II型糖尿病治療潛力評估技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文II型糖尿病治療潛力評估技術的執行單位是生技中心, 產出年度是101, 計畫名稱是天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發, 技術規格是第II型糖尿病in vitro及in vivo藥理功效評估技術。, 潛力預估是可應用於II型糖尿病治療之產品研發。.

序號5494
產出年度101
技術名稱-中文II型糖尿病治療潛力評估技術
執行單位生技中心
產出單位(空)
計畫名稱天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用以II 型??病動物(high fat diet induced) 模式，評估牛樟菇粉末及牛樟菇萃取分?物，長期投藥後進?葡萄?耐受性試驗(glucose tolerance test)及空腹血?測試。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格第II型糖尿病in vitro及in vivo藥理功效評估技術。
技術成熟度其他
可應用範圍應用此平台可進行活性評估與篩選藥物。
潛力預估可應用於II型糖尿病治療之產品研發。
聯絡人員翁豐嶽
電話02-26956933#2325
傳真02- 66159990
電子信箱fyweng@mail.dcb.org.tw
參考網址http://www.dcb.org.tw/
所須軟硬體設備無菌操作台、二氧化碳培養箱、動物房等相關設備。
需具備之專業人才細胞培養及動物試驗相關背景。
同步更新日期2024-09-03

序號

5494

產出年度

101

技術名稱-中文

II型糖尿病治療潛力評估技術

執行單位

生技中心

產出單位

(空)

計畫名稱

天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

利用以II 型??病動物(high fat diet induced) 模式，評估牛樟菇粉末及牛樟菇萃取分?物，長期投藥後進?葡萄?耐受性試驗(glucose tolerance test)及空腹血?測試。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

第II型糖尿病in vitro及in vivo藥理功效評估技術。

技術成熟度

其他

可應用範圍

應用此平台可進行活性評估與篩選藥物。

潛力預估

可應用於II型糖尿病治療之產品研發。

聯絡人員

翁豐嶽

電話

02-26956933#2325

傳真

02- 66159990

電子信箱

fyweng@mail.dcb.org.tw

參考網址

http://www.dcb.org.tw/

所須軟硬體設備

無菌操作台、二氧化碳培養箱、動物房等相關設備。

需具備之專業人才

細胞培養及動物試驗相關背景。

同步更新日期

2024-09-03

根據名稱 II型糖尿病治療潛力評估技術 找到的相關資料

無其他 II型糖尿病治療潛力評估技術 資料。

[ 搜尋所有 II型糖尿病治療潛力評估技術 ... ]

根據電話 02-26956933 2325 找到的相關資料

(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 02-26956933 2325 ...)

牛樟菇指標成分分析技術與品管指標分析技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 牛樟菇子實體樣品化學及HPLC品管分析方法。 | 潛力預估: 因應未來牛樟菇菌產品品管規範之訂立。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

牛樟菇品系保護技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 牛樟菇菌種基源鑑定及品系保護技術。 | 潛力預估: 符合相關產品之檢測分析，以因應未來牛樟菇品管之規範。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

腫瘤治療潛力評估技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 肺癌in vitro及in vivo藥理功效評估技術。 | 潛力預估: 可應用於癌症治療之產品研發。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

牛樟菇指標成分分析技術與品管指標分析技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 牛樟菇子實體樣品化學及HPLC品管分析方法。 | 潛力預估: 因應未來牛樟菇菌產品品管規範之訂立。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

牛樟菇品系保護技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 牛樟菇菌種基源鑑定及品系保護技術。 | 潛力預估: 符合相關產品之檢測分析，以因應未來牛樟菇品管之規範。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

腫瘤治療潛力評估技術

執行單位: 生技中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 天然藥物發展平台-牛樟菇加值新藥開發 | 領域: | 技術規格: 肺癌in vitro及in vivo藥理功效評估技術。 | 潛力預估: 可應用於癌症治療之產品研發。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 02-26956933 2325 ... ]

在『經濟部產業技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:

與II型糖尿病治療潛力評估技術同分類的經濟部產業技術司可移轉技術資料集

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度<±15% | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_；介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度<±15% | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□_x000D_；介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V... | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓<25V | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA<2kΩμm2, 90 nm 微縮化可行性佳 | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

　|