精微六角內孔形貌電化學加工技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文精微六角內孔形貌電化學加工技術的執行單位是金屬中心, 產出年度是102, 計畫名稱是金屬中心產業技術環境建構計畫, 技術規格是不銹鋼SUS304軸承軸套 圓柱內徑1.5mm×高5mm 圓柱度加工精度≦±7μm 加工進給速度≧20μm/, 潛力預估是以六角異型軸承軸套而言，主要運用於醫療手工具、汽車連接器等，相關產值與市場應用大。如目前小型軸承軸套之六角柱柱內孔形貌加工技術主要運用微車削、拉刀、沖壓等技術等，但由於產品性能要求逐漸提升，如小型化、高精度、無毛邊等，使得軸套六角內孔須具備更佳的表面品質，然而精微電化學加工技術便可補足需求技術需求，....
| 序號 | 6526 |
| 產出年度 | 102 |
| 技術名稱-中文 | 精微六角內孔形貌電化學加工技術 |
| 執行單位 | 金屬中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 金屬中心產業技術環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 透過精微六角內孔形貌電化學加工技術可加工各式小型零組件之意六角柱內孔，即便為難加工金屬亦可加工，不受機械性質影響。本產品需結合電化學相關製程設備技術，才能得以完成或推廣，其市場之應用範圍主要以醫療手工具零組件、精微模具、生醫零組件為主，可提升產品精度與品質，並達到加工電極無消耗、無加工熱影響、無毛邊與低表面粗糙度之獨特效果。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 不銹鋼SUS304軸承軸套 圓柱內徑1.5mm×高5mm 圓柱度加工精度≦±7μm 加工進給速度≧20μm/ |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 六角異型軸承軸套 |
| 潛力預估 | 以六角異型軸承軸套而言，主要運用於醫療手工具、汽車連接器等，相關產值與市場應用大。如目前小型軸承軸套之六角柱柱內孔形貌加工技術主要運用微車削、拉刀、沖壓等技術等，但由於產品性能要求逐漸提升，如小型化、高精度、無毛邊等，使得軸套六角內孔須具備更佳的表面品質，然而精微電化學加工技術便可補足需求技術需求，其具備無加工熱影響、無毛邊與低表面粗糙度等特性，可快速達到尺寸修整，提升內孔圓柱度。另精微電化學加工設備模組之市場，目前國內尚無廠家有完整生產，皆倚賴國外進口，市場幾為國外產品所獨佔，但其加工之優越性為眾所矚目，若能自製應可有很大的突破。 |
| 聯絡人員 | 范智文 |
| 電話 | 04-23502169 # 516 |
| 傳真 | 04-23501174 |
| 電子信箱 | zwfen@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址 | http://www.mirdc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 電化學相關製程設備 |
| 需具備之專業人才 | 電化學加工相關 |
| 同步更新日期 | 2023-07-22 |
序號6526 |
產出年度102 |
技術名稱-中文精微六角內孔形貌電化學加工技術 |
執行單位金屬中心 |
產出單位(空) |
計畫名稱金屬中心產業技術環境建構計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文透過精微六角內孔形貌電化學加工技術可加工各式小型零組件之意六角柱內孔，即便為難加工金屬亦可加工，不受機械性質影響。本產品需結合電化學相關製程設備技術，才能得以完成或推廣，其市場之應用範圍主要以醫療手工具零組件、精微模具、生醫零組件為主，可提升產品精度與品質，並達到加工電極無消耗、無加工熱影響、無毛邊與低表面粗糙度之獨特效果。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格不銹鋼SUS304軸承軸套 圓柱內徑1.5mm×高5mm 圓柱度加工精度≦±7μm 加工進給速度≧20μm/ |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍六角異型軸承軸套 |
潛力預估以六角異型軸承軸套而言，主要運用於醫療手工具、汽車連接器等，相關產值與市場應用大。如目前小型軸承軸套之六角柱柱內孔形貌加工技術主要運用微車削、拉刀、沖壓等技術等，但由於產品性能要求逐漸提升，如小型化、高精度、無毛邊等，使得軸套六角內孔須具備更佳的表面品質，然而精微電化學加工技術便可補足需求技術需求，其具備無加工熱影響、無毛邊與低表面粗糙度等特性，可快速達到尺寸修整，提升內孔圓柱度。另精微電化學加工設備模組之市場，目前國內尚無廠家有完整生產，皆倚賴國外進口，市場幾為國外產品所獨佔，但其加工之優越性為眾所矚目，若能自製應可有很大的突破。 |
聯絡人員范智文 |
電話04-23502169 # 516 |
傳真04-23501174 |
電子信箱zwfen@mail.mirdc.org.tw |
參考網址http://www.mirdc.org.tw |
所須軟硬體設備電化學相關製程設備 |
需具備之專業人才電化學加工相關 |
同步更新日期2023-07-22 |
根據名稱 精微六角內孔形貌電化學加工技術 找到的相關資料
| 序號 | 2693 |
| 產出年度 | 97 |
| 技術名稱-中文 | 直流式精微電化學加工製程與設備開發技術 |
| 執行單位 | 金屬中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 結合電化學相關製程設備技術，如材料電化學分析、電解液循環控制、主軸精密控制等，透過電極夾治具流場與電場分析設計，以精密電化學加工電極配合專用夾治具，可加工出深度20μm以內之微細溝槽，達到快速、高精度之微特徵加工效果。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 電壓≧20V，電流≧50A，可加工出深度20μm以內之微細溝槽，加工精度±4μm。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 精微電化學加工設備模組 |
| 潛力預估 | 取代進口設備0.3億元/年；創造產值2億元/年；並達成高速化生產功能。 |
| 聯絡人員 | 洪榮洲 |
| 電話 | 04-23502169#516 |
| 傳真 | 04-23501174 |
| 電子信箱 | jchung@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址 | http://www.mirdc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 機械設備、電化學相關背景 |
| 序號: 2693 |
| 產出年度: 97 |
| 技術名稱-中文: 直流式精微電化學加工製程與設備開發技術 |
| 執行單位: 金屬中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 結合電化學相關製程設備技術，如材料電化學分析、電解液循環控制、主軸精密控制等，透過電極夾治具流場與電場分析設計，以精密電化學加工電極配合專用夾治具，可加工出深度20μm以內之微細溝槽，達到快速、高精度之微特徵加工效果。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 電壓≧20V，電流≧50A，可加工出深度20μm以內之微細溝槽，加工精度±4μm。 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 精微電化學加工設備模組 |
| 潛力預估: 取代進口設備0.3億元/年；創造產值2億元/年；並達成高速化生產功能。 |
| 聯絡人員: 洪榮洲 |
| 電話: 04-23502169#516 |
| 傳真: 04-23501174 |
| 電子信箱: jchung@mail.mirdc.org.tw |
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| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 機械設備、電化學相關背景 |
| 序號 | 3288 |
| 產出年度 | 98 |
| 技術名稱-中文 | 脈衝式精微電化學加工製程與設備開發技術 |
| 執行單位 | 金屬中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 結合高頻脈衝式電化學相關製程設備技術，透過電極夾治具流場與電場分析設計，以精密電化學加工電極配合專用夾治具，可加工出深度15μm以內之微細溝槽，達到快速、高精度之微特徵加工效果。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 電壓≧20V，電流≧50A，最小脈波寬度≦50μs，可加工出深度15μm以內之微細溝槽，加工精度±2.25μm。 |
| 技術成熟度 | 雛形 |
| 可應用範圍 | 精微電化學加工技術與設備模組 |
| 潛力預估 | 取代進口設備0.3億元/年；創造產值2億元/年；並達成高速化生產功能。 |
| 聯絡人員 | 洪榮洲 |
| 電話 | 04-23502169#516 |
| 傳真 | 04-23501174 |
| 電子信箱 | jchung@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址 | http://www.mirdc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 精微電化學加工設備模組 |
| 需具備之專業人才 | 機械設備、電化學相關背景 |
| 序號: 3288 |
| 產出年度: 98 |
| 技術名稱-中文: 脈衝式精微電化學加工製程與設備開發技術 |
| 執行單位: 金屬中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 結合高頻脈衝式電化學相關製程設備技術，透過電極夾治具流場與電場分析設計，以精密電化學加工電極配合專用夾治具，可加工出深度15μm以內之微細溝槽，達到快速、高精度之微特徵加工效果。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 電壓≧20V，電流≧50A，最小脈波寬度≦50μs，可加工出深度15μm以內之微細溝槽，加工精度±2.25μm。 |
| 技術成熟度: 雛形 |
| 可應用範圍: 精微電化學加工技術與設備模組 |
| 潛力預估: 取代進口設備0.3億元/年；創造產值2億元/年；並達成高速化生產功能。 |
| 聯絡人員: 洪榮洲 |
| 電話: 04-23502169#516 |
| 傳真: 04-23501174 |
| 電子信箱: jchung@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址: http://www.mirdc.org.tw |
| 所須軟硬體設備: 精微電化學加工設備模組 |
| 需具備之專業人才: 機械設備、電化學相關背景 |
| 序號 | 4754 |
| 產出年度 | 99 |
| 技術名稱-中文 | 複合式精微電化學加工製程與設備開發技術 |
| 執行單位 | 金屬中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 複合電泳沉積模組與電化學加工製程設備技術，透過線上微細電極製作，電化學加工電場與流場分析與複合加工製程設計，搭配複合製程專用夾治具，可加工出表面粗度達0.02umRa之微細溝槽，達到高品質與高精度之微特徵加工效果。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 電壓≧20V，電流≧50A，最小脈波寬度≦10μs，表面粗度≦0.02μmRa。 |
| 技術成熟度 | 雛形 |
| 可應用範圍 | 精微電化學加工技術與設備模組、微研磨工具、微槽道加工。 |
| 潛力預估 | 取代進口設備0.3億元/年；創造產值2億元/年；並達成微細結構高品質表面精修功能。 |
| 聯絡人員 | 洪榮洲 |
| 電話 | 04-23502169轉516 |
| 傳真 | 04-23501174 |
| 電子信箱 | jchung@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址 | http://www.mirdc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 精微電化學加工設備 |
| 需具備之專業人才 | 電化學加工、製程設計、精密加工。 |
| 序號: 4754 |
| 產出年度: 99 |
| 技術名稱-中文: 複合式精微電化學加工製程與設備開發技術 |
| 執行單位: 金屬中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 複合電泳沉積模組與電化學加工製程設備技術，透過線上微細電極製作，電化學加工電場與流場分析與複合加工製程設計，搭配複合製程專用夾治具，可加工出表面粗度達0.02umRa之微細溝槽，達到高品質與高精度之微特徵加工效果。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 電壓≧20V，電流≧50A，最小脈波寬度≦10μs，表面粗度≦0.02μmRa。 |
| 技術成熟度: 雛形 |
| 可應用範圍: 精微電化學加工技術與設備模組、微研磨工具、微槽道加工。 |
| 潛力預估: 取代進口設備0.3億元/年；創造產值2億元/年；並達成微細結構高品質表面精修功能。 |
| 聯絡人員: 洪榮洲 |
| 電話: 04-23502169轉516 |
| 傳真: 04-23501174 |
| 電子信箱: jchung@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址: http://www.mirdc.org.tw |
| 所須軟硬體設備: 精微電化學加工設備 |
| 需具備之專業人才: 電化學加工、製程設計、精密加工。 |
| 序號 | 5288 |
| 產出年度 | 100 |
| 技術名稱-中文 | 高深徑比微孔電化學加工製程與模組技術 |
| 執行單位 | 金屬中心 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 金屬中心產業技術環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 高深徑比微孔電化學加工製程與模組技術，透過側向絕緣微細電極製作，電化學加工電場與流場分析與加工電源模式設計，可加工出直徑小於200μm深徑比值達5以上之無變質層微細孔，達到高品質與高精度之微孔加工效果。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 微孔直徑≦300μm、深徑比值≧5、加工精度≦±8μm。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 各式噴嘴微孔、3C產品微模具、醫療器材零組件、航太構件。 |
| 潛力預估 | 取代進口設備0.3億/年；創造產值2億/年；並達成高品質高深徑比之微細結構加工功能。 |
| 聯絡人員 | 洪榮洲 |
| 電話 | 04-23502169轉516 |
| 傳真 | 04-23501174 |
| 電子信箱 | jchung@mail.mirdc.org.tw |
| 參考網址 | http://www.mirdc.org.tw |
| 所須軟硬體設備 | 電化學加工模組設備 |
| 需具備之專業人才 | 機械、化工、材料。 |
| 序號: 5288 |
| 產出年度: 100 |
| 技術名稱-中文: 高深徑比微孔電化學加工製程與模組技術 |
| 執行單位: 金屬中心 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 高深徑比微孔電化學加工製程與模組技術，透過側向絕緣微細電極製作，電化學加工電場與流場分析與加工電源模式設計，可加工出直徑小於200μm深徑比值達5以上之無變質層微細孔，達到高品質與高精度之微孔加工效果。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 微孔直徑≦300μm、深徑比值≧5、加工精度≦±8μm。 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 各式噴嘴微孔、3C產品微模具、醫療器材零組件、航太構件。 |
| 潛力預估: 取代進口設備0.3億/年；創造產值2億/年；並達成高品質高深徑比之微細結構加工功能。 |
| 聯絡人員: 洪榮洲 |
| 電話: 04-23502169轉516 |
| 傳真: 04-23501174 |
| 電子信箱: jchung@mail.mirdc.org.tw |
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| 所須軟硬體設備: 電化學加工模組設備 |
| 需具備之專業人才: 機械、化工、材料。 |
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04-23502169 516 ... ]
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中草藥保健產品: 小鼠巨噬細胞J774A.1吞噬能力:12.5g/ml可提昇吞噬能力2~3倍；初代淋巴細胞增生能力: 50 g/ml可增加2倍。 | 潛力預估: 中草藥保健食品約有250億元市場，利用本分析技術可以針對一些特定的保健產品進行免疫活性的篩選。 |
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算，每年需補充4140噸之鈣當量，以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算，每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。 |
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億，飼料添加物市場80-90億。 |
| 執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間，蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1（穿透）、30:1（反射）視角：穿透模式 ─ 左右100度，上下80度反應速度：25 m | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制，且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造，及新型省電驅動法的技術，以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System，極具應用潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 中草藥保健產品: 小鼠巨噬細胞J774A.1吞噬能力:12.5g/ml可提昇吞噬能力2~3倍；初代淋巴細胞增生能力: 50 g/ml可增加2倍。 | 潛力預估: 中草藥保健食品約有250億元市場，利用本分析技術可以針對一些特定的保健產品進行免疫活性的篩選。 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜?平均鏈長3-4之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 以國人鈣缺乏量(僅建議量1g/d之一半)補充計算，每年需補充4140噸之鈣當量，以鈣:抑鈣沉澱胜太以1:1之比率計算，每年就有4140噸之抑鈣沉澱胜太之需求潛力。 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長6-7之間，蛋白質含量50-60%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 減重食品市場150億，飼料添加物市場80-90億。 |
執行單位: 食品所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新世代食品加工及調配料技術研發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 胜太平均鏈長2-3之間，蛋白質含量25-30%粉狀或液狀。 | 潛力預估: 調味料相關產業產值105億。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 120:1（穿透）、30:1（反射）視角：穿透模式 ─ 左右100度，上下80度反應速度：25 m | 潛力預估: 本計畫克服傳統半穿透半反射式顯示器中穿透區與反射區間液晶間隙的限制，且能同時達到最大之光效率。 並結合畫素電極的改造，及新型省電驅動法的技術，以達到高對比、 高亮度、 視角廣及省電之最佳效果 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output Function .Support Over Drive Mode .Bit Reverse .RGB Independent Gamma .LCD Drivin... | 潛力預估: 可廣泛應用於LCD & LTPS Display System，極具應用潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 384 Channel Output .RGB Independent Gamma .Driving Current 10uA ~ 100uA @ 256 Gray Scale | 潛力預估: 可廣泛應用於OLED Display System |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6” .Pixel Size 90um x3x360um .Resolution VGA .Voltage Compensation .LTPS PMOS Proce | 潛力預估: 為市場潛力十足之AMOLED 產品之關鍵技術 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA .Pixel number：640 x 3 x480 .Pixel pitch：90 um x 120 um .Aperture ratio： 30% .Brightness：> 30... | 潛力預估: 軟體設備：LAKER、Utmost、Clever b.硬體設備：雷射再結晶系統、離子植入系統、WAT |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 搭配 LTPS技術運用，應用於各相關技術產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pi... | 潛力預估: 可搶攻HDTV市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 20” .Pixel Size 85um*3*255um .Resolution UXGA (1600*1200) .LTPS PMOS Process .Include LTP... | 潛力預估: 可增加 LTPS 面板之附加價值，具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... |
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