低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是102, 計畫名稱是行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫, 技術規格是於180℃製程溫度下，薄膜片電阻可達50Ω/□，可見光穿透率~85%。, 潛力預估是低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術建立，進一步衍生應用於光電顯示元件之表面功能性光學薄膜加工應用，以擴大材料平台應用範疇及發揮平台綜效，並在製程上將可不受基板型態限制，可以低溫直接噴印於高分子基板上，大幅提升製程之可應用性與經濟效益。.
| 序號 | 6319 |
| 產出年度 | 102 |
| 技術名稱-中文 | 低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術 |
| 執行單位 | 工研院材化所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 藉由新材料設計開發克服氧化物解離效率差、鍍膜效率不佳上的問題，建立低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術，並以金屬粒子與導電氧化物混合系統，完成薄膜特性。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 於180℃製程溫度下，薄膜片電阻可達50Ω/□，可見光穿透率~85%。 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 觸控面板、太陽能導電玻璃或其他軟性光電產業，另外亦可應用於節能建材產品上。 |
| 潛力預估 | 低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術建立，進一步衍生應用於光電顯示元件之表面功能性光學薄膜加工應用，以擴大材料平台應用範疇及發揮平台綜效，並在製程上將可不受基板型態限制，可以低溫直接噴印於高分子基板上，大幅提升製程之可應用性與經濟效益。 |
| 聯絡人員 | 林晉慶 |
| 電話 | 03-5918751 |
| 傳真 | 03-5820206 |
| 電子信箱 | chinchinglin@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://- |
| 所須軟硬體設備 | 大氣噴鍍系統 |
| 需具備之專業人才 | 材料與化學背景，熟知大氣噴鍍技術相關知識 |
| 同步更新日期 | 2023-07-22 |
序號6319 |
產出年度102 |
技術名稱-中文低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術 |
執行單位工研院材化所 |
產出單位(空) |
計畫名稱行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文藉由新材料設計開發克服氧化物解離效率差、鍍膜效率不佳上的問題，建立低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術，並以金屬粒子與導電氧化物混合系統，完成薄膜特性。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格於180℃製程溫度下，薄膜片電阻可達50Ω/□，可見光穿透率~85%。 |
技術成熟度實驗室階段 |
可應用範圍觸控面板、太陽能導電玻璃或其他軟性光電產業，另外亦可應用於節能建材產品上。 |
潛力預估低溫化大氣印製型金屬氧化物材料技術建立，進一步衍生應用於光電顯示元件之表面功能性光學薄膜加工應用，以擴大材料平台應用範疇及發揮平台綜效，並在製程上將可不受基板型態限制，可以低溫直接噴印於高分子基板上，大幅提升製程之可應用性與經濟效益。 |
聯絡人員林晉慶 |
電話03-5918751 |
傳真03-5820206 |
電子信箱chinchinglin@itri.org.tw |
參考網址http://- |
所須軟硬體設備大氣噴鍍系統 |
需具備之專業人才材料與化學背景，熟知大氣噴鍍技術相關知識 |
同步更新日期2023-07-22 |
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(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5918751 ...)| 序號 | 3470 |
| 產出年度 | 98 |
| 技術名稱-中文 | 導電金屬氧化物技術 |
| 執行單位 | 工研院院本部 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 透明導電材料應用於電子元件上常因材料本身之基本性質限制，導致透明性與導電特性受到影響,在高透明的導電材料應用上，如能在材料結構上做組成的設計，將可以大幅提升光學特性，本計劃將開發具有高穩定性的明導電氧化物技術。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 開發電阻率為6x10-4 Ω-cm與可見光穿透率達85%(含玻璃基板)，尺寸為15公分見方的高透明導電氧化物材料技術，完成高溫可靠度試驗：450oC-100hr光電特性衰減率小於1% |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 顯示產業、能源產業，如太陽電池導電基板、節能產業如隔熱玻璃或電熱板 |
| 潛力預估 | 目前常用於隔熱玻璃中之金屬膜層，可以金屬氧化物薄膜替代 |
| 聯絡人員 | 林晉慶 |
| 電話 | 03-5918751 |
| 傳真 | 03-5918751 |
| 電子信箱 | chinchinglin@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 |
| 所須軟硬體設備 | 大氣噴鍍系統，熱風式烘箱 |
| 需具備之專業人才 | 材料、化學、化工相關背景 |
| 序號: 3470 |
| 產出年度: 98 |
| 技術名稱-中文: 導電金屬氧化物技術 |
| 執行單位: 工研院院本部 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 透明導電材料應用於電子元件上常因材料本身之基本性質限制，導致透明性與導電特性受到影響,在高透明的導電材料應用上，如能在材料結構上做組成的設計，將可以大幅提升光學特性，本計劃將開發具有高穩定性的明導電氧化物技術。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 開發電阻率為6x10-4 Ω-cm與可見光穿透率達85%(含玻璃基板)，尺寸為15公分見方的高透明導電氧化物材料技術，完成高溫可靠度試驗：450oC-100hr光電特性衰減率小於1% |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 顯示產業、能源產業，如太陽電池導電基板、節能產業如隔熱玻璃或電熱板 |
| 潛力預估: 目前常用於隔熱玻璃中之金屬膜層，可以金屬氧化物薄膜替代 |
| 聯絡人員: 林晉慶 |
| 電話: 03-5918751 |
| 傳真: 03-5918751 |
| 電子信箱: chinchinglin@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040 |
| 所須軟硬體設備: 大氣噴鍍系統，熱風式烘箱 |
| 需具備之專業人才: 材料、化學、化工相關背景 |
| 序號 | 4425 |
| 產出年度 | 99 |
| 技術名稱-中文 | 大氣噴鍍氧化物技術 |
| 執行單位 | 工研院材化所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 氧化物大氣噴印薄膜技術，利用化學合成水系氧化物溶液配合非真空大氣噴印技術，開發出具有高度應用性的透明功能性氧化物薄膜噴印技術，在透明導電材料領域可以取代目前ITO材料技術大幅降材料與製程成本，並且透過材料的功能調整可將應用領域擴充至顯示、節能與能源領域。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 本技術開發之透明導電氧化物薄膜，薄膜片電阻值可達50/?且可見光穿透率為85%，將可以應用於觸控面板產業；如將材料組成進一步做調整將可以應用在節能玻璃技術上，其紅外線反射率可達85%以上，節能效果超越真空濺鍍的紅外線隔絕薄膜。 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 將大氣噴度氧化物技術應用於觸控面板產業的ITO替代材料上，將可以達到ITO減量或替代的效果，而目前研製的材料系統與ITO在光電特性上極為相近，對於觸控面板產業具有將材料與製程成本下降，並且達到提升產能的效果。 |
| 潛力預估 | 本技術可廣泛的應用於觸控面板、顯示、太陽電池與節能玻璃產業，在顯示與觸控面板產業可促進ITO替代的演進時程，並大幅降低廠商的製造成本與提升產能的優勢，而在節能玻璃產業可以替換目前昂貴且製程效率差的金屬濺鍍製程，大幅降低製作門檻同時提升產能與品質，對於節能產業具有極為重要的影響。 |
| 聯絡人員 | 林晉慶 |
| 電話 | 03-5918751 |
| 傳真 | 03-5820217 |
| 電子信箱 | chinchinglin@itri.org.tw |
| 參考網址 | - |
| 所須軟硬體設備 | 大氣鍍膜噴鍍系統、光學穿透率與膜厚測量儀 、四點探針、霍爾量測儀、SEM、XRD。 |
| 需具備之專業人才 | 材料工程、化學化工相關科系、具備奈米陶瓷粉體之製備與濕式塗佈薄膜技術..等專長。 |
| 序號: 4425 |
| 產出年度: 99 |
| 技術名稱-中文: 大氣噴鍍氧化物技術 |
| 執行單位: 工研院材化所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 氧化物大氣噴印薄膜技術，利用化學合成水系氧化物溶液配合非真空大氣噴印技術，開發出具有高度應用性的透明功能性氧化物薄膜噴印技術，在透明導電材料領域可以取代目前ITO材料技術大幅降材料與製程成本，並且透過材料的功能調整可將應用領域擴充至顯示、節能與能源領域。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 本技術開發之透明導電氧化物薄膜，薄膜片電阻值可達50/?且可見光穿透率為85%，將可以應用於觸控面板產業；如將材料組成進一步做調整將可以應用在節能玻璃技術上，其紅外線反射率可達85%以上，節能效果超越真空濺鍍的紅外線隔絕薄膜。 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 將大氣噴度氧化物技術應用於觸控面板產業的ITO替代材料上，將可以達到ITO減量或替代的效果，而目前研製的材料系統與ITO在光電特性上極為相近，對於觸控面板產業具有將材料與製程成本下降，並且達到提升產能的效果。 |
| 潛力預估: 本技術可廣泛的應用於觸控面板、顯示、太陽電池與節能玻璃產業，在顯示與觸控面板產業可促進ITO替代的演進時程，並大幅降低廠商的製造成本與提升產能的優勢，而在節能玻璃產業可以替換目前昂貴且製程效率差的金屬濺鍍製程，大幅降低製作門檻同時提升產能與品質，對於節能產業具有極為重要的影響。 |
| 聯絡人員: 林晉慶 |
| 電話: 03-5918751 |
| 傳真: 03-5820217 |
| 電子信箱: chinchinglin@itri.org.tw |
| 參考網址: - |
| 所須軟硬體設備: 大氣鍍膜噴鍍系統、光學穿透率與膜厚測量儀 、四點探針、霍爾量測儀、SEM、XRD。 |
| 需具備之專業人才: 材料工程、化學化工相關科系、具備奈米陶瓷粉體之製備與濕式塗佈薄膜技術..等專長。 |
| 序號 | 5177 |
| 產出年度 | 100 |
| 技術名稱-中文 | 新型透明導電膜LFTO材料開發及圖案化技術 |
| 執行單位 | 工研院材化所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 以創新性非銦系透明導電氧化物材料作為主體，配合非真空大氣噴鍍製程，開發出新型透明導電薄膜(LFTO)，並且在製程技術開發上整合材料、製程、設備與系統各關鍵技術，研發出可圖案化且光學結構可調整的透明導電薄膜製程。目前已完成噴印式LFTO薄膜光電特性量測，片電阻可達 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1. LFTO薄膜電性可達100W/□，薄膜厚度100nm，電阻率~1x10-3W-cm。 2. LFTO薄膜可見光穿透率可達89%，亮度90%，b*=0.8~-1.5(偏藍色)。 3. LFTO薄膜非真空大氣噴鍍製程溫度 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 開發新型透明導電材料替代傳統ITO材料，並搭配全印式製程替換昂貴且效率較差的真空製程，對於顯示與觸控面板產業的導電玻璃元件在材料與製程技術自有化有明顯的助益。 衍生技術可以應用於節能智慧建材產業，本技術節能特性已超越歐盟與美國法令規範，對於國內相關的傳統玻璃產業可以達到技術升級並一次到位的效果，可協助玻璃建材產業創造千億台幣的新商機。 |
| 潛力預估 | 本技術未來可移轉國內光電產業，強化廠商在新型透明導電膜之關鍵材料與噴鍍製程之技術能力，將可大幅降低國內產業對稀有金屬銦的依賴進，並且替代目前真空濺鍍製程氧化銦錫薄膜，整合材料、製程、設備與系統各關鍵技術，以達到提高獲利的目標。初期可先從國內廠商為主的投射電容式觸控面本領域做切入，之後再朝軟性電子、顯示器、節能、太陽電池等領域產品進攻，預期將帶動國內產業因應軟電時代來臨與印刷式電子產品的龐大商機，進入高階產品市場。 |
| 聯絡人員 | 林晉慶 |
| 電話 | 03-5918751 |
| 傳真 | 03-5820217 |
| 電子信箱 | chinchinglin@itri.org.tw |
| 參考網址 | - |
| 所須軟硬體設備 | 大面積大氣壓噴塗設備、細線化氣懸膠噴印設備、光學穿透率與膜厚測量儀 、四點探針、霍爾量測儀、光學顯微鏡、掃描式電子顯微鏡。 |
| 需具備之專業人才 | 材料工程、化學化工相關科系、具備奈米陶瓷粉體之製備與濕式塗佈薄膜技術..等專長。 |
| 序號: 5177 |
| 產出年度: 100 |
| 技術名稱-中文: 新型透明導電膜LFTO材料開發及圖案化技術 |
| 執行單位: 工研院材化所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 以創新性非銦系透明導電氧化物材料作為主體，配合非真空大氣噴鍍製程，開發出新型透明導電薄膜(LFTO)，並且在製程技術開發上整合材料、製程、設備與系統各關鍵技術，研發出可圖案化且光學結構可調整的透明導電薄膜製程。目前已完成噴印式LFTO薄膜光電特性量測，片電阻可達 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 1. LFTO薄膜電性可達100W/□，薄膜厚度100nm，電阻率~1x10-3W-cm。 2. LFTO薄膜可見光穿透率可達89%，亮度90%，b*=0.8~-1.5(偏藍色)。 3. LFTO薄膜非真空大氣噴鍍製程溫度 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 開發新型透明導電材料替代傳統ITO材料，並搭配全印式製程替換昂貴且效率較差的真空製程，對於顯示與觸控面板產業的導電玻璃元件在材料與製程技術自有化有明顯的助益。 衍生技術可以應用於節能智慧建材產業，本技術節能特性已超越歐盟與美國法令規範，對於國內相關的傳統玻璃產業可以達到技術升級並一次到位的效果，可協助玻璃建材產業創造千億台幣的新商機。 |
| 潛力預估: 本技術未來可移轉國內光電產業，強化廠商在新型透明導電膜之關鍵材料與噴鍍製程之技術能力，將可大幅降低國內產業對稀有金屬銦的依賴進，並且替代目前真空濺鍍製程氧化銦錫薄膜，整合材料、製程、設備與系統各關鍵技術，以達到提高獲利的目標。初期可先從國內廠商為主的投射電容式觸控面本領域做切入，之後再朝軟性電子、顯示器、節能、太陽電池等領域產品進攻，預期將帶動國內產業因應軟電時代來臨與印刷式電子產品的龐大商機，進入高階產品市場。 |
| 聯絡人員: 林晉慶 |
| 電話: 03-5918751 |
| 傳真: 03-5820217 |
| 電子信箱: chinchinglin@itri.org.tw |
| 參考網址: - |
| 所須軟硬體設備: 大面積大氣壓噴塗設備、細線化氣懸膠噴印設備、光學穿透率與膜厚測量儀 、四點探針、霍爾量測儀、光學顯微鏡、掃描式電子顯微鏡。 |
| 需具備之專業人才: 材料工程、化學化工相關科系、具備奈米陶瓷粉體之製備與濕式塗佈薄膜技術..等專長。 |
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| 執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 吸音係數量測,500Hz吸音係數0.73, 噪音減衰係數0.81 | 潛力預估: 可運用於環境空間中減少聲波對人體造成生心理的影響，整合不同領域的產業與材料，拓展與提昇傳統產業商機與技術。 |
| 執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 複合光學濾片包括電磁波屏蔽及近紅外線吸收兩項功能，電磁波屏蔽效果需符合CISPR規格B等級， T（全光域）＞ 60%，近紅外線吸收效果需符合T 800-1000nm≦10﹪(T 950nm ≦5 ﹪)... | 潛力預估: 透明之光波與微波協效研究之應用範圍頗為廣泛，近年來在民生與國防應用上需求驟增，為一亟具開發價值之科技，值得吾人投入更多的人力及資源，作長期的開發研究計畫。 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.HCS藥物篩選；2.每天可篩選1500-2000個；3.Cell Image Assay | 潛力預估: 作為GPCR藥物篩選代工,爭取國際市場 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用重組腺病毒rAd/AGL載體病毒顆粒感染GSDIII病人初級培養細胞，經肝醣含量分析等實驗結果證實，感染效率良好，且具有生物活性，顯示基因治療在細胞層次確實具有療效。 | 潛力預估: 基因藥物遞送與檢測系統之建立 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20公升醱酵槽平均可生產1克的質體 | 潛力預估: 可作為非病毒性疫苗、基因治療藥物及病毒生產所需之質體 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 5公升規模平盤細胞培養，細胞數可達1E+10，病毒力價4E+12 | 潛力預估: 可作為遺傳性疾病基因藥物、癌症藥物 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 6公升規模30支RB850轉瓶細胞培養，細胞數可達1E+10，病毒力價2E+13 | 潛力預估: 可作為防禦性疫苗、癌症藥物 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 在心臟衰竭倉鼠模式中以活體心臟注射遞送腺相關病毒基因載體，並證實所構築及生產的腺相關病毒基因載體具有療效。 | 潛力預估: 開發治療心臟衰竭之基因治療藥物 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 以乳酸基質批式饋料系統發酵回收分離程序，磁礦石產率達23.1 mg/l/day；磁礦石粒徑介於40~100nm。 | 潛力預估: 建立自動控制磁礦石菌發酵系統、磁礦石回收分離程序及環境調控參數，可作為工業化的操作資訊；建立壬基苯酚半抗原合成及修飾技術，作為未來發展應用抗體接合磁礦石所衍生出的環境污染物偵測用檢驗試劑。 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 甲醛脫氫酵素之比活性達120 U/mg，Km(NAD)為1.75 mM，Km(甲醛)為1.71 mM，每分鐘轉換率(turn over rate)為3百萬次。 | 潛力預估: 目前尚在實驗室設計階段 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 5分鐘內完成農藥濃度測量；偵測極限達10ppb；感測器主機重量 | 潛力預估: 廠商預估光農藥生物微感測器與測試片市場一項，台灣地區的年銷售總潛力便高達6億元以上。且隨著全球性市場的開拓，預估至2010年年銷售額可達13.8億元。 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 粉狀及液態均可。 | 潛力預估: 環保工程業及混凝劑銷售商可進行應用及技術擴散。 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 提昇剝膜顯影廢水整體COD去除率10 ~ 15%。 | 潛力預估: 環保工程業及混凝劑銷售商可進行應用及技術擴散。 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測時程小於24小時，可適用於TCE污染濃度介於100 ppm 至50 ppb的濃度範圍。 | 潛力預估: 可以增加50%的處理效能 |
| 執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1mg胜肽可生產0.107mg銀棒 | 潛力預估: 生產一種全新及廣用的奈米材料 |
執行單位: 中科院航空所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 吸音係數量測,500Hz吸音係數0.73, 噪音減衰係數0.81 | 潛力預估: 可運用於環境空間中減少聲波對人體造成生心理的影響，整合不同領域的產業與材料，拓展與提昇傳統產業商機與技術。 |
執行單位: 中科院化學所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 複合光學濾片包括電磁波屏蔽及近紅外線吸收兩項功能，電磁波屏蔽效果需符合CISPR規格B等級， T（全光域）＞ 60%，近紅外線吸收效果需符合T 800-1000nm≦10﹪(T 950nm ≦5 ﹪)... | 潛力預估: 透明之光波與微波協效研究之應用範圍頗為廣泛，近年來在民生與國防應用上需求驟增，為一亟具開發價值之科技，值得吾人投入更多的人力及資源，作長期的開發研究計畫。 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: G蛋白偶聯接受體藥物研發二年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.HCS藥物篩選；2.每天可篩選1500-2000個；3.Cell Image Assay | 潛力預估: 作為GPCR藥物篩選代工,爭取國際市場 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用重組腺病毒rAd/AGL載體病毒顆粒感染GSDIII病人初級培養細胞，經肝醣含量分析等實驗結果證實，感染效率良好，且具有生物活性，顯示基因治療在細胞層次確實具有療效。 | 潛力預估: 基因藥物遞送與檢測系統之建立 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20公升醱酵槽平均可生產1克的質體 | 潛力預估: 可作為非病毒性疫苗、基因治療藥物及病毒生產所需之質體 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 5公升規模平盤細胞培養，細胞數可達1E+10，病毒力價4E+12 | 潛力預估: 可作為遺傳性疾病基因藥物、癌症藥物 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 6公升規模30支RB850轉瓶細胞培養，細胞數可達1E+10，病毒力價2E+13 | 潛力預估: 可作為防禦性疫苗、癌症藥物 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 基因藥物技術及產品開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 在心臟衰竭倉鼠模式中以活體心臟注射遞送腺相關病毒基因載體，並證實所構築及生產的腺相關病毒基因載體具有療效。 | 潛力預估: 開發治療心臟衰竭之基因治療藥物 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 以乳酸基質批式饋料系統發酵回收分離程序，磁礦石產率達23.1 mg/l/day；磁礦石粒徑介於40~100nm。 | 潛力預估: 建立自動控制磁礦石菌發酵系統、磁礦石回收分離程序及環境調控參數，可作為工業化的操作資訊；建立壬基苯酚半抗原合成及修飾技術，作為未來發展應用抗體接合磁礦石所衍生出的環境污染物偵測用檢驗試劑。 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 甲醛脫氫酵素之比活性達120 U/mg，Km(NAD)為1.75 mM，Km(甲醛)為1.71 mM，每分鐘轉換率(turn over rate)為3百萬次。 | 潛力預估: 目前尚在實驗室設計階段 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 5分鐘內完成農藥濃度測量；偵測極限達10ppb；感測器主機重量 | 潛力預估: 廠商預估光農藥生物微感測器與測試片市場一項，台灣地區的年銷售總潛力便高達6億元以上。且隨著全球性市場的開拓，預估至2010年年銷售額可達13.8億元。 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 粉狀及液態均可。 | 潛力預估: 環保工程業及混凝劑銷售商可進行應用及技術擴散。 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 提昇剝膜顯影廢水整體COD去除率10 ~ 15%。 | 潛力預估: 環保工程業及混凝劑銷售商可進行應用及技術擴散。 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測時程小於24小時，可適用於TCE污染濃度介於100 ppm 至50 ppb的濃度範圍。 | 潛力預估: 可以增加50%的處理效能 |
執行單位: 生技中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 環保生技產品與技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1mg胜肽可生產0.107mg銀棒 | 潛力預估: 生產一種全新及廣用的奈米材料 |
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