技術名稱-中文3DIC元件與模組電路驗證技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是102, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 技術規格是1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 1.1 TV(Through Via) modeling analysis 1.2 TV electrical analysis 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發 2.1 I/O 開發(≧200MHz,≦30pj/bit/pin @1...., 潛力預估是面對長久以來電子產品的需求與發展,始終都是往小型(薄型)化、高度整合、高效率、低成本、低功耗、即時上市(time-to-market)等發展趨勢,3DIC有極佳的優勢。 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4....
序號 | 6288 |
產出年度 | 102 |
技術名稱-中文 | 3DIC元件與模組電路驗證技術 |
執行單位 | 工研院電光所 |
產出單位 | (空) |
計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
領域 | (空) |
已申請專利之國家 | (空) |
已獲得專利之國家 | (空) |
技術現況敘述-中文 | 1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發 |
技術現況敘述-英文 | (空) |
技術規格 | 1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 1.1 TV(Through Via) modeling analysis 1.2 TV electrical analysis 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發 2.1 I/O 開發(≧200MHz,≦30pj/bit/pin @1.8V) |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
可應用範圍 | 記憶體和記憶體堆疊電路設計 |
潛力預估 | 面對長久以來電子產品的需求與發展,始終都是往小型(薄型)化、高度整合、高效率、低成本、低功耗、即時上市(time-to-market)等發展趨勢,3DIC有極佳的優勢。 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。 |
聯絡人員 | 鍾佩翰 |
電話 | 03-5912777 |
傳真 | 03-5917690 |
電子信箱 | stephen.chung@itri.org.tw |
參考網址 | http://none |
所須軟硬體設備 | 無 |
需具備之專業人才 | 須具半導體製造或封裝能力,或相關應用之設計能力 |
序號6288 |
產出年度102 |
技術名稱-中文3DIC元件與模組電路驗證技術 |
執行單位工研院電光所 |
產出單位(空) |
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格1. 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) 1.1 TV(Through Via) modeling analysis 1.2 TV electrical analysis 2. 新型非揮發性記憶體I/O技術開發 2.1 I/O 開發(≧200MHz,≦30pj/bit/pin @1.8V) |
技術成熟度實驗室階段 |
可應用範圍記憶體和記憶體堆疊電路設計 |
潛力預估面對長久以來電子產品的需求與發展,始終都是往小型(薄型)化、高度整合、高效率、低成本、低功耗、即時上市(time-to-market)等發展趨勢,3DIC有極佳的優勢。 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。 |
聯絡人員鍾佩翰 |
電話03-5912777 |
傳真03-5917690 |
電子信箱stephen.chung@itri.org.tw |
參考網址http://none |
所須軟硬體設備無 |
需具備之專業人才須具半導體製造或封裝能力,或相關應用之設計能力 |
| 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) -TV(Through Via) modeling analysis -TV electrical analysis 新型非揮發性記憶體I/O技... | 潛力預估: 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) -TV(Through Via) modeling analysis -TV electrical analysis 新型非揮發性記憶體I/O技... | 潛力預估: 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) -TV(Through Via) modeling analysis -TV electrical analysis 新型非揮發性記憶體I/O技... | 潛力預估: 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 3DIC 主動驗證技術開發(含中介層驗證技術) -TV(Through Via) modeling analysis -TV electrical analysis 新型非揮發性記憶體I/O技... | 潛力預估: 根據半導體市場研究機構的預測,TSV堆疊DRAM將在近年陸續小量進入市場,2013年TSV堆疊構裝的產品將佔半導體整體需求量的 4% ~ 5%,頗具潛力。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,397,584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 8397584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610071485.9 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/23 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 張嘉伯 | 林志昇 | 蘇耿立 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,577,017 | 專利期間起: 98/08/18 | 專利期間訖: 115/10/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,646,635 | 專利期間起: 99/01/12 | 專利期間訖: 117/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥 | 王丁勇 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I330844 | 專利期間起: 1999/9/21 | 專利期間訖: 116/05/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I343574 | 專利期間起: 100/06/11 | 專利期間訖: 115/03/02 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610058803.8 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,397,584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 8397584 | 專利期間起: 102/03/19 | 專利期間訖: 120/03/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: 謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200610071485.9 | 專利期間起: 1999/5/12 | 專利期間訖: 115/03/23 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 張嘉伯 | 林志昇 | 蘇耿立 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,577,017 | 專利期間起: 98/08/18 | 專利期間訖: 115/10/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,646,635 | 專利期間起: 99/01/12 | 專利期間訖: 117/08/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥 | 王丁勇 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I330844 | 專利期間起: 1999/9/21 | 專利期間訖: 116/05/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 李元仁 | 高明哲 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I343574 | 專利期間起: 100/06/11 | 專利期間訖: 115/03/02 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 李元仁 | 王連昌 @ 技術司專利資料集 |
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| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 陣列微泵浦:熱泡式無閥構造,晶片尺寸5.5x7.8mm,設80個微泵浦,噴孔徑80μm,可使用無鉛汽油。陣列微孔噴射泵浦:壓電板式無閥結構,噴孔板14x17mm,噴孔徑50μm,可噴射汽油,噴射裝置:... | 潛力預估: 無 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 27速Index System, 內變速器, Roller Brake、HCF動態疲勞測試、整車煞車系統測試(DIN-79100) | 潛力預估: 可運用系統化的創新專利設計流程,有效建立產品之專利技術,建立傳/制動系統功能驗證技術,作為發展系統設計 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 無刷馬達:350W、輔助方式:比例式、純電動模式 | 潛力預估: 多重行車輔助模式,建立整車煞車系統功能驗證技術,作為發展系統設計之基礎 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 排氣量:373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式:四行程、汽缸數:雙缸、閥門數:4閥/缸、排列方式:V型-90、冷卻方式:水冷、燃油系統:氣道噴射、點火系統:電晶體微電腦... | 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計,稀油燃燒進氣氣道設計,EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:15mm x 4mm x 30mm、工作頻率:12~20 kHz 、驅動電壓:27~35Vpk-pk、消耗功率:1mW以下、噴射液滴直徑:10~50μm(視設計需求而定)、噴射流量:最大2... | 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計,壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造,以及陣列微孔批量製造技術。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... | 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 | 潛力預估: 無 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 主軸:功率:15 kW、最大扭力:48 Nm、最高轉速:20,000 rpm、主軸振動:3μm以內;C軸:最大扭力:1,000Nm、行程:±200°;A軸:最大扭力:800 Nm、行程:±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術,更進一步提昇高速與複合切削加工技術,領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域,提昇五軸機台品級及其附加價值,增加國際競爭力 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度:Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches
2. Mold material: metal, silicon and glass
3. Minimum line width≦20nm
4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命,其重要性不言而喻。其中,奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其... |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: H.E./UV Module; Imprinting size:6”; Max. pressure:60 Bar;
Max. temperature:250℃; Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛,包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域;國際半導體技術藍圖(ITRS)已於2003年正式將轉印微影技術(Imprint Lithography)列為下... |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 自由度:3維
解析度:400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發,將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發,將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展,同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立,以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 均熱片尺寸:30x30x2 mm
可耐熱通密度:100w/cm2
可耐熱功率:>50W | 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握,規格達國際水準,具市場競爭力。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 定位精度:±20mm | 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備,可大幅節省設備投資,市場需求大。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 陣列微泵浦:熱泡式無閥構造,晶片尺寸5.5x7.8mm,設80個微泵浦,噴孔徑80μm,可使用無鉛汽油。陣列微孔噴射泵浦:壓電板式無閥結構,噴孔板14x17mm,噴孔徑50μm,可噴射汽油,噴射裝置:... | 潛力預估: 無 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 27速Index System, 內變速器, Roller Brake、HCF動態疲勞測試、整車煞車系統測試(DIN-79100) | 潛力預估: 可運用系統化的創新專利設計流程,有效建立產品之專利技術,建立傳/制動系統功能驗證技術,作為發展系統設計 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 無刷馬達:350W、輔助方式:比例式、純電動模式 | 潛力預估: 多重行車輔助模式,建立整車煞車系統功能驗證技術,作為發展系統設計之基礎 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 排氣量:373c.c(Bore 60mm* Stroke 66mm)、引擎型式:四行程、汽缸數:雙缸、閥門數:4閥/缸、排列方式:V型-90、冷卻方式:水冷、燃油系統:氣道噴射、點火系統:電晶體微電腦... | 潛力預估: 小型低速雙缸四行程噴射引擎系統設計,稀油燃燒進氣氣道設計,EMS開迴路控制、循序燃油控制與循序引擎點火控制 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:15mm x 4mm x 30mm、工作頻率:12~20 kHz 、驅動電壓:27~35Vpk-pk、消耗功率:1mW以下、噴射液滴直徑:10~50μm(視設計需求而定)、噴射流量:最大2... | 潛力預估: 薄膜隔離之腔體設計,壓電片與噴孔片間壓力室和導流構造,以及陣列微孔批量製造技術。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 構裝:1 DIN或更小尺吋、最大消耗功率:小於3瓦、休眠消耗電流:小於20mA@12V DC、作業系統:Windows CE 4.2 core version、CPU: ARM Based 200MH... | 潛力預估: ITS/Telematics數位內容服務整合技術、先進安全車輛整合技術 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進車輛系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術可使用於300Nm以下之手排車。 | 潛力預估: 無 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 主軸:功率:15 kW、最大扭力:48 Nm、最高轉速:20,000 rpm、主軸振動:3μm以內;C軸:最大扭力:1,000Nm、行程:±200°;A軸:最大扭力:800 Nm、行程:±95° | 潛力預估: 直接驅動技術結合兩軸旋轉模組技術、智能型主軸技術等關鍵技術,更進一步提昇高速與複合切削加工技術,領導業界邁向直接驅動高速五軸關聯技術領域,提昇五軸機台品級及其附加價值,增加國際競爭力 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密機械技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 成型位置潔淨度:Class 1,000 (U.S. Federal Standard) 、最大射速1000mm/sec、鎖模力200噸 | 潛力預估: 替代全潔淨室的局部潔淨艙設計、大功率、高射速的電氣驅動射出成型、WinCE視窗系統的PC-Based控制器設計 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Mold size: 4 and 6 inches
2. Mold material: metal, silicon and glass
3. Minimum line width≦20nm
4... | 潛力預估: 奈米技術被喻為第四波的工業革命,其重要性不言而喻。其中,奈米模仁的製造技術對於是否能將產品商業化扮演一重要角色。而電子束微影技術與乾蝕刻是奈米模仁最重要的加工技術之一。舉凡電子、光電、生醫等領域都有其... |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: H.E./UV Module; Imprinting size:6”; Max. pressure:60 Bar;
Max. temperature:250℃; Microwave rapid hea... | 潛力預估: 奈米轉印技術應用領域相當廣泛,包括生醫元件、光電顯示器、資料儲存媒體以及奈米電子等領域;國際半導體技術藍圖(ITRS)已於2003年正式將轉印微影技術(Imprint Lithography)列為下... |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 自由度:3維
解析度:400CPI | 潛力預估: 若能達成高解析度的滑鼠開發,將有機會成為電腦輸入裝置的另一種選擇。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 霧化粒徑SMD | 潛力預估: 本技術的研發,將有助於國內吸入式藥物傳輸系統的發展,同時也促使國內在微機電相關產業之週邊技術的建立,以提高我國在生技與醫療器材領域的競爭力。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 均熱片尺寸:30x30x2 mm
可耐熱通密度:100w/cm2
可耐熱功率:>50W | 潛力預估: 製造技術可完全自行掌握,規格達國際水準,具市場競爭力。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 定位精度:±20mm | 潛力預估: 未來若完成電極圖案新製程設備,可大幅節省設備投資,市場需求大。 |
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