晶片自動弧面取放傳輸技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文晶片自動弧面取放傳輸技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是102, 計畫名稱是智慧自動化系統關鍵技術開發計畫, 技術規格是取放晶片:LED 2吋/4吋;鍍鍋Φ495mm;自動卡匣(25片)入片。, 潛力預估是未來隨之LED晶片尺寸變大及薄化的趨勢,自動化取放傳輸具有很大之產業應用潛力。.

序號6397
產出年度102
技術名稱-中文晶片自動弧面取放傳輸技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱智慧自動化系統關鍵技術開發計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文目前台灣的固態照明產業上、中、下游製程設備均具備單機化的自動機台,唯獨進出料之取放片還需仰賴人工,不僅耗時且破片風險高,未來隨之LED晶片尺寸變大及薄化的趨勢,自動化取放與傳輸為必然需求。本技術已完成弧面鍍鍋載盤之LED晶片自動取放進出料作業,大幅提昇晶片取放穩定度及控制取放品質,以降低破片風險,同時縮短取放時間,改善生產作業流程,降低人力負擔,並提昇製程設備使用率及產出效率。此技術已申請台灣、中國大陸及美國之專利。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格取放晶片:LED 2吋/4吋;鍍鍋Φ495mm;自動卡匣(25片)入片。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍LED及IC產業之蒸鍍製程設備自動入片使用。
潛力預估未來隨之LED晶片尺寸變大及薄化的趨勢,自動化取放傳輸具有很大之產業應用潛力。
聯絡人員陳冠州
電話03-5918656
傳真03-5910350
電子信箱ChenKC@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備精密機械、自動控制。
需具備之專業人才機構設計、電控背景。
同步更新日期2019-07-24

序號

6397

產出年度

102

技術名稱-中文

晶片自動弧面取放傳輸技術

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

智慧自動化系統關鍵技術開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

目前台灣的固態照明產業上、中、下游製程設備均具備單機化的自動機台,唯獨進出料之取放片還需仰賴人工,不僅耗時且破片風險高,未來隨之LED晶片尺寸變大及薄化的趨勢,自動化取放與傳輸為必然需求。本技術已完成弧面鍍鍋載盤之LED晶片自動取放進出料作業,大幅提昇晶片取放穩定度及控制取放品質,以降低破片風險,同時縮短取放時間,改善生產作業流程,降低人力負擔,並提昇製程設備使用率及產出效率。此技術已申請台灣、中國大陸及美國之專利。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

取放晶片:LED 2吋/4吋;鍍鍋Φ495mm;自動卡匣(25片)入片。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

LED及IC產業之蒸鍍製程設備自動入片使用。

潛力預估

未來隨之LED晶片尺寸變大及薄化的趨勢,自動化取放傳輸具有很大之產業應用潛力。

聯絡人員

陳冠州

電話

03-5918656

傳真

03-5910350

電子信箱

ChenKC@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

精密機械、自動控制。

需具備之專業人才

機構設計、電控背景。

同步更新日期

2019-07-24

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迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm;Pitch: 0.8mm, 1.0mm;Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_;Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design,。其結構設計,第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝,第二層之應...

銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Test Vehicle:Thermosonic ball bond with 25μm or 30μm Au wire_x000D_詳細規格視銅晶片來源而定,並由電子所與合作廠商共同 | 潛力預估: Filing two patents for copper chip package_x000D_,Cu/barrier/Al or Ni/Au cap可自製_x000D_,Wire bond qua...

Flip Chip CSP 設計與構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 球間距(Ball Pitch):0.8mm BGA_x000D_;球陣列(Ball Array):6-8 I/O_x000D_;構裝尺寸(Package Size):6mm-9mm_x000D_;構裝... | 潛力預估: 整個技術環節的重點,會緊扣在低構裝成本和高電氣操作性能的訴求上,以期與現存的構裝型態在市場上有一較長短的實力,同時提供台灣構裝業界實現技術升級創造競爭力的宏大目標。

Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

覆晶錫鉛凸塊植球技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: Gold Bumping技術─ Fine Pitch技術符合現有市場需求。Solder Bumping技術─120?m間距且80?m凸塊高度之技術已達美國半導體協會(SIA)約2004年所需之技術里...

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...

肢體機能回復設備技術應用開發

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 3關節自由度(髖、膝、踝)下肢醫療復健設備具備連續被動式運動(CPM)及生理機能即時遠端監督功能。使用對象:140公分~180公分;80公斤以下;可動範圍(最大活動速度):股關節:10?~100?(2... | 潛力預估: 引導式操作的友善人機介面,具備病患資料保密性、復健資料可回溯、評估、、等功能,使用者容易操作與訓練。可協助物理治療師為病患進行復健,解決目前復健師人力嚴重不足的問題。

智能型跨越障礙行走設備之應用技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 使車輪傾斜角度可達水平面上53度至水平面下47度,並可簡易且準確調整車輪傾斜角度,可跨越250mm高的門檻或樓板段差。 | 潛力預估: 本設備可作為居家照護機器人之移動平台,在未來老年化社會發展下,勢必成為居家設備中重要之關鍵模組。預估未來將可成為熱銷商品。

電漿束液晶配向製程驗證與系統模組大型化技術

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 配向尺寸可達G3(550*650mm),配向均勻性佳。技術規格:錨定能~10-5J/m2,預傾角:0~10度,VHR>95%,Rdc | 潛力預估: 目前配向效果遠高於光配向,與離子束配向結果相當但設備價格低。

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

增益型晶圓級晶方尺度構裝技術

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_;Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_;UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... | 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線,銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗,尤其當線寬愈來愈窄的時候,其對高頻的影響愈來愈大,被視為下一代高速積體電路的明星製程,然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術,而國內...

銅晶片打線接合構裝技術

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Flip Chip CSP 設計與構裝技術

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Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達30%左右) | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝:接合積層基板覆晶構裝(間距:250μm、I/O接點腳數達4300),增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝(熱傳增益達50%左右)

散熱及電性增益型之錫球陣列塑膠構裝

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard);散熱增益 35~40%,電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_,獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。

電腦輔助熱傳設計分析技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪(94﹪ 信賴度) | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包

IC及LED熱阻量測技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備,均是國內自行開發完成,價格較國外節省30%。

覆晶錫鉛凸塊植球技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: Gold Bumping技術─ Fine Pitch技術符合現有市場需求。Solder Bumping技術─120?m間距且80?m凸塊高度之技術已達美國半導體協會(SIA)約2004年所需之技術里...

焊點可靠性評估技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加,特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估,衍生到系統廠組裝後的可靠度評估,及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si...

肢體機能回復設備技術應用開發

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