凹板轉印ITO蝕刻塗料
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技術名稱-中文凹板轉印ITO蝕刻塗料的執行單位是工研院機械所, 產出年度是103, 計畫名稱是觸控面板節能製程技術及設備開發計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是蝕刻線寬, 潛力預估是低成本之ITO蝕刻製程技術製作細小蝕刻線路，將可提升產品之成本競爭優勢.

序號	6716
產出年度	103
技術名稱-中文	凹板轉印ITO蝕刻塗料
執行單位	工研院機械所
產出單位	(空)
計畫名稱	觸控面板節能製程技術及設備開發計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	台灣、中國
已獲得專利之國家	無
技術現況敘述-中文	開發轉印型ITO蝕刻膏體，使其可搭配凹板轉印技術直接在ITO基材表面形成線寬<20um之圖案化線路，經加熱後即可進行ITO材料蝕刻。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	蝕刻線寬<20um
技術成熟度	試量產
可應用範圍	觸控、LED、顯示器等產業
潛力預估	低成本之ITO蝕刻製程技術製作細小蝕刻線路，將可提升產品之成本競爭優勢
聯絡人員	王裕銘
電話	03-5912412
傳真	03-5820252
電子信箱	ymwang@itri.org.tw
參考網址	https://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備	精密印刷設備
需具備之專業人才	化學化工、光電製程

序號

6716

產出年度

103

技術名稱-中文

凹板轉印ITO蝕刻塗料

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

觸控面板節能製程技術及設備開發計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

台灣、中國

已獲得專利之國家

無

技術現況敘述-中文

開發轉印型ITO蝕刻膏體，使其可搭配凹板轉印技術直接在ITO基材表面形成線寬<20um之圖案化線路，經加熱後即可進行ITO材料蝕刻。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

蝕刻線寬<20um

技術成熟度

試量產

可應用範圍

觸控、LED、顯示器等產業

潛力預估

低成本之ITO蝕刻製程技術製作細小蝕刻線路，將可提升產品之成本競爭優勢

聯絡人員

王裕銘

電話

03-5912412

傳真

03-5820252

電子信箱

ymwang@itri.org.tw

參考網址

https://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

精密印刷設備

需具備之專業人才

化學化工、光電製程

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凹板轉印ITO蝕刻塗料

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 觸控面板綠色製程技術及設備開發計畫 | 領域: | 技術規格: 蝕刻線寬 | 潛力預估: 低成本之ITO蝕刻製程技術製作細小蝕刻線路，將可提升產品之成本競爭優勢

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凹板轉印ITO蝕刻塗料

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 觸控面板綠色製程技術及設備開發計畫 | 領域: | 技術規格: 蝕刻線寬 | 潛力預估: 低成本之ITO蝕刻製程技術製作細小蝕刻線路，將可提升產品之成本競爭優勢

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直接圖案化超細導線生產整合技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超細線寬轉印綠色製程與設備技術開發計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 可在基板上印製3um之圖案化線路，並具有高導電特性 \| 潛力預估: 可取代傳統黃光製程製作細微線路，達到製成綠色化 @ 技術司可移轉技術資料集
加成式細微導線製造技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超細線寬轉印綠色製程與設備技術開發計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 可在基板上印製5um之圖案化線路，並具有高導電特性 \| 潛力預估: 可取代傳統黃光製程製作細微線路，達到製程綠色化 @ 技術司可移轉技術資料集

凹板轉印導電塗料

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 觸控面板綠色製程技術及設備開發計畫 | 領域: | 技術規格: 線寬 | 潛力預估: 低成本之細微導線製造技術，將可提升終端產品之競爭優勢

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凹板轉印導電塗料

執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 觸控面板節能製程技術及設備開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 線寬 | 潛力預估: 低成本之細微導線製造技術，將可提升終端產品之競爭優勢

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加成式細微導線製造技術

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InSb 320X256紅外線偵檢元件模組	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
InSb 320X256冷卻偵檢單元 (RDU)	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Structure : IDCA RDU Life time > 5年 Cool-down time < 6分鐘 Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
InSb 320X256熱像機	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 偵測波段 : 3-5um 量子效率 > 50% NETD < 30mK IDCA RDU 致冷器冷卻能力 > 0.5W MTBF > 4000小時訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能輸... \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
雷射預警系統組裝、測試及維修	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 \| 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。
高解析度微波管零組件	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 整體重量: \| 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上
高性能防護鋼板加工機製研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 須符合軍規組裝測試 \| 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單
高性能防護鋼板試製及小批量產技術開發研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 \| 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單
軍用大型化鋁合金擠型技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2，擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa，降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 \| 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品
高性能鋁擠棒鎔鑄技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl，含氫量需低於0.18cc/100g Al，成品率達80%。 \| 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料
低膨脹係數Al-Si合金成型技術開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC，抗拉強度達100Mpa以上。 \| 潛力預估: 可提供功能性材料應用

共用型軍用發射系統

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

低溫共燒陶瓷微波高密度構裝

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db | 潛力預估:

S-頻段單晶低雜訊放大器

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: ＊頻段:S-頻段＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB | 潛力預估:

直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB | 潛力預估:

低頻高增益帶通濾波器設計開發

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB | 潛力預估:

InSb 320X256紅外線偵檢元件模組

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256冷卻偵檢單元 (RDU)

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: Structure : IDCA RDU Life time > 5年 Cool-down time < 6分鐘 Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

InSb 320X256熱像機

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 偵測波段 : 3-5um 量子效率 > 50% NETD < 30mK IDCA RDU 致冷器冷卻能力 > 0.5W MTBF > 4000小時訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能輸... | 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上

雷射預警系統組裝、測試及維修

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 | 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。

高解析度微波管零組件

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 整體重量: | 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上

高性能防護鋼板加工機製研究

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 須符合軍規組裝測試 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單

高性能防護鋼板試製及小批量產技術開發研究

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 | 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單

軍用大型化鋁合金擠型技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 軍用大型化鋁合金擠型材成品公差應符合ANSI-H35.2，擠製成品之機械性質應抗拉強度大於400MPa，降伏強度大於350MPa伸長率大於8%以上。 | 潛力預估: 可取代傳統鋼質結構材之各種成品

高性能鋁擠棒鎔鑄技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 具備鎔鑄高品質鋁擠棒鎔鑄技術，其非金屬夾雜物含量需低於0.15mm2/kgAl，含氫量需低於0.18cc/100g Al，成品率達80%。 | 潛力預估: 可提供高強度型材之上游原料

低膨脹係數Al-Si合金成型技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 | 領域: | 技術規格: 25 ~ 600C範圍內之熱膨脹係數達到11um/mC，抗拉強度達100Mpa以上。 | 潛力預估: 可提供功能性材料應用

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