閃爍體製程技術
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技術名稱-中文閃爍體製程技術的執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 計畫名稱是醫用數位X光系統開發計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是薄膜厚度 : ≧100μm，CTF : >25% at 10Lp/mm。, 潛力預估是可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。.

序號6926
產出年度103
技術名稱-中文閃爍體製程技術
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位(空)
計畫名稱醫用數位X光系統開發計畫
領域民生福祉
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文牙根間、側顱、全口等不同大小之閃爍體。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格薄膜厚度 : ≧100μm，CTF : >25% at 10Lp/mm。
技術成熟度雛型
可應用範圍可應用於牙科之數位X光感測器。
潛力預估可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。
聯絡人員黃科志
電話03-4712201轉357098
傳真03-4714368
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址http://www.csistdup.org.tw/
所須軟硬體設備手持式X光機、PC、CMOS。
需具備之專業人才材料、化工相關背景。

序號

6926

產出年度

103

技術名稱-中文

閃爍體製程技術

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

醫用數位X光系統開發計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

牙根間、側顱、全口等不同大小之閃爍體。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

薄膜厚度 : ≧100μm，CTF : >25% at 10Lp/mm。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

可應用於牙科之數位X光感測器。

潛力預估

可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

聯絡人員

黃科志

電話

03-4712201轉357098

傳真

03-4714368

電子信箱

hohh@csnet.gov.tw

參考網址

http://www.csistdup.org.tw/

所須軟硬體設備

手持式X光機、PC、CMOS。

需具備之專業人才

材料、化工相關背景。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm，CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm，CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm，CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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閃爍體製程技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 薄膜厚度 : ≧100μm，CTF : >25% at 10Lp/mm。 | 潛力預估: 可用於口腔和胸腔之數位X光感測器。

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膠囊內視鏡三維立體影像還原建立方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I428855 | 專利期間起: 119/12/01 | 專利期間訖: 1.內容摘要：本發明係揭露一種三維立體影像之還原建立方法，其係利用一全景式膠囊內視鏡取得不同時間及不同位置之複數環狀影像資訊；先將這些環狀影像資訊展開為複數條狀影像後，依序對該等條狀影像進行比對、連接... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 吳憲明 | 黃科志 | 歐陽盟 | 鄭偉德

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具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構與製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I476143 | 專利期間起: 104/03/11 | 專利期間訖: 121/11/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 專利發明人: 黃科志 | 蔡登宏 | 楊燦南 | 陳順林 | 陳建仲

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磷光影像讀取技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 雷射波段：630±50 nm 掃描面積：31 mm×41 mm(CR, #2) 解析度 ≧ 18 lp/mm 掃描時間 ≦ 6秒 灰階度 ≧ 1024 影像顯示程式 多張讀取 | 潛力預估: 可應用於數位X光磷光片讀取。

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牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%；2 lp/mm時MTF=0.7，5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

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牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%；2 lp/mm時MTF=0.7，5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

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牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%；2 lp/mm時MTF=0.7，5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

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膠囊內視鏡三維立體影像還原建立方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I428855 | 專利期間起: 119/12/01 | 專利期間訖: 1.內容摘要：本發明係揭露一種三維立體影像之還原建立方法，其係利用一全景式膠囊內視鏡取得不同時間及不同位置之複數環狀影像資訊；先將這些環狀影像資訊展開為複數條狀影像後，依序對該等條狀影像進行比對、連接... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 專利發明人: 吳憲明 | 黃科志 | 歐陽盟 | 鄭偉德

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具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構與製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I476143 | 專利期間起: 104/03/11 | 專利期間訖: 121/11/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 專利發明人: 黃科志 | 蔡登宏 | 楊燦南 | 陳順林 | 陳建仲

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磷光影像讀取技術

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 雷射波段：630±50 nm 掃描面積：31 mm×41 mm(CR, #2) 解析度 ≧ 18 lp/mm 掃描時間 ≦ 6秒 灰階度 ≧ 1024 影像顯示程式 多張讀取 | 潛力預估: 可應用於數位X光磷光片讀取。

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牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫用數位X光系統開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%；2 lp/mm時MTF=0.7，5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

@ 技術司可移轉技術資料集

牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%；2 lp/mm時MTF=0.7，5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

@ 技術司可移轉技術資料集

牙根尖用X光磷光板

執行單位: 中科院材料暨光電研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 醫療診斷x光立體影像感測器關鍵技術開發 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 磷光板發光比相比於商用磷光板可達100%；2 lp/mm時MTF=0.7，5 lp/mm時MTF=0.3。 | 潛力預估: 可用於人體各部位數位X光感測器。

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奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

奈米碳纖製程技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ...

4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

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