜封裝設備。 需具備之專業人才: 需了解雷射相關專業知識者
序號 2720 產出年度 97 技術名稱-中文 超快雷射微孔成型技術 執行單位 工研院南分院 產出單位 (空) 計畫名稱 雷射創新應用技術關鍵計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術研究超快雷射與材料作用機制，開發出飛秒雷射微成型關鍵模組技術，可經由雷射光束的特性，調整進行加工，以符合業界需求。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 應用材料：Si 雷射脈衝寬度 技術成熟度 雛型 可應用範圍 本技術透過實驗設計法，研發超快雷射與矽材料作用機制，可應用於各種材料之高深寬比孔洞結構製作，預計可將技術應用於高精度加工、微孔成型、劃線切割、或材料改質等方面。 潛力預估 預計可應用於矽基太陽能電池、 IC半導體、和MEMS產業。 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109; 03-5918607 傳真 06-6939056 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 需使用南分院雷射應用科技中心所研發設計之雷射加工之微顆粒自動移除模組和超快脈衝寬度補償模組。 需具備之專業人才 需了解雷射相關專業知識者
序號: 2720 產出年度: 97 技術名稱-中文: 超快雷射微孔成型技術 執行單位: 工研院南分院 產出單位: (空) 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本技術研究超快雷射與材料作用機制，開發出飛秒雷射微成型關鍵模組技術，可經由雷射光束的特性，調整進行加工，以符合業界需求。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 應用材料：Si 雷射脈衝寬度 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 本技術透過實驗設計法，研發超快雷射與矽材料作用機制，可應用於各種材料之高深寬比孔洞結構製作，預計可將技術應用於高精度加工、微孔成型、劃線切割、或材料改質等方面。 潛力預估: 預計可應用於矽基太陽能電池、 IC半導體、和MEMS產業。 聯絡人員: 廖金二 電話: 06-6939109; 03-5918607 傳真: 06-6939056 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 需使用南分院雷射應用科技中心所研發設計之雷射加工之微顆粒自動移除模組和超快脈衝寬度補償模組。 需具備之專業人才: 需了解雷射相關專業知識者
序號 2721 產出年度 97 技術名稱-中文 光路與自動聚焦技術 執行單位 工研院南分院 產出單位 (空) 計畫名稱 雷射創新應用技術關鍵計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 光路與自動聚焦技術藉由光路設計可將雷射光點聚焦至3 mm以下，並達到光束平頂整型效果；此技術並利用創新之橢圓反射原理開發自動聚焦模組裝置，可即時偵測待測物之離焦狀態並迅速修正至焦點處。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 (精密加工自動聚焦模組) ＊ 自動聚焦時間 ≦ 0.1sec （@±200m ) ＊ 自動聚焦精度 ≦ ±2 m ＊ 雷射聚焦光點 ≦ 3m ＊ 聚焦行程 ≧ 400 m 技術成熟度 雛型 可應用範圍 本技術可運用於雷射精密加工、修補及AOI製程，本技術具精度高、聚焦速度快之優勢，相關技術可應用於太陽能光電、半導體 、平面顯示器面板、精密模具及微型相機等產業之雷射精密加工、修補與AOI製程，用以提升產品之性能及其價值。 潛力預估 預計可應用於平面顯示器面板、半導體晶圓、及太陽能電池等產業。 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109; 03-5918607 傳真 06-6939056 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 需使用南分院雷射應用科技中心所研發設計之橢圓反射式離焦偵測模組，及所研發設計的自動聚焦架構。 需具備之專業人才 需了解雷射相關專業知識者
序號: 2721 產出年度: 97 技術名稱-中文: 光路與自動聚焦技術 執行單位: 工研院南分院 產出單位: (空) 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 光路與自動聚焦技術藉由光路設計可將雷射光點聚焦至3 mm以下，並達到光束平頂整型效果；此技術並利用創新之橢圓反射原理開發自動聚焦模組裝置，可即時偵測待測物之離焦狀態並迅速修正至焦點處。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: (精密加工自動聚焦模組) ＊ 自動聚焦時間 ≦ 0.1sec （@±200m ) ＊ 自動聚焦精度 ≦ ±2 m ＊ 雷射聚焦光點 ≦ 3m ＊ 聚焦行程 ≧ 400 m 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 本技術可運用於雷射精密加工、修補及AOI製程，本技術具精度高、聚焦速度快之優勢，相關技術可應用於太陽能光電、半導體 、平面顯示器面板、精密模具及微型相機等產業之雷射精密加工、修補與AOI製程，用以提升產品之性能及其價值。 潛力預估: 預計可應用於平面顯示器面板、半導體晶圓、及太陽能電池等產業。 聯絡人員: 廖金二 電話: 06-6939109; 03-5918607 傳真: 06-6939056 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 需使用南分院雷射應用科技中心所研發設計之橢圓反射式離焦偵測模組，及所研發設計的自動聚焦架構。 需具備之專業人才: 需了解雷射相關專業知識者
序號 2296 產出年度 96 技術名稱-中文 雷射圖案製程應用技術 執行單位 金屬中心 產出單位 (空) 計畫名稱 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 整合雷射光路與掃描控制技術，圖案製程雷射關鍵模組建置，可應用於軟性顯示器圖案製程或相關製程領域 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.光學解析度: 3 um_x000D_2.Optical resolution : 3 um_x000D_3.加工材料: TCO, Metal/Organic layers_x000D_4.材料厚度≦3KÅ_x000D_5.Material Thickness≦3KÅ 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 1.材料圖案加工製程_x000D_2.單步驟乾式製程 _x000D_3.應用於玻璃基板/塑膠基板等顯示器製程_x000D_4.Single-step dry process_x000D_5.Apply to glass substrate and plastic substrate display proce 潛力預估 可撓式顯示器、薄膜式太陽電池、軟性電子製造商及相關設備開發商 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109或03-5918607 傳真 06-6939056或03-5820458 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 所須軟硬體設備 雷射光源,UV光源視覺模組 需具備之專業人才 電子，電機，機械，物理，材料
序號: 2296 產出年度: 96 技術名稱-中文: 雷射圖案製程應用技術 執行單位: 金屬中心 產出單位: (空) 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 整合雷射光路與掃描控制技術，圖案製程雷射關鍵模組建置，可應用於軟性顯示器圖案製程或相關製程領域 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.光學解析度: 3 um_x000D_2.Optical resolution : 3 um_x000D_3.加工材料: TCO, Metal/Organic layers_x000D_4.材料厚度≦3KÅ_x000D_5.Material Thickness≦3KÅ 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 1.材料圖案加工製程_x000D_2.單步驟乾式製程 _x000D_3.應用於玻璃基板/塑膠基板等顯示器製程_x000D_4.Single-step dry process_x000D_5.Apply to glass substrate and plastic substrate display proce 潛力預估: 可撓式顯示器、薄膜式太陽電池、軟性電子製造商及相關設備開發商 聯絡人員: 廖金二 電話: 06-6939109或03-5918607 傳真: 06-6939056或03-5820458 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 所須軟硬體設備: 雷射光源,UV光源視覺模組 需具備之專業人才: 電子，電機，機械，物理，材料
序號 2297 產出年度 96 技術名稱-中文 軟板對位與封裝設備技術 執行單位 金屬中心 產出單位 (空) 計畫名稱 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 針對次世代顯示器及軟性電子產品之製程需求，發展連續式設備之對位封裝關鍵模組 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.連續式基板寬度≧250mm_x000D_2.對位精度±2.5μm_x000D_3.張力偏差：±0.5% / 50kgf_x000D_4.導正速率：60mm/sec_x000D_5.解析0.5μm 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 1.軟性顯示器_x000D_2.軟性電子產品_x000D_3.軟性電路板之連續式製程 潛力預估 軟性顯示器、軟性電子產品、軟性電路板、 軟性太陽電池設備業者 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109或03-5918607 傳真 06-6939056或03-5820458 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 所須軟硬體設備 視覺輔助精密平面對位、輥壓貼合等製程技術、軟性基材連續式製程設備或生產線 需具備之專業人才 電子，電機，機械，物理，材料
序號: 2297 產出年度: 96 技術名稱-中文: 軟板對位與封裝設備技術 執行單位: 金屬中心 產出單位: (空) 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 針對次世代顯示器及軟性電子產品之製程需求，發展連續式設備之對位封裝關鍵模組 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.連續式基板寬度≧250mm_x000D_2.對位精度±2.5μm_x000D_3.張力偏差：±0.5% / 50kgf_x000D_4.導正速率：60mm/sec_x000D_5.解析0.5μm 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 1.軟性顯示器_x000D_2.軟性電子產品_x000D_3.軟性電路板之連續式製程 潛力預估: 軟性顯示器、軟性電子產品、軟性電路板、 軟性太陽電池設備業者 聯絡人員: 廖金二 電話: 06-6939109或03-5918607 傳真: 06-6939056或03-5820458 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 所須軟硬體設備: 視覺輔助精密平面對位、輥壓貼合等製程技術、軟性基材連續式製程設備或生產線 需具備之專業人才: 電子，電機，機械，物理，材料
序號 2298 產出年度 96 技術名稱-中文 有機薄膜封裝技術 執行單位 金屬中心 產出單位 (空) 計畫名稱 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 開發沉積有機層所需的PECVD設備，以370×470mm尺寸基板為載具，成膜粗糙度P-V值10nm(@100nm)，膜厚均勻度±5﹪ 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.基板材質： PI on Glass_x000D_2.膜厚均勻性：＜5﹪_x000D_3.沉積速率：1000 Å /min_x000D_4.溫度控制：腔體150℃，基板：20± 3℃_x000D_5.真空度：5x10-6 Torr_x000D_6.ICP電漿輔助反應 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 1.平面顯示器 FPD_x000D_2.OLED薄膜封裝 OLED Thin Film Encapsulatio 潛力預估 OLED產業、可撓式顯示器、軟性電子相關設備開發商 聯絡人員 廖金二 電話 06-6939109或03-5918607 傳真 06-6939056或03-5820458 電子信箱 artliao@itri.org.tw 參考網址 http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 所須軟硬體設備 電漿輔助有機薄膜沉積裝置 需具備之專業人才 電子，電機，機械，物理，材料
序號: 2298 產出年度: 96 技術名稱-中文: 有機薄膜封裝技術 執行單位: 金屬中心 產出單位: (空) 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 開發沉積有機層所需的PECVD設備，以370×470mm尺寸基板為載具，成膜粗糙度P-V值10nm(@100nm)，膜厚均勻度±5﹪ 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.基板材質： PI on Glass_x000D_2.膜厚均勻性：＜5﹪_x000D_3.沉積速率：1000 Å /min_x000D_4.溫度控制：腔體150℃，基板：20± 3℃_x000D_5.真空度：5x10-6 Torr_x000D_6.ICP電漿輔助反應 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 1.平面顯示器 FPD_x000D_2.OLED薄膜封裝 OLED Thin Film Encapsulatio 潛力預估: OLED產業、可撓式顯示器、軟性電子相關設備開發商 聯絡人員: 廖金二 電話: 06-6939109或03-5918607 傳真: 06-6939056或03-5820458 電子信箱: artliao@itri.org.tw 參考網址: http://newwww.itri.org.tw/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 所須軟硬體設備: 電漿輔助有機薄膜沉積裝置 需具備之專業人才: 電子，電機，機械，物理，材料
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06-6939109 03-5918607 ... ]
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 無刷馬達：350W、輔助方式：比例式、純電動模式 | 潛力預估: 多重行車輔助模式，建立整車煞車系統功能驗證技術，作為發展系統設計之基礎
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 排氣量：373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式：四行程、汽缸數：雙缸、閥門數：4閥/缸、排列方式：V型-90、冷卻方式：水冷、燃油系統：氣道噴射、點火系統：電晶體微電腦... | 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計，稀油燃燒進氣氣道設計，EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 元件尺寸：15mm x 4mm x 30mm、工作頻率：12～20 kHz 、驅動電壓：27～35Vpk-pk、消耗功率：1mW以下、噴射液滴直徑：10～50μm(視設計需求而定)、噴射流量：最大2... | 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計，壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造，以及陣列微孔批量製造技術。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... | 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 | 潛力預估: 無
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: 主軸：功率：15 kW、最大扭力：48 Nm、最高轉速：20,000 rpm、主軸振動：3μm以內；C軸：最大扭力：1,000Nm、行程：±200°；A軸：最大扭力：800 Nm、行程：±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術，更進一步提昇高速與複合切削加工技術，領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域，提昇五軸機台品級及其附加價值，增加國際競爭力
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: ‧ 成型位置潔淨度：Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 1. Mold size: 4 and 6 inches
2. Mold material: metal, silicon and glass
3. Minimum line width≦20nm
4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命，其重要性不言而喻。其中，奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: H.E./UV Module； Imprinting size：6”； Max. pressure：60 Bar；
Max. temperature：250℃； Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛，包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域；國際半導體技術藍圖（ITRS）已於2003年正式將轉印微影技術（Imprint Lithography）列為下...
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: 自由度：3維
解析度：400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發，將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發，將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展，同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立，以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: 均熱片尺寸：30x30x2 mm
可耐熱通密度：100w/cm2
可耐熱功率：>50W | 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握，規格達國際水準，具市場競爭力。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: 定位精度：±20mm | 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備，可大幅節省設備投資，市場需求大。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: ‧電漿源： 500mm ‧ 錨定能 ： >10-5 J/m2 | 潛力預估: 非接觸式配向製程及設備為未來發展趨勢，在國外亦正研發中，市場需求殷切。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: ‧ 捲繞速度：15~30m/min ‧ 張力誤差： ± 10％ ‧ 速度誤差：± 10％ | 潛力預估: 軟性顯示器是未來顯示器發展之趨勢，本技術可整合應用於軟板製程設備中，未來市場應用範圍極為廣泛。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 無刷馬達：350W、輔助方式：比例式、純電動模式 | 潛力預估: 多重行車輔助模式，建立整車煞車系統功能驗證技術，作為發展系統設計之基礎
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 排氣量：373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式：四行程、汽缸數：雙缸、閥門數：4閥/缸、排列方式：V型-90、冷卻方式：水冷、燃油系統：氣道噴射、點火系統：電晶體微電腦... | 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計，稀油燃燒進氣氣道設計，EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 元件尺寸：15mm x 4mm x 30mm、工作頻率：12～20 kHz 、驅動電壓：27～35Vpk-pk、消耗功率：1mW以下、噴射液滴直徑：10～50μm(視設計需求而定)、噴射流量：最大2... | 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計，壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造，以及陣列微孔批量製造技術。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... | 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 | 潛力預估: 無
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: 主軸：功率：15 kW、最大扭力：48 Nm、最高轉速：20,000 rpm、主軸振動：3μm以內；C軸：最大扭力：1,000Nm、行程：±200°；A軸：最大扭力：800 Nm、行程：±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術，更進一步提昇高速與複合切削加工技術，領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域，提昇五軸機台品級及其附加價值，增加國際競爭力
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: ‧ 成型位置潔淨度：Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: 1. Mold size: 4 and 6 inches
2. Mold material: metal, silicon and glass
3. Minimum line width≦20nm
4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命，其重要性不言而喻。其中，奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: H.E./UV Module； Imprinting size：6”； Max. pressure：60 Bar；
Max. temperature：250℃； Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛，包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域；國際半導體技術藍圖（ITRS）已於2003年正式將轉印微影技術（Imprint Lithography）列為下...
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: 自由度：3維
解析度：400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發，將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發，將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展，同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立，以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: 均熱片尺寸：30x30x2 mm
可耐熱通密度：100w/cm2
可耐熱功率：>50W | 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握，規格達國際水準，具市場競爭力。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: 定位精度：±20mm | 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備，可大幅節省設備投資，市場需求大。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: ‧電漿源： 500mm ‧ 錨定能 ： >10-5 J/m2 | 潛力預估: 非接觸式配向製程及設備為未來發展趨勢，在國外亦正研發中，市場需求殷切。
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: ‧ 捲繞速度：15~30m/min ‧ 張力誤差： ± 10％ ‧ 速度誤差：± 10％ | 潛力預估: 軟性顯示器是未來顯示器發展之趨勢，本技術可整合應用於軟板製程設備中，未來市場應用範圍極為廣泛。