形狀記憶發泡材料開發技術
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技術名稱-中文形狀記憶發泡材料開發技術的執行單位是塑膠中心, 產出年度是101, 計畫名稱是形狀記憶高分子複合材料開發及應用計畫, 技術規格是?密度0.03-0.08 g/cm3 ?塑形溫度介於36-38 ℃或以上 ?常溫，168小時長度形變量 ≦ 5%, 潛力預估是凡是有量身訂做或是矯正用需求之支撐墊或是襯墊皆可進行形狀記憶發泡產品之運用。.
| 序號 | 5621 |
| 產出年度 | 101 |
| 技術名稱-中文 | 形狀記憶發泡材料開發技術 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 形狀記憶高分子複合材料開發及應用計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 不同以往傳統低回彈泡綿暫時性定型之特點，本技術以聚氨酯發泡系統及聚乙烯發泡材料系統為主，提供材料具備如軟硬可調整特性及形狀永久定型之優點，可滿足人體長時間接觸之舒適感及形狀支撐性。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | ?密度0.03-0.08 g/cm3 ?塑形溫度介於36-38 ℃或以上 ?常溫，168小時長度形變量 ≦ 5% |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 除了一般常見之發泡產品運用外，可延伸至具備量身訂作之寢具、醫療及具矯正效果之輔具產品等。 |
| 潛力預估 | 凡是有量身訂做或是矯正用需求之支撐墊或是襯墊皆可進行形狀記憶發泡產品之運用。 |
| 聯絡人員 | 羅國書 |
| 電話 | 04-23595900 |
| 傳真 | 04-23508015 |
| 電子信箱 | kiii590@pidc.org.tw |
| 參考網址 | http://www.pidc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 一次(高密度)或二次(低密度)模用發泡機台、交聯發泡加工設備以及一般聚氨酯發泡設備。 |
| 需具備之專業人才 | 具備基本之模壓發泡或是聚氨酯發泡專業技術背景。 |
| 同步更新日期 | 2023-07-22 |
序號5621 |
產出年度101 |
技術名稱-中文形狀記憶發泡材料開發技術 |
執行單位塑膠中心 |
產出單位(空) |
計畫名稱形狀記憶高分子複合材料開發及應用計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文不同以往傳統低回彈泡綿暫時性定型之特點，本技術以聚氨酯發泡系統及聚乙烯發泡材料系統為主，提供材料具備如軟硬可調整特性及形狀永久定型之優點，可滿足人體長時間接觸之舒適感及形狀支撐性。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格?密度0.03-0.08 g/cm3 ?塑形溫度介於36-38 ℃或以上 ?常溫，168小時長度形變量 ≦ 5% |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍除了一般常見之發泡產品運用外，可延伸至具備量身訂作之寢具、醫療及具矯正效果之輔具產品等。 |
潛力預估凡是有量身訂做或是矯正用需求之支撐墊或是襯墊皆可進行形狀記憶發泡產品之運用。 |
聯絡人員羅國書 |
電話04-23595900 |
傳真04-23508015 |
電子信箱kiii590@pidc.org.tw |
參考網址http://www.pidc.org.tw |
所須軟硬體設備一次(高密度)或二次(低密度)模用發泡機台、交聯發泡加工設備以及一般聚氨酯發泡設備。 |
需具備之專業人才具備基本之模壓發泡或是聚氨酯發泡專業技術背景。 |
同步更新日期2023-07-22 |
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| 產出年度 | 101 |
| 領域別 | 其他 |
| 專利名稱-中文 | 引流管 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | 塑膠中心 |
| 計畫名稱 | 中部醫療器材跨領域整合暨快速開發計畫 |
| 專利發明人 | 徐中平、李明璟、張棟瑜、陳威成、薛光瑩 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | 101/11/20 |
| 證書號碼 | M440786 |
| 專利期間起 | 101/11/11 |
| 專利期間訖 | 111/04/02 |
| 專利性質 | 新型 |
| 技術摘要-中文 | 一種引流管，其包含一管本體及一軸向貫通該管本體之流道，該管本體具備撓曲性且截面呈現扁平狀，該流道之截面與管本體對應，其截面之相對較窄之一邊包含一個以上之短距段以及一個以上之寬距段；本創作之管本體的短距段之配置，確保該管本體之管內流道可以在使用過程中持續暢通，不會因為使用方法不當或壓力問題導致塞管，解決既有技術的問題。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳婉玲 |
| 電話 | 04-23595900 |
| 傳真 | 04-23508014 |
| 電子信箱 | ivy.chen@pidc.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 9308 |
| 產出年度: 101 |
| 領域別: 其他 |
| 專利名稱-中文: 引流管 |
| 執行單位: 塑膠中心 |
| 產出單位: 塑膠中心 |
| 計畫名稱: 中部醫療器材跨領域整合暨快速開發計畫 |
| 專利發明人: 徐中平、李明璟、張棟瑜、陳威成、薛光瑩 |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: 101/11/20 |
| 證書號碼: M440786 |
| 專利期間起: 101/11/11 |
| 專利期間訖: 111/04/02 |
| 專利性質: 新型 |
| 技術摘要-中文: 一種引流管，其包含一管本體及一軸向貫通該管本體之流道，該管本體具備撓曲性且截面呈現扁平狀，該流道之截面與管本體對應，其截面之相對較窄之一邊包含一個以上之短距段以及一個以上之寬距段；本創作之管本體的短距段之配置，確保該管本體之管內流道可以在使用過程中持續暢通，不會因為使用方法不當或壓力問題導致塞管，解決既有技術的問題。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳婉玲 |
| 電話: 04-23595900 |
| 傳真: 04-23508014 |
| 電子信箱: ivy.chen@pidc.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 538 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 高性能生質複材開發先期研究 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 高性能及環保塑膠之特殊材料及應用技術三年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 開發耐高溫型生質複材，建立高性能生質複材製程技術，依ISO 14855規範提高生分解特性45天>60%。建立生質複材可堆肥化測試，植物生長力試驗結束，植物存活率為90%。建立可堆肥化測試技術，對照物料種子發芽率，最低萌芽率為65%以上。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 抗彎模數可達42,000kgf/cm2以上，依ISO 14855規範提高生分解特性45天>60%。植物生長力試驗結束，植物存活率為90%。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 生分解包裝、購物袋及生分解塑膠瓶 |
| 潛力預估 | 3C產品外殼及可微波容器等具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 陳忠吾 |
| 電話 | 04-23595900*511 |
| 傳真 | 04-23508015 |
| 電子信箱 | aul@mail.pidc.org.tw |
| 參考網址 | http://w3.pidc.org.tw/rd/default.aspx |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 材料相關背景 |
| 序號: 538 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 高性能生質複材開發先期研究 |
| 執行單位: 塑膠中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 高性能及環保塑膠之特殊材料及應用技術三年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 開發耐高溫型生質複材，建立高性能生質複材製程技術，依ISO 14855規範提高生分解特性45天>60%。建立生質複材可堆肥化測試，植物生長力試驗結束，植物存活率為90%。建立可堆肥化測試技術，對照物料種子發芽率，最低萌芽率為65%以上。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 抗彎模數可達42,000kgf/cm2以上，依ISO 14855規範提高生分解特性45天>60%。植物生長力試驗結束，植物存活率為90%。 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 生分解包裝、購物袋及生分解塑膠瓶 |
| 潛力預估: 3C產品外殼及可微波容器等具市場潛力 |
| 聯絡人員: 陳忠吾 |
| 電話: 04-23595900*511 |
| 傳真: 04-23508015 |
| 電子信箱: aul@mail.pidc.org.tw |
| 參考網址: http://w3.pidc.org.tw/rd/default.aspx |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 材料相關背景 |
| 序號 | 539 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 奈米級生物可分解塑膠材料技術開發 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 高性能及環保塑膠之特殊材料及應用技術三年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 開發奈米黏土/生分解塑膠複材，建立奈米生分解塑膠新製程技術，提高原材料阻氣性40%以上及建立奈米黏土/生分解塑膠複材混成技術，提昇原材料抗UV性50%以上。完成評估五種以上不同黏土及二種以上改質劑黏土添加量 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 拉力強度可達450kgf/cm2以上，撕裂強度可達10kgf/cm2以上。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 生分解抗UV容器瓶 |
| 潛力預估 | 汽車內裝材 |
| 聯絡人員 | 沈曉復 |
| 電話 | 04-23595900*505 |
| 傳真 | 04-23508015 |
| 電子信箱 | hfshen@mail.pidc.org.tw |
| 參考網址 | http://w3.pidc.org.tw/rd/default.aspx |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 材料相關背景 |
| 序號: 539 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 奈米級生物可分解塑膠材料技術開發 |
| 執行單位: 塑膠中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 高性能及環保塑膠之特殊材料及應用技術三年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 開發奈米黏土/生分解塑膠複材，建立奈米生分解塑膠新製程技術，提高原材料阻氣性40%以上及建立奈米黏土/生分解塑膠複材混成技術，提昇原材料抗UV性50%以上。完成評估五種以上不同黏土及二種以上改質劑黏土添加量 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 拉力強度可達450kgf/cm2以上，撕裂強度可達10kgf/cm2以上。 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 生分解抗UV容器瓶 |
| 潛力預估: 汽車內裝材 |
| 聯絡人員: 沈曉復 |
| 電話: 04-23595900*505 |
| 傳真: 04-23508015 |
| 電子信箱: hfshen@mail.pidc.org.tw |
| 參考網址: http://w3.pidc.org.tw/rd/default.aspx |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 材料相關背景 |
| 序號 | 928 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 奈米碳管生質複材混練改質分散技術 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 生質複材應用及可堆肥化技術開發計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 為了增加奈米碳管的溶解性與分散性，並可進一步藉由表面官能基化或接枝改質增加與生質基材產生二級作用力以上之反應，在奈米碳管表面結構產生氧化作用，破壞奈米碳管石墨層之五圓環與六圓環碳原子結構，形成切斷效應，並羧化奈米碳管，使得奈米碳管與生質基材的導電度以及機械強度能顯現出來 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1.開發多層奈米碳管生質複材母粒製得抗靜電薄膜表面電阻＜108Ω/square 奈米碳管添加量＜10％。2.射出成型機械強度可提升30％以上，抗彎模數可達40,000kgf/cm2以上。3.製得抗靜電薄膜表面電阻率＜108Ω/square。 |
| 技術成熟度 | (空) |
| 可應用範圍 | 資訊、電子、通訊、光電產品外殼用材、靜電包裝保護膜以及汽車內飾用材等高強度生質複合材料產品。本計劃發展生質材料不但可提高產品功能性及附加價值，且符合環保訴求。 |
| 潛力預估 | 3C產品外殼及 汽車內飾用等具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 陳忠吾 |
| 電話 | 04-23595900*511 |
| 傳真 | 04-23508015 |
| 電子信箱 | aul@mail.pidc.org.tw |
| 參考網址 | http://w3.pidc.org.tw/rd/default.aspx |
| 所須軟硬體設備 | 材料相關背景 |
| 需具備之專業人才 | 生技製藥相關背景 |
| 序號: 928 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 奈米碳管生質複材混練改質分散技術 |
| 執行單位: 塑膠中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 生質複材應用及可堆肥化技術開發計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 為了增加奈米碳管的溶解性與分散性，並可進一步藉由表面官能基化或接枝改質增加與生質基材產生二級作用力以上之反應，在奈米碳管表面結構產生氧化作用，破壞奈米碳管石墨層之五圓環與六圓環碳原子結構，形成切斷效應，並羧化奈米碳管，使得奈米碳管與生質基材的導電度以及機械強度能顯現出來 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 1.開發多層奈米碳管生質複材母粒製得抗靜電薄膜表面電阻＜108Ω/square 奈米碳管添加量＜10％。2.射出成型機械強度可提升30％以上，抗彎模數可達40,000kgf/cm2以上。3.製得抗靜電薄膜表面電阻率＜108Ω/square。 |
| 技術成熟度: (空) |
| 可應用範圍: 資訊、電子、通訊、光電產品外殼用材、靜電包裝保護膜以及汽車內飾用材等高強度生質複合材料產品。本計劃發展生質材料不但可提高產品功能性及附加價值，且符合環保訴求。 |
| 潛力預估: 3C產品外殼及 汽車內飾用等具市場潛力 |
| 聯絡人員: 陳忠吾 |
| 電話: 04-23595900*511 |
| 傳真: 04-23508015 |
| 電子信箱: aul@mail.pidc.org.tw |
| 參考網址: http://w3.pidc.org.tw/rd/default.aspx |
| 所須軟硬體設備: 材料相關背景 |
| 需具備之專業人才: 生技製藥相關背景 |
| 序號 | 929 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 生質複材可堆肥化技術測試 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 生質複材應用及可堆肥化技術開發計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 建立符合國際規範可堆肥化（ASTM D6400）生質複材測試技術，符合國際高性能環保材料，走向可堆肥化趨勢，進而提高國內環保產業可堆肥化技術。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1.奈米碳管生質複材製程，依ISO 14855規範，提高生分解特性45天＞70％。2.奈米碳管生質複材生分解測試，CO2排放量60天＞80％。3.符合國際規範可堆肥化(ASTM D6400)實驗室生物分解率測試。4.生質複材種子發芽率PLA為95%，聚酯類為100%。5.毒性測試重金屬成份符合環保標章限值規定。 |
| 技術成熟度 | (空) |
| 可應用範圍 | 高功能性包裝材料、食品容器、工業、農業、漁業資材、休閒用品、生活用品、汽車內飾用材、3C電子產品等。 |
| 潛力預估 | 3C產品外殼及 汽車內飾用等具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 陳忠吾 |
| 電話 | 04-23595900*511 |
| 傳真 | 04-23508015 |
| 電子信箱 | aul@mail.pidc.org.tw |
| 參考網址 | http://w3.pidc.org.tw/rd/default.aspx |
| 所須軟硬體設備 | 材料相關背景 |
| 需具備之專業人才 | 生技製藥相關背景 |
| 序號: 929 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 生質複材可堆肥化技術測試 |
| 執行單位: 塑膠中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 生質複材應用及可堆肥化技術開發計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 建立符合國際規範可堆肥化（ASTM D6400）生質複材測試技術，符合國際高性能環保材料，走向可堆肥化趨勢，進而提高國內環保產業可堆肥化技術。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 1.奈米碳管生質複材製程，依ISO 14855規範，提高生分解特性45天＞70％。2.奈米碳管生質複材生分解測試，CO2排放量60天＞80％。3.符合國際規範可堆肥化(ASTM D6400)實驗室生物分解率測試。4.生質複材種子發芽率PLA為95%，聚酯類為100%。5.毒性測試重金屬成份符合環保標章限值規定。 |
| 技術成熟度: (空) |
| 可應用範圍: 高功能性包裝材料、食品容器、工業、農業、漁業資材、休閒用品、生活用品、汽車內飾用材、3C電子產品等。 |
| 潛力預估: 3C產品外殼及 汽車內飾用等具市場潛力 |
| 聯絡人員: 陳忠吾 |
| 電話: 04-23595900*511 |
| 傳真: 04-23508015 |
| 電子信箱: aul@mail.pidc.org.tw |
| 參考網址: http://w3.pidc.org.tw/rd/default.aspx |
| 所須軟硬體設備: 材料相關背景 |
| 需具備之專業人才: 生技製藥相關背景 |
| 序號 | 1847 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 無鹵耐燃ABS組成物及無鹵耐燃ABS/PC組成物技術 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 高性能及高功能性生質複材開發及應用計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 回收廢家電冰箱內襯及廢光碟之ABS碎片，添加不含鹵素配方，再製成可達UL-94V0標準之無鹵難燃之環保高級材料。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 可達國際難燃測試UL-94 V-0 |
| 技術成熟度 | 量產 |
| 可應用範圍 | 可應用於家電、3C用品外殼 |
| 潛力預估 | 技轉合作廠商積極拓展市場,預計未來可取代難燃PC/ABS及ABS市場。 |
| 聯絡人員 | 陳忠吾 |
| 電話 | 04-23595900-511 |
| 傳真 | 04-23508014 |
| 電子信箱 | aul@pidc.org.tw |
| 參考網址 | www.pidc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 除濕乾燥機、雙螺桿押出機、射出機 。 |
| 需具備之專業人才 | 化工或高分子相關背景 |
| 序號: 1847 |
| 產出年度: 95 |
| 技術名稱-中文: 無鹵耐燃ABS組成物及無鹵耐燃ABS/PC組成物技術 |
| 執行單位: 塑膠中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 高性能及高功能性生質複材開發及應用計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 回收廢家電冰箱內襯及廢光碟之ABS碎片，添加不含鹵素配方，再製成可達UL-94V0標準之無鹵難燃之環保高級材料。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 可達國際難燃測試UL-94 V-0 |
| 技術成熟度: 量產 |
| 可應用範圍: 可應用於家電、3C用品外殼 |
| 潛力預估: 技轉合作廠商積極拓展市場,預計未來可取代難燃PC/ABS及ABS市場。 |
| 聯絡人員: 陳忠吾 |
| 電話: 04-23595900-511 |
| 傳真: 04-23508014 |
| 電子信箱: aul@pidc.org.tw |
| 參考網址: www.pidc.org.tw |
| 所須軟硬體設備: 除濕乾燥機、雙螺桿押出機、射出機 。 |
| 需具備之專業人才: 化工或高分子相關背景 |
| 序號 | 1848 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 高強度聚乳酸成型技術移轉技術 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 高性能及高功能性生質複材開發及應用計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 經由已開發之高強度聚乳酸配方及押出成型生產製程，大幅開拓市場應用面，輔導業者建立技術移轉產品之生產製程。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 熱變形溫度或軟化點可達120-130℃，抗彎模數85,000kg.cm/cm2，約尼龍加30%玻纖之強度 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 食品包裝容器，3C家電及汽車等材料 |
| 潛力預估 | 接受技轉廠商已積極拓展市場, 預估相關產品將於2007年末推出, 預估初期將有4千萬/年的產值。 |
| 聯絡人員 | 陳忠吾 |
| 電話 | 04-23595900-512 |
| 傳真 | 04-23508015 |
| 電子信箱 | aul@pidc.org.tw |
| 參考網址 | www.pidc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 除濕乾燥機、萬馬力機、雙螺桿押出機、薄板押出機、真空壓空成型機。 |
| 需具備之專業人才 | 化工或高分子相關背景 |
| 序號: 1848 |
| 產出年度: 95 |
| 技術名稱-中文: 高強度聚乳酸成型技術移轉技術 |
| 執行單位: 塑膠中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 高性能及高功能性生質複材開發及應用計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 經由已開發之高強度聚乳酸配方及押出成型生產製程，大幅開拓市場應用面，輔導業者建立技術移轉產品之生產製程。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 熱變形溫度或軟化點可達120-130℃，抗彎模數85,000kg.cm/cm2，約尼龍加30%玻纖之強度 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 食品包裝容器，3C家電及汽車等材料 |
| 潛力預估: 接受技轉廠商已積極拓展市場, 預估相關產品將於2007年末推出, 預估初期將有4千萬/年的產值。 |
| 聯絡人員: 陳忠吾 |
| 電話: 04-23595900-512 |
| 傳真: 04-23508015 |
| 電子信箱: aul@pidc.org.tw |
| 參考網址: www.pidc.org.tw |
| 所須軟硬體設備: 除濕乾燥機、萬馬力機、雙螺桿押出機、薄板押出機、真空壓空成型機。 |
| 需具備之專業人才: 化工或高分子相關背景 |
| 序號 | 1849 |
| 產出年度 | 95 |
| 技術名稱-中文 | 高耐熱型聚乳酸成型技術移轉技術 |
| 執行單位 | 塑膠中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 高性能及高功能性生質複材開發及應用計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 經由已開發之高耐熱型聚乳酸配方及押出成型生產製程，大幅開拓市場應用面，輔導業者建立技術移轉耐熱型聚乳酸產品之生產製程。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 熱變形溫度或軟化點可達130-140℃ |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 食品包裝容器，3C家電及汽車等材料 |
| 潛力預估 | 接受技轉廠商已積極拓展市場, 預估相關產品將於2007年末推出, 預估初期將有5千萬/年的產值。 |
| 聯絡人員 | 陳忠吾 |
| 電話 | 04-23595900-512 |
| 傳真 | 04-23508015 |
| 電子信箱 | aul@pidc.org.tw |
| 參考網址 | www.pidc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 除濕乾燥機、萬馬力機、雙螺桿押出機、薄板押出機、真空壓空成型機。 |
| 需具備之專業人才 | 化工或高分子相關背景 |
| 序號: 1849 |
| 產出年度: 95 |
| 技術名稱-中文: 高耐熱型聚乳酸成型技術移轉技術 |
| 執行單位: 塑膠中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 高性能及高功能性生質複材開發及應用計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 經由已開發之高耐熱型聚乳酸配方及押出成型生產製程，大幅開拓市場應用面，輔導業者建立技術移轉耐熱型聚乳酸產品之生產製程。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 熱變形溫度或軟化點可達130-140℃ |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 食品包裝容器，3C家電及汽車等材料 |
| 潛力預估: 接受技轉廠商已積極拓展市場, 預估相關產品將於2007年末推出, 預估初期將有5千萬/年的產值。 |
| 聯絡人員: 陳忠吾 |
| 電話: 04-23595900-512 |
| 傳真: 04-23508015 |
| 電子信箱: aul@pidc.org.tw |
| 參考網址: www.pidc.org.tw |
| 所須軟硬體設備: 除濕乾燥機、萬馬力機、雙螺桿押出機、薄板押出機、真空壓空成型機。 |
| 需具備之專業人才: 化工或高分子相關背景 |
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04-23595900 ... ]
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 4.1” Pixel number： 320 x 3 x240 Resolution：QVGA 降低導線阻值為原來65% | 潛力預估: 此技術與現有量產廠技術及設備相容，可迅速導入量產，且適用於各類顯示器產品，市場 接受性高 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Ga | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後，整體產品的價格也會隨之下降，故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手，若純就製程技術觀點出發，在不增加任何設備支出的前提下，本技術不失為是一直接... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術，元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜，除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞， 又可以節省大量的結晶設備成本，而得到高效能之元件特性，實為一兩全其美之方法，因本技術成果極具吸引力，可望吸引... |
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