Backside TSV製程技術
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技術名稱-中文Backside TSV製程技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是103, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 領域是智慧科技, 技術規格是TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal., 潛力預估是減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊.

序號	6764
產出年度	103
技術名稱-中文	Backside TSV製程技術
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
領域	智慧科技
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	該技術已經成功應用在Logic晶片上，並完成TEG電性驗證。目前正測試用於DRAM晶片。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal.
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	高密度佈局之邏輯晶片與記憶體晶片，應用於記憶體模組的同質與異質堆疊整合。
潛力預估	減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊
聯絡人員	陳玲君
電話	03-5913792
傳真	03-5917690
電子信箱	KellyChen@itri.org.tw
參考網址	無
所須軟硬體設備	Lithography(Aligner or Stepper), Si etcher for TSV, PECVD, PVD, Cu plating, CMP
需具備之專業人才	黃光, 蝕刻, 薄膜, 電鍍, 與化學機械研磨製程之專業人才

序號

6764

產出年度

103

技術名稱-中文

Backside TSV製程技術

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

領域

智慧科技

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

該技術已經成功應用在Logic晶片上，並完成TEG電性驗證。目前正測試用於DRAM晶片。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal.

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

高密度佈局之邏輯晶片與記憶體晶片，應用於記憶體模組的同質與異質堆疊整合。

潛力預估

減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊

聯絡人員

陳玲君

電話

03-5913792

傳真

03-5917690

電子信箱

KellyChen@itri.org.tw

參考網址

無

所須軟硬體設備

Lithography(Aligner or Stepper), Si etcher for TSV, PECVD, PVD, Cu plating, CMP

需具備之專業人才

黃光, 蝕刻, 薄膜, 電鍍, 與化學機械研磨製程之專業人才

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電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9385314 \| 專利期間起: 105/02/09 \| 專利期間訖: 119/12/14 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 李亨元 \| 辜佩儀 \| 陳佑昇 @ 技術司專利資料集
電阻式記憶體裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9378785 \| 專利期間起: 105/03/21 \| 專利期間訖: 123/01/13 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 林志和 \| 李思翰 \| 林文斌 \| 許世玄 @ 技術司專利資料集

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高速大面積電漿光阻剝離技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板尺寸：620×750 mm，第3.5代LCD面板尺寸/製程溫度：≦250℃/‧ 去光阻速度：2μm/min \| 潛力預估: 基板尺寸放大至1100×1250mm (第5代LCD面板尺寸)/高速大面積電漿蝕刻、灰化等相關技術應用
切割模組	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 劃線寬度：3~5 μm/劃線深度：3~5 μm/晶圓厚度量測精度：± 1 μm/劃線力量：5~100g，解析度0.3g \| 潛力預估: 可因應未來生醫晶片、微機電晶片及覆晶片等薄型晶片，在切割預留寬度(street)由50μm期望下降到20μm的產品需求及無碎屑切割裂片技術
脆硬材料裂片裝置	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用晶圓尺寸：6吋/Z軸行程：3mm (可程式控制)/Z軸速度：0.2sec (最快)/Z1軸行程：0.8mm (可程式控制)/Z1軸速度速度：0.3sec (最快)/裂片氣壓缸速度：0.15sec ... \| 潛力預估: 本裝置可整合於鐳射劃線機或鑽石尖點劃線機進行精密的自動劃線裂片製程而廣泛運用於光電與半導體產業
晶圓背磨設備	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 主軸最高轉速：4000 rpm/主軸功率：5.5/7.5 kW/主軸迴轉精度：0.1/1000 rpm/最大工件尺寸：ψ300mm/工作台最高轉速：500rpm/垂直軸行程： 120 mm/垂直軸進給... \| 潛力預估: 針對國內蓬勃發展之半導體產業，光電及其週邊產業，提供合適的加工機具，高精度的設計，適合微米級的加工，尤其是硬脆材料
永磁電機應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最大轉矩：800Nm @ 150rpm,220V or 380V \| 潛力預估: 整合國內傳統電機既有能力，可完整提供新型應用之永磁電機之設計、製作。
次微米平台控制器應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 二軸次微米運動控制系統： ‧ 二軸行程均≧100mm ‧ 載重≧15公斤 ‧ 最小可驅動單位≦0.05μm ‧ 重覆精度≦0.5μm \| 潛力預估: 具備長行程與次微米精度等特性，可應用於微放電加工機、微銑床、微車床、超精密磨床等高精密的CNC加工機上。引領國內業者進入光電、通訊、3C產品與生醫領域等高附加價值的微細加工設備市場。
視窗基底控制器應用技術	執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 硬體中斷即時性≦100μsec，預視≧200 blocks， ITRI人機元件， ITRI RT Wrapper，RTX即時應用程式，程式範例，使用手冊。 \| 潛力預估: 目前產業界的競爭很激烈，大家所使用的產品元件幾乎在功能上沒有差異性。因此，要讓產品能得到更高的附加價值，只有將製程及使用的Know-how加入產品設計，並且減少維護成本，以增加獲利。故視窗基底應用技術...