永磁電機應用技術
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技術名稱-中文永磁電機應用技術的執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 技術規格是最大轉矩:800Nm @ 150rpm,220V or 380V, 潛力預估是整合國內傳統電機既有能力,可完整提供新型應用之永磁電機之設計、製作。.

序號112
產出年度93
技術名稱-中文永磁電機應用技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文應用電腦化之數值磁路及電氣分析等新設計方法 ‧馬達內外徑尺寸、定轉子槽形及氣隙大小對馬達特性之影響 ‧永磁電機之製程規劃 ‧驅動器匹配
技術現況敘述-英文(空)
技術規格最大轉矩:800Nm @ 150rpm,220V or 380V
技術成熟度試量產:本項技術已由業合廠商新國揚電機試作,並送交客戶進行電梯塔時機測試,整合安川電梯專用驅動器進行客戶端驗證。
可應用範圍工具機、產業機械、電梯業、高效率家電、電動車輛
潛力預估整合國內傳統電機既有能力,可完整提供新型應用之永磁電機之設計、製作。
聯絡人員何世江
電話(03) 5916652
傳真(03) 5820454
電子信箱ekangho@itri.org.tw
參考網址http://無
所須軟硬體設備已有馬達對基本生產設備及產能,且有專人負責設計及研發。
需具備之專業人才1.電機、機械、自動控制或電子皆可。 2.馬達製造、驅動器/變頻器應用,主軸設計等皆可。
同步更新日期2023-07-22

序號

112

產出年度

93

技術名稱-中文

永磁電機應用技術

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

應用電腦化之數值磁路及電氣分析等新設計方法 ‧馬達內外徑尺寸、定轉子槽形及氣隙大小對馬達特性之影響 ‧永磁電機之製程規劃 ‧驅動器匹配

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

最大轉矩:800Nm @ 150rpm,220V or 380V

技術成熟度

試量產:本項技術已由業合廠商新國揚電機試作,並送交客戶進行電梯塔時機測試,整合安川電梯專用驅動器進行客戶端驗證。

可應用範圍

工具機、產業機械、電梯業、高效率家電、電動車輛

潛力預估

整合國內傳統電機既有能力,可完整提供新型應用之永磁電機之設計、製作。

聯絡人員

何世江

電話

(03) 5916652

傳真

(03) 5820454

電子信箱

ekangho@itri.org.tw

參考網址

http://無

所須軟硬體設備

已有馬達對基本生產設備及產能,且有專人負責設計及研發。

需具備之專業人才

1.電機、機械、自動控制或電子皆可。 2.馬達製造、驅動器/變頻器應用,主軸設計等皆可。

同步更新日期

2023-07-22

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# 03 5916652 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號146
產出年度93
技術名稱-中文線型馬達控制及配機應用技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文自行設計與發包製造的線型馬達與驅動器,已成功地搭配應用於銲線機、電路板鑽孔機和放電加工機上,提供國內廠商具有售價競爭力的線型馬達系統控制解決方案。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格線型馬達推力最高到3000~5000牛頓、解析度到0.5μm、有效行程最大370~650mm、可以控制於電流、速度和位置迴路、具有各項伺服馬達安全保護。
技術成熟度試量產:本案已交付業者合作廠商舜鵬科技線切割進給軸600N線馬與驅動器2組配合Pcbased 控制器進行實機驗證。
可應用範圍所有推力低於3000~5000 NT的高精度、高加減速的伺服軸應用
潛力預估目前已開始搭配WEDM進給軸配機與系統整合
聯絡人員何世江
電話(03) 5916652
傳真(03) 5820454
電子信箱ekangho@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備DSP韌體設計設備、電路圖繪圖軟體、馬達設計製造設備。
需具備之專業人才1.電機(電力電子)/機械(馬達設計)背景。 2.具備電機機械、控制系統、韌體程式等相關知識。
序號: 146
產出年度: 93
技術名稱-中文: 線型馬達控制及配機應用技術
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 自行設計與發包製造的線型馬達與驅動器,已成功地搭配應用於銲線機、電路板鑽孔機和放電加工機上,提供國內廠商具有售價競爭力的線型馬達系統控制解決方案。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 線型馬達推力最高到3000~5000牛頓、解析度到0.5μm、有效行程最大370~650mm、可以控制於電流、速度和位置迴路、具有各項伺服馬達安全保護。
技術成熟度: 試量產:本案已交付業者合作廠商舜鵬科技線切割進給軸600N線馬與驅動器2組配合Pcbased 控制器進行實機驗證。
可應用範圍: 所有推力低於3000~5000 NT的高精度、高加減速的伺服軸應用
潛力預估: 目前已開始搭配WEDM進給軸配機與系統整合
聯絡人員: 何世江
電話: (03) 5916652
傳真: (03) 5820454
電子信箱: ekangho@itri.org.tw
參考網址:
所須軟硬體設備: DSP韌體設計設備、電路圖繪圖軟體、馬達設計製造設備。
需具備之專業人才: 1.電機(電力電子)/機械(馬達設計)背景。 2.具備電機機械、控制系統、韌體程式等相關知識。

# 03 5916652 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號147
產出年度93
技術名稱-中文永磁同步線型馬達分析設計技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文使用d-q模型計算表解析設計基本馬達電氣參數,配合有限元素分析軟體Maxwell 分析電磁場及負載。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格3000~5000N中重型馬達,600N輕型背向有鐵心線型馬達。
技術成熟度實驗室階段:本項技術為設計與分析實務,以運用於本計劃之各項馬達設計實作,並已完成驗證。
可應用範圍所有永磁同步線型馬達之分析與設計
潛力預估目前已開始搭配WEDM進給軸配機與系統整合
聯絡人員何世江
電話(03) 5916652
傳真(03) 5820454
電子信箱ekangho@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備‧ MS EXCELa‧ Ansoft Maxwella
需具備之專業人才1.電機(電力電子)/機械(馬達設計)背景 2.具備電機機械、控制系統、韌體程式等相關知識
序號: 147
產出年度: 93
技術名稱-中文: 永磁同步線型馬達分析設計技術
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 使用d-q模型計算表解析設計基本馬達電氣參數,配合有限元素分析軟體Maxwell 分析電磁場及負載。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 3000~5000N中重型馬達,600N輕型背向有鐵心線型馬達。
技術成熟度: 實驗室階段:本項技術為設計與分析實務,以運用於本計劃之各項馬達設計實作,並已完成驗證。
可應用範圍: 所有永磁同步線型馬達之分析與設計
潛力預估: 目前已開始搭配WEDM進給軸配機與系統整合
聯絡人員: 何世江
電話: (03) 5916652
傳真: (03) 5820454
電子信箱: ekangho@itri.org.tw
參考網址:
所須軟硬體設備: ‧ MS EXCELa‧ Ansoft Maxwella
需具備之專業人才: 1.電機(電力電子)/機械(馬達設計)背景 2.具備電機機械、控制系統、韌體程式等相關知識

# 03 5916652 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號1018
產出年度94
技術名稱-中文直接驅動電機應用技術
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文低成本直接驅動馬達設計與製作,直接驅動伺服驅動器設計與應用
技術現況敘述-英文(空)
技術規格直驅馬達之設計規格,最高轉速150rpm,最大轉矩250Nm,擎留轉矩100Nm,解晰度(8192p/r’4)0.01°,3種無反電動勢感知起動電氣角偵測方法。建立自行研發旋轉式直接驅動伺服系統基礎。
技術成熟度雛型
可應用範圍5軸加工機,智慧機器人等。
潛力預估可設計與製作主流產品相容性規格,產生關鍵性零件與系統之可替代性
聯絡人員何世江
電話03-5916652
傳真03-5820454
電子信箱ekangho@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備軟體設備:DSP發展系統,電磁馬達社分析軟體。硬體設備:示波器,電流表,阻抗分析儀,訊號產生器,標準電源等。
需具備之專業人才電機,電子,機械,嵌入式軟體。
序號: 1018
產出年度: 94
技術名稱-中文: 直接驅動電機應用技術
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 低成本直接驅動馬達設計與製作,直接驅動伺服驅動器設計與應用
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 直驅馬達之設計規格,最高轉速150rpm,最大轉矩250Nm,擎留轉矩100Nm,解晰度(8192p/r’4)0.01°,3種無反電動勢感知起動電氣角偵測方法。建立自行研發旋轉式直接驅動伺服系統基礎。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 5軸加工機,智慧機器人等。
潛力預估: 可設計與製作主流產品相容性規格,產生關鍵性零件與系統之可替代性
聯絡人員: 何世江
電話: 03-5916652
傳真: 03-5820454
電子信箱: ekangho@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備: 軟體設備:DSP發展系統,電磁馬達社分析軟體。硬體設備:示波器,電流表,阻抗分析儀,訊號產生器,標準電源等。
需具備之專業人才: 電機,電子,機械,嵌入式軟體。

# 03 5916652 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號1039
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文斥力致動磁浮軸承
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
專利發明人林康寧, 游豐檀, 何世江
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼211527
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文本創作係有關於一種斥力致動磁浮軸承,主要於一外環定子內組設有二組磁斥力模組,並於中央轉子軸向二端組設有二個永久磁環已分別對應於上述二磁斥力模組。藉由磁斥力模組內複數個等角佈設之永久磁石,與其對應之永久磁環間形成磁斥力,使中央轉子斷電時能自動保持穩定。並以一控制器控制磁斥力模組內的線圈,在永磁斥力模組之磁通之上以極低之電流對中央轉子運轉中之各種擾動進行補償,使其保持穩定。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員何世江
電話03-5916652
傳真(空)
電子信箱ekangho@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1039
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 斥力致動磁浮軸承
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
專利發明人: 林康寧, 游豐檀, 何世江
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 211527
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 本創作係有關於一種斥力致動磁浮軸承,主要於一外環定子內組設有二組磁斥力模組,並於中央轉子軸向二端組設有二個永久磁環已分別對應於上述二磁斥力模組。藉由磁斥力模組內複數個等角佈設之永久磁石,與其對應之永久磁環間形成磁斥力,使中央轉子斷電時能自動保持穩定。並以一控制器控制磁斥力模組內的線圈,在永磁斥力模組之磁通之上以極低之電流對中央轉子運轉中之各種擾動進行補償,使其保持穩定。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 何世江
電話: 03-5916652
傳真: (空)
電子信箱: ekangho@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03 5916652 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號1040
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文斥力致動磁浮軸承
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
專利發明人林康寧, 游豐檀, 何世江
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,700,259
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文(空)
技術摘要-英文(空)
聯絡人員何世江
電話03-5916652
傳真(空)
電子信箱ekangho@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1040
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 斥力致動磁浮軸承
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
專利發明人: 林康寧, 游豐檀, 何世江
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6,700,259
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: (空)
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 何世江
電話: 03-5916652
傳真: (空)
電子信箱: ekangho@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 03 5916652 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號1041
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文精密氣壓缸配重裝置及其控制方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
專利發明人陳國禎, 許仁源, 游豐檀
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼184725
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本創作係有關『氣壓缸配重裝置』,主要係利用電磁式伺服閥控制氣壓缸,使其氣壓缸的推力正好等於負載端之重力,藉以補償重力對垂直伺服軸的影響。當線型馬達應用在垂直軸的時候,因為沒有導螺桿的機構使得馬達不需要出太大的推力就可以定位在一點,如果使用以往的機械式滑塊配重方式,雖然也可以減輕馬達的出力,但是卻會降低伺服軸的剛性與反應頻寬,使用『氣壓缸配重裝置』時,不但可以克服上述問題,還可以主動地增加輔助推力與安全的制動力。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員何世江
電話03-5916652
傳真(空)
電子信箱ekangho@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1041
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 精密氣壓缸配重裝置及其控制方法
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電腦整合自動化系統技術研究發展四年計畫
專利發明人: 陳國禎, 許仁源, 游豐檀
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 184725
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本創作係有關『氣壓缸配重裝置』,主要係利用電磁式伺服閥控制氣壓缸,使其氣壓缸的推力正好等於負載端之重力,藉以補償重力對垂直伺服軸的影響。當線型馬達應用在垂直軸的時候,因為沒有導螺桿的機構使得馬達不需要出太大的推力就可以定位在一點,如果使用以往的機械式滑塊配重方式,雖然也可以減輕馬達的出力,但是卻會降低伺服軸的剛性與反應頻寬,使用『氣壓缸配重裝置』時,不但可以克服上述問題,還可以主動地增加輔助推力與安全的制動力。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 何世江
電話: 03-5916652
傳真: (空)
電子信箱: ekangho@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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與永磁電機應用技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

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