3DIC元件與模組電路驗證技術
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技術名稱-中文3DIC元件與模組電路驗證技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是102, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 技術規格是1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 1.1 TV(Through Via) modeling analysis 1.2 TV electrical analysis 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發 2.1 I/O 開發(≧200MHz,≦30pj/bit/pin @1...., 潛力預估是面對長久以來電子產品的需求與發展,始終都是往小型(薄型)化、高度整合、高效率、低成本、低功耗、即時上市(time-to-market)等發展趨勢,3DIC有極佳的優勢。 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4....

序號6288
產出年度102
技術名稱-中文3DIC元件與模組電路驗證技術
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 1.1 TV(Through Via) modeling analysis 1.2 TV electrical analysis 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發 2.1 I/O 開發(≧200MHz,≦30pj/bit/pin @1.8V)
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍記憶體和記憶體堆疊電路設計
潛力預估面對長久以來電子產品的需求與發展,始終都是往小型(薄型)化、高度整合、高效率、低成本、低功耗、即時上市(time-to-market)等發展趨勢,3DIC有極佳的優勢。 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱stephen.chung@itri.org.tw
參考網址http://none
所須軟硬體設備
需具備之專業人才須具半導體製造或封裝能力,或相關應用之設計能力

序號

6288

產出年度

102

技術名稱-中文

3DIC元件與模組電路驗證技術

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 1.1 TV(Through Via) modeling analysis 1.2 TV electrical analysis 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發 2.1 I/O 開發(≧200MHz,≦30pj/bit/pin @1.8V)

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

記憶體和記憶體堆疊電路設計

潛力預估

面對長久以來電子產品的需求與發展,始終都是往小型(薄型)化、高度整合、高效率、低成本、低功耗、即時上市(time-to-market)等發展趨勢,3DIC有極佳的優勢。 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

stephen.chung@itri.org.tw

參考網址

http://none

所須軟硬體設備

需具備之專業人才

須具半導體製造或封裝能力,或相關應用之設計能力

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3DIC元件與模組電路驗證技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) -TV(Through Via) modeling analysis -TV electrical analysis 新型非揮發性記憶體I/O技... | 潛力預估: 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。

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3DIC元件與模組電路驗證技術

執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) -TV(Through Via) modeling analysis -TV electrical analysis 新型非揮發性記憶體I/O技... | 潛力預估: 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。

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3DIC元件與模組電路驗證技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) -TV(Through Via) modeling analysis -TV electrical analysis 新型非揮發性記憶體I/O技... | 潛力預估: 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。

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3DIC元件與模組電路驗證技術

執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) -TV(Through Via) modeling analysis -TV electrical analysis 新型非揮發性記憶體I/O技... | 潛力預估: 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610058803.8 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,397,584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8397584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏

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讀?放大器

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610071485.9 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/23 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 張嘉伯 | 林志昇 | 蘇耿立

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高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,577,017 | 專利期間起: 98/08/18 | 專利期間訖: 115/10/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲

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磁性記憶體之資料讀取電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,646,635 | 專利期間起: 99/01/12 | 專利期間訖: 117/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥 | 王丁勇

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磁電阻性隨機存取記憶體裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I330844 | 專利期間起: 1999/9/21 | 專利期間訖: 116/05/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I343574 | 專利期間起: 100/06/11 | 專利期間訖: 115/03/02 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610058803.8 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,397,584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏

@ 技術司專利資料集

機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8397584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏

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讀?放大器

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610071485.9 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/23 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 張嘉伯 | 林志昇 | 蘇耿立

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高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,577,017 | 專利期間起: 98/08/18 | 專利期間訖: 115/10/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲

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磁性記憶體之資料讀取電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,646,635 | 專利期間起: 99/01/12 | 專利期間訖: 117/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥 | 王丁勇

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磁電阻性隨機存取記憶體裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I330844 | 專利期間起: 1999/9/21 | 專利期間訖: 116/05/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲

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用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I343574 | 專利期間起: 100/06/11 | 專利期間訖: 115/03/02 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌

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微脈動噴油技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 陣列微泵浦:熱泡式無閥構造,晶片尺寸5.5x7.8mm,設80個微泵浦,噴孔徑80μm,可使用無鉛汽油。陣列微孔噴射泵浦:壓電板式無閥結構,噴孔板14x17mm,噴孔徑50μm,可噴射汽油,噴射裝置:... | 潛力預估:

自行車傳/制動系統技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 27速Index System, 內變速器, Roller Brake、HCF動態疲勞測試、整車煞車系統測試(DIN-79100) | 潛力預估: 可運用系統化的創新專利設計流程,有效建立產品之專利技術,建立傳/制動系統功能驗證技術,作為發展系統設計

自行車電動助力模組

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 無刷馬達:350W、輔助方式:比例式、純電動模式 | 潛力預估: 多重行車輔助模式,建立整車煞車系統功能驗證技術,作為發展系統設計之基礎

375c.c.四行程稀薄燃燒引擎

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 排氣量:373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式:四行程、汽缸數:雙缸、閥門數:4閥/缸、排列方式:V型-90、冷卻方式:水冷、燃油系統:氣道噴射、點火系統:電晶體微電腦... | 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計,稀油燃燒進氣氣道設計,EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制

液滴噴射暨噴霧產生之微型泵浦

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:15mm x 4mm x 30mm、工作頻率:12~20 kHz 、驅動電壓:27~35Vpk-pk、消耗功率:1mW以下、噴射液滴直徑:10~50μm(視設計需求而定)、噴射流量:最大2... | 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計,壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造,以及陣列微孔批量製造技術。

車載資訊系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... | 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術

自動離合手排變速箱(AcMT)技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 | 潛力預估:

兩軸旋轉主軸頭

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 主軸:功率:15 kW、最大扭力:48 Nm、最高轉速:20,000 rpm、主軸振動:3μm以內;C軸:最大扭力:1,000Nm、行程:±200°;A軸:最大扭力:800 Nm、行程:±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術,更進一步提昇高速與複合切削加工技術,領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域,提昇五軸機台品級及其附加價值,增加國際競爭力

精密微量射出成型模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度:Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計

電子束加工及模具製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches 2. Mold material: metal, silicon and glass 3. Minimum line width≦20nm 4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命,其重要性不言而喻。其中,奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...

奈米轉印設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: H.E./UV Module; Imprinting size:6”; Max. pressure:60 Bar; Max. temperature:250℃; Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛,包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域;國際半導體技術藍圖(ITRS)已於2003年正式將轉印微影技術(Imprint Lithography)列為下...

微慣性感測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 自由度:3維 解析度:400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發,將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。

微霧化器

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發,將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展,同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立,以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。

微均熱片

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 均熱片尺寸:30x30x2 mm 可耐熱通密度:100w/cm2 可耐熱功率:>50W | 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握,規格達國際水準,具市場競爭力。

TFT ARRAY製造設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 定位精度:±20mm | 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備,可大幅節省設備投資,市場需求大。

微脈動噴油技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 陣列微泵浦:熱泡式無閥構造,晶片尺寸5.5x7.8mm,設80個微泵浦,噴孔徑80μm,可使用無鉛汽油。陣列微孔噴射泵浦:壓電板式無閥結構,噴孔板14x17mm,噴孔徑50μm,可噴射汽油,噴射裝置:... | 潛力預估:

自行車傳/制動系統技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 27速Index System, 內變速器, Roller Brake、HCF動態疲勞測試、整車煞車系統測試(DIN-79100) | 潛力預估: 可運用系統化的創新專利設計流程,有效建立產品之專利技術,建立傳/制動系統功能驗證技術,作為發展系統設計

自行車電動助力模組

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 無刷馬達:350W、輔助方式:比例式、純電動模式 | 潛力預估: 多重行車輔助模式,建立整車煞車系統功能驗證技術,作為發展系統設計之基礎

375c.c.四行程稀薄燃燒引擎

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 排氣量:373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式:四行程、汽缸數:雙缸、閥門數:4閥/缸、排列方式:V型-90、冷卻方式:水冷、燃油系統:氣道噴射、點火系統:電晶體微電腦... | 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計,稀油燃燒進氣氣道設計,EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制

液滴噴射暨噴霧產生之微型泵浦

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:15mm x 4mm x 30mm、工作頻率:12~20 kHz 、驅動電壓:27~35Vpk-pk、消耗功率:1mW以下、噴射液滴直徑:10~50μm(視設計需求而定)、噴射流量:最大2... | 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計,壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造,以及陣列微孔批量製造技術。

車載資訊系統

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... | 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術

自動離合手排變速箱(AcMT)技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 | 潛力預估:

兩軸旋轉主軸頭

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 主軸:功率:15 kW、最大扭力:48 Nm、最高轉速:20,000 rpm、主軸振動:3μm以內;C軸:最大扭力:1,000Nm、行程:±200°;A軸:最大扭力:800 Nm、行程:±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術,更進一步提昇高速與複合切削加工技術,領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域,提昇五軸機台品級及其附加價值,增加國際競爭力

精密微量射出成型模組技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度:Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計

電子束加工及模具製造技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches 2. Mold material: metal, silicon and glass 3. Minimum line width≦20nm 4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命,其重要性不言而喻。其中,奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其...

奈米轉印設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: H.E./UV Module; Imprinting size:6”; Max. pressure:60 Bar; Max. temperature:250℃; Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛,包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域;國際半導體技術藍圖(ITRS)已於2003年正式將轉印微影技術(Imprint Lithography)列為下...

微慣性感測技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 自由度:3維 解析度:400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發,將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。

微霧化器

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發,將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展,同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立,以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。

微均熱片

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 均熱片尺寸:30x30x2 mm 可耐熱通密度:100w/cm2 可耐熱功率:>50W | 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握,規格達國際水準,具市場競爭力。

TFT ARRAY製造設備技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 定位精度:±20mm | 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備,可大幅節省設備投資,市場需求大。

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