高效長壽命膜電極組(MEA)及其專利群組
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文高效長壽命膜電極組(MEA)及其專利群組的執行單位是工研院材化所, 產出年度是104, 計畫名稱是綠色電能材料與系統應用開發計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是小瓦數DMFC用：>35mW/cm2，操作溫度7~50oC，壽命>3800h，衰退率140mW/cm2，操作溫度RT~80oC，壽命>5000h，衰退率1100mA/cm2，操作溫度RT~50oC，壽命>5000h，衰退率830mA/cm2，操作溫度RT~50oC，壽命>2000cycle，衰退率, 潛力預估是直接甲醇燃料電池系統兼具燃料攜帶方便性及能量密度高等特點，是具有高移動性、高可靠度、高穩定度且長效之發電產品，最適作為緊急救難電力與野外監測之用。此外，需求高安全性及潔淨環境之高科技廠房(如無塵室、潔淨室)，需要具安全、潔淨與長時間使用之電動搬運車，以直接甲醇燃料電池作為電動搬運車之能源提供系統，亦....

序號7368
產出年度104
技術名稱-中文高效長壽命膜電極組(MEA)及其專利群組
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱綠色電能材料與系統應用開發計畫
領域綠能科技
已申請專利之國家台灣,美國,中國大陸,日本
已獲得專利之國家台灣,美國,中國大陸,日本
技術現況敘述-中文技轉燃料電池之關鍵核心-高效長壽命膜電極組(MEA)之組成設計、製程技術與專利授權。其中專利包含低甲醇滲透耐候質子交換膜、低負載量觸媒修飾結構設計、陰極回水與阻值維持結構以及耐候MEA結構設計等。本技術已完成國外競爭廠商及目標商品之技術發展分析，其膜電極組性能各項目均超過國際競爭業者。此項技轉項目除提供關鍵技術授權外，各項製程之可靠度(再生與再現性、失效模式分析等)皆已通過驗證，具備量產之能力，可縮短國內燃料電池相關業者技術導入時程，迅速提昇其國際市場競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格小瓦數DMFC用：>35mW/cm2，操作溫度7~50oC，壽命>3800h，衰退率140mW/cm2，操作溫度RT~80oC，壽命>5000h，衰退率1100mA/cm2，操作溫度RT~50oC，壽命>5000h，衰退率830mA/cm2，操作溫度RT~50oC，壽命>2000cycle，衰退率
技術成熟度試量產
可應用範圍行動式能源-DMFC MEA, 0.5W~20W。不斷電備用電源-DMFC/PEMFC MEA, 500W~5kW。電動車輛延距、堆高車電源- DMFC/PEMFC MEA, kW~5kW。環境監測(自來水管壓/流量監測、河川水位/水情監測、防盜伐與動物影像監測)-DMFC MEA, 3W~20W。野外救災(急助救難所、無電網Wifi基地台電源等)-DMFC MEA, 1W~kW。
潛力預估直接甲醇燃料電池系統兼具燃料攜帶方便性及能量密度高等特點，是具有高移動性、高可靠度、高穩定度且長效之發電產品，最適作為緊急救難電力與野外監測之用。此外，需求高安全性及潔淨環境之高科技廠房(如無塵室、潔淨室)，需要具安全、潔淨與長時間使用之電動搬運車，以直接甲醇燃料電池作為電動搬運車之能源提供系統，亦為全球發展趨勢之一。全球燃料電池在2013年已有超過12萬套的出貨實績，相較於2012年的出貨數量成長55.8%。至於在未來的成長性預期上，2018年全球燃料電池的出貨數量有望提升至830MW，從2013年到2018年的年間複合成長率(Compound Annual Growth Rate，CAGR)為56.1%，創造超過25億美元的市場規模。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址http://-
所須軟硬體設備混合分散機台、精密塗布(濕膜厚精度達+/-10um以內)、 熱壓合設備(膜電極組壓合精度達+/-10um以內)
需具備之專業人才精密塗布技術(die coating, spray coating等)、高分子薄膜合成與改質、 電化學分析相關
同步更新日期2023-07-22

序號

7368

產出年度

104

技術名稱-中文

高效長壽命膜電極組(MEA)及其專利群組

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

綠色電能材料與系統應用開發計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

台灣,美國,中國大陸,日本

已獲得專利之國家

台灣,美國,中國大陸,日本

技術現況敘述-中文

技轉燃料電池之關鍵核心-高效長壽命膜電極組(MEA)之組成設計、製程技術與專利授權。其中專利包含低甲醇滲透耐候質子交換膜、低負載量觸媒修飾結構設計、陰極回水與阻值維持結構以及耐候MEA結構設計等。本技術已完成國外競爭廠商及目標商品之技術發展分析，其膜電極組性能各項目均超過國際競爭業者。此項技轉項目除提供關鍵技術授權外，各項製程之可靠度(再生與再現性、失效模式分析等)皆已通過驗證，具備量產之能力，可縮短國內燃料電池相關業者技術導入時程，迅速提昇其國際市場競爭力。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

小瓦數DMFC用：>35mW/cm2，操作溫度7~50oC，壽命>3800h，衰退率140mW/cm2，操作溫度RT~80oC，壽命>5000h，衰退率1100mA/cm2，操作溫度RT~50oC，壽命>5000h，衰退率830mA/cm2，操作溫度RT~50oC，壽命>2000cycle，衰退率

技術成熟度

試量產

可應用範圍

行動式能源-DMFC MEA, 0.5W~20W。不斷電備用電源-DMFC/PEMFC MEA, 500W~5kW。電動車輛延距、堆高車電源- DMFC/PEMFC MEA, kW~5kW。環境監測(自來水管壓/流量監測、河川水位/水情監測、防盜伐與動物影像監測)-DMFC MEA, 3W~20W。野外救災(急助救難所、無電網Wifi基地台電源等)-DMFC MEA, 1W~kW。

潛力預估

直接甲醇燃料電池系統兼具燃料攜帶方便性及能量密度高等特點，是具有高移動性、高可靠度、高穩定度且長效之發電產品，最適作為緊急救難電力與野外監測之用。此外，需求高安全性及潔淨環境之高科技廠房(如無塵室、潔淨室)，需要具安全、潔淨與長時間使用之電動搬運車，以直接甲醇燃料電池作為電動搬運車之能源提供系統，亦為全球發展趨勢之一。全球燃料電池在2013年已有超過12萬套的出貨實績，相較於2012年的出貨數量成長55.8%。至於在未來的成長性預期上，2018年全球燃料電池的出貨數量有望提升至830MW，從2013年到2018年的年間複合成長率(Compound Annual Growth Rate，CAGR)為56.1%，創造超過25億美元的市場規模。

聯絡人員

蔡麗端

電話

03-5915310

傳真

03-5820442

電子信箱

LiDuanTsai@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

混合分散機台、精密塗布(濕膜厚精度達+/-10um以內)、 熱壓合設備(膜電極組壓合精度達+/-10um以內)

需具備之專業人才

精密塗布技術(die coating, spray coating等)、高分子薄膜合成與改質、 電化學分析相關

同步更新日期

2023-07-22

根據名稱 高效長壽命膜電極組 MEA 及其專利群組 找到的相關資料

無其他 高效長壽命膜電極組 MEA 及其專利群組 資料。

[ 搜尋所有 高效長壽命膜電極組 MEA 及其專利群組 ... ]

根據電話 03-5915310 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915310 ...)

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號239
產出年度93
技術名稱-中文導電高分子固態電容器及其製造方法
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。
技術成熟度雛型
可應用範圍需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。
潛力預估高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之發展趨勢及市場佔有率分析，未來傳統型二氧化錳之鉭晶片電容萎縮，導電性高分子鉭晶片電容器市佔率率為成長，而導電性高分子捲繞型鋁電解電容及高分子鋁晶片電容之市佔率將呈現大幅成長。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 239
產出年度: 93
技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器及其製造方法
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。
潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之發展趨勢及市場佔有率分析，未來傳統型二氧化錳之鉭晶片電容萎縮，導電性高分子鉭晶片電容器市佔率率為成長，而導電性高分子捲繞型鋁電解電容及高分子鋁晶片電容之市佔率將呈現大幅成長。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號1072
產出年度94
技術名稱-中文電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子鋁晶片電容器相關晶片化封裝技術，包含其電極組合設計、封裝材料研究及其封裝技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC
技術成熟度雛型
可應用範圍需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。
潛力預估高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 、單元電極積層化設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 1072
產出年度: 94
技術名稱-中文: 電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子鋁晶片電容器相關晶片化封裝技術，包含其電極組合設計、封裝材料研究及其封裝技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。
潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備: 硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 、單元電極積層化設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號1636
產出年度95
技術名稱-中文提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱可攜式電能技術研究四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用3滾軸的機械分散方式及特殊界面活性劑的添加可以增加觸媒顆粒的分散性，減少觸媒奈米顆粒的團聚，並且在漿料中添加增稠劑，可以使觸媒漿料得到穩定的分散結果，並且可以達到塗佈所需的黏度。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。
技術成熟度雛型
可應用範圍本技術可應用於直接甲醇燃料電池（DMFC）及氫氣質子交換膜燃料電池(PEMFC)之膜電極組，其中DMFC系統商品化後可應用在手機、PDA、PSP、筆記型電腦等小型攜帶元件上；而PEMFC則可應用於較大型的攜帶式電源系統（300W）、定置型發電機及運輸工具上。
潛力預估本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建立生產機台製作之自主性。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備觸媒合成設備、電化學分析設備、結構鑑定分析設備、流變儀、Zetapotential。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。
序號: 1636
產出年度: 95
技術名稱-中文: 提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用3滾軸的機械分散方式及特殊界面活性劑的添加可以增加觸媒顆粒的分散性，減少觸媒奈米顆粒的團聚，並且在漿料中添加增稠劑，可以使觸媒漿料得到穩定的分散結果，並且可以達到塗佈所需的黏度。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 本技術可應用於直接甲醇燃料電池（DMFC）及氫氣質子交換膜燃料電池(PEMFC)之膜電極組，其中DMFC系統商品化後可應用在手機、PDA、PSP、筆記型電腦等小型攜帶元件上；而PEMFC則可應用於較大型的攜帶式電源系統（300W）、定置型發電機及運輸工具上。
潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建立生產機台製作之自主性。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 觸媒合成設備、電化學分析設備、結構鑑定分析設備、流變儀、Zetapotential。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號1656
產出年度95
技術名稱-中文鋁晶片電容器單元電極技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文導電高分子鋁晶片電容器其高電容量是來自單元電極疊壓所形成之積層化結構，由於電容器朝向高容量、小型化及薄型化方向發展，如何於有限空間中堆疊愈多層之單元電極將成為鋁晶片電容器技術之決勝點，因此單元電極之積層化技術亦為鋁積層晶片電容器之關鍵技術之一。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為了避免電容器封裝成型時產生短路或露餡之問題，精密之疊壓積層化自動設備是不可或缺的。以目前工研院的積層化技術經驗可協助國內機械或自動化設備廠開發精密疊壓設備，如此才能縮短鋁積層晶片電容器之量產時程。
技術成熟度雛型
可應用範圍目前國內導電高分子固態電容器在工研院材化所推動下，已有六家廠商投入捲繞型導電高分子鋁固態電容器，而導電高分子鉭晶片電容器亦有帛漢公司成功投產，因此推動國內業者投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，將使國內導電高分子固態電容器產業鏈更加完備。本計畫將透過技術移轉予既有技術廠商或與應用端合設新創公司推動國內導電高分子鋁晶片電容器產業。
潛力預估本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里程碑，逐步取代傳統型液態電容器，將可創造電解電容器之另一個新的春天。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。
序號: 1656
產出年度: 95
技術名稱-中文: 鋁晶片電容器單元電極技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 導電高分子鋁晶片電容器其高電容量是來自單元電極疊壓所形成之積層化結構，由於電容器朝向高容量、小型化及薄型化方向發展，如何於有限空間中堆疊愈多層之單元電極將成為鋁晶片電容器技術之決勝點，因此單元電極之積層化技術亦為鋁積層晶片電容器之關鍵技術之一。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為了避免電容器封裝成型時產生短路或露餡之問題，精密之疊壓積層化自動設備是不可或缺的。以目前工研院的積層化技術經驗可協助國內機械或自動化設備廠開發精密疊壓設備，如此才能縮短鋁積層晶片電容器之量產時程。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 目前國內導電高分子固態電容器在工研院材化所推動下，已有六家廠商投入捲繞型導電高分子鋁固態電容器，而導電高分子鉭晶片電容器亦有帛漢公司成功投產，因此推動國內業者投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，將使國內導電高分子固態電容器產業鏈更加完備。本計畫將透過技術移轉予既有技術廠商或與應用端合設新創公司推動國內導電高分子鋁晶片電容器產業。
潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里程碑，逐步取代傳統型液態電容器，將可創造電解電容器之另一個新的春天。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號1977
產出年度96
技術名稱-中文導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度雛型
可應用範圍目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 1977
產出年度: 96
技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號2445
產出年度96
技術名稱-中文導電高分子固態電容器材料及製程技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度雛型
可應用範圍目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2445
產出年度: 96
技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器材料及製程技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號2446
產出年度96
技術名稱-中文多孔性結構電極成型及其燒結技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發新世代導電性高分子高CV晶片固態電容器之多孔性電極技術，包含其電極設計、成型技術及燒結技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子高CV晶片固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。
技術成熟度雛型
可應用範圍電腦資訊、電子及無線通訊等產品
潛力預估台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2446
產出年度: 96
技術名稱-中文: 多孔性結構電極成型及其燒結技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發新世代導電性高分子高CV晶片固態電容器之多孔性電極技術，包含其電極設計、成型技術及燒結技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子高CV晶片固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 電腦資訊、電子及無線通訊等產品
潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號2447
產出年度96
技術名稱-中文晶片電容器單元電極技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。
技術成熟度雛型
可應用範圍捲繞型固態電容器、晶片型-鋁質/鉭質/鈮質固態電容器、鋰電池正極材料、抗靜電塗層材料、高分子電激發光元件
潛力預估導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全球市場達5.5億美元。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2447
產出年度: 96
技術名稱-中文: 晶片電容器單元電極技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 捲繞型固態電容器、晶片型-鋁質/鉭質/鈮質固態電容器、鋰電池正極材料、抗靜電塗層材料、高分子電激發光元件
潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全球市場達5.5億美元。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
[ 搜尋所有 03-5915310 ... ]

與高效長壽命膜電極組(MEA)及其專利群組同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

奈米導電粉體製造技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米，其外披覆有機殼層而呈核殼結構 | 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模

軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%，邊際效益< 2mm；3C放電容量維持率達94% | 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增，保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$

材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發，其電氣特性符合:測試頻率：< 65 GHz, K Value：1 | 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力，強化對產品設計及特性之掌握度，加速產品進入市場的速度，提高競爭力

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術：氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o；氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm；氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙，並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能，在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率＜65GHz, 1＜K＜100,10＜Q＜1’10000,誤差￡±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術，支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統，提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

高離子導電性質子傳導膜應用評估技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧半氟系磺酸化離子高分子材料 ‧質子導電度：8*10-2 S/cm ‧甲醇穿透度：8*10-7 cm2/sec ‧膨潤性：40-60wt% ‧耐熱性：>250℃ | 潛力預估: 攜帶型產品電力消耗與日遽增，在今日電子產品小型化、多功能化的趨勢下，對電池的要求也日漸升高。目前鋰電池的能量密度已接近發展的極限(500～600Whr/l)，未來高能量密度電池之開發為目前各消費電子大...

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術，為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計，是以金屬奈米粒子觀念為出發點，當隨粒子粒徑越小時，比表面積越高，催化活性也越強，再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A，B，C，D，E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場，極具市場潛力

聚合型旋光性液晶化學品開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體，純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元，市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年，增亮膜市場約新台幣3000萬/年

12吋晶圓廠製程排水回收計畫

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗，不僅可提升回收水質與水回率，且因機台排管分流資料庫的建立，大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後，基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50％之目標，故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備，此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題，任何的微量有機殘留都會影響製程與良率，因此有機物殘留檢測技術的建立，除了可以驗證清洗效率外，並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格：TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格，科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載，或直流變頻壓縮機，展現節能效益，或更進一步的控制。此為其商業淺力。

奈米導電粉體製造技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 奈米導電/磁性粉體粒徑小於30奈米，其外披覆有機殼層而呈核殼結構 | 潛力預估: 電磁波遮蔽與高頻磁性應用之奈米粉體材料國內市場潛力約在新台幣24億元規模

軟凝態奈米混成材料分散及流變技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 塗膜厚度均勻性>90%，邊際效益< 2mm；3C放電容量維持率達94% | 潛力預估: 自2005年起鋰電池電極板需求量激增，保守估計國內每月需求量9萬米平方產值約1.3億NT$

材料高頻電磁特性量測技術開發先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 高頻測試治具與測試標準評估與開發，其電氣特性符合:測試頻率：< 65 GHz, K Value：1 | 潛力預估: 可提升廠商之高頻量測技術能力，強化對產品設計及特性之掌握度，加速產品進入市場的速度，提高競爭力

多元合金細晶及成形技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鎂鋁合金材料晶粒尺寸﹤1mm、鎂鋁合金材料伸長率> 300%、多元合金塗層具有﹤5w /m. k之熱傳導率及Hv500以上之硬度 | 潛力預估: 3C產品鎂鋁合金外殼產值目前有80億, 預估每年有20-30%之成長率

奈米一維材料製造技術-垂直氧化鋅奈米線技術先期技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 一維氧化鋅奈米線材料之垂直有序排列的技術：氧化鋅奈米線/纖維材料之成長於Si基板角度為70o~90o；氧化鋅奈米線/纖維材料之寬徑30~300nm；氧化鋅奈米線/纖維材料長度≧2.5μm | 潛力預估: 本研究初期成果已克服了垂直氧化鋅奈米線在矽基板成長之障礙，並且成功驗證垂直氧化鋅奈米線在場發射功能，在此有利之基礎上,提高控制性與大面積之成長技術建立強化,並對於多種性質之其它光電元件用基板材之實施,...

微波材料測試治具開發技術授權

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材料K,Q量測, 測試頻率＜65GHz, 1＜K＜100,10＜Q＜1’10000,誤差￡±0.5% | 潛力預估: 建立壓電膜材之壓電參數量測技術，支援相關應用產品開發。提供確認壓電膜材製作技術與產品設計開發可行性評估。可以利用已有的技術開發國內還沒有的量測系統，提供壓電薄膜在wafer level階段時的定量量...

高離子導電性質子傳導膜應用評估技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧半氟系磺酸化離子高分子材料 ‧質子導電度：8*10-2 S/cm ‧甲醇穿透度：8*10-7 cm2/sec ‧膨潤性：40-60wt% ‧耐熱性：>250℃ | 潛力預估: 攜帶型產品電力消耗與日遽增，在今日電子產品小型化、多功能化的趨勢下，對電池的要求也日漸升高。目前鋰電池的能量密度已接近發展的極限(500～600Whr/l)，未來高能量密度電池之開發為目前各消費電子大...

化學鍍活化液與其化學鍍技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧化學鍍速率>0.25 ug/cm2.S ‧粒子平均粒徑12個月 | 潛力預估: 化學鍍活化液及其化學鍍技術，為一針對未來實行化學鍍進行超薄薄膜製程與習用化學鍍活化液缺點所設計，是以金屬奈米粒子觀念為出發點，當隨粒子粒徑越小時，比表面積越高，催化活性也越強，再加上粒子表面有有機穩定...

MB-OFDM UWB Matlab Baseband Simulation Platform

執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: - 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform。 - Group A，B，C，D，E ... | 潛力預估: 可搶攻UWB、Wireless USB等市場，極具市場潛力

聚合型旋光性液晶化學品開發

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: HTP=30.44mm-1之旋光性液晶單體，純度>98% | 潛力預估: 聚合型高螺旋扭轉力液晶單體全球市場4億日元，市場佔有率若以5%計算約為新台幣500萬元/年，增亮膜市場約新台幣3000萬/年

12吋晶圓廠製程排水回收計畫

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 協助廠商提升水回收率10~15% | 潛力預估: 根據力晶12吋廠實際推動的經驗，不僅可提升回收水質與水回率，且因機台排管分流資料庫的建立，大幅提升污染事故的處置效率與經濟效益。

大面積TFT-LCD 光激化乾式清洗技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 玻璃基板經 UV 光照射清洗後，基板上五點接觸角平均 < 10度 | 潛力預估: 應映2008年LCD設備國產化需達50％之目標，故國內廠商需積極佈局易跨入之前段製程設備，此製程技術與設備皆為前段清洗設備必須。

晶圓表面有機污染檢測技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成Trinton-X-100 1 ppm及50 ppm的檢量線 | 潛力預估: 高科技業中微污染控制是很重要的議題，任何的微量有機殘留都會影響製程與良率，因此有機物殘留檢測技術的建立，除了可以驗證清洗效率外，並能確保substrate表面之潔淨度。

奈米用水系統微量有機物質氧化去除技術

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 0.13 mm 製程水質規格：TOC ≦ 0.8 ppb、Bacteria < 1 cfu/ml、total SiO2 ≦ 1 ppb、ion < 20 ppt、Particle ≦ 2 count... | 潛力預估: 應映奈米及高科技製程所需用水規格，科針對國內12吋晶圓及下世代大尺寸的用水系統進行設計。

以ST微控器為控制核心之無感測直流無刷馬達驅動器

執行單位: 工研院能資所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 有機會應用於風扇負載，或直流變頻壓縮機，展現節能效益，或更進一步的控制。此為其商業淺力。

　|