GaN on Si 磊晶及元件技術
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技術名稱-中文GaN on Si 磊晶及元件技術的執行單位是工研院電光所, 產出年度是104, 計畫名稱是光電半導體元件與系統應用關鍵計畫, 領域是綠能科技, 技術規格是8吋GaN on Si： (1)藍光LED：λ=430nm~480nm，厚度>4um，氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec，(102)~470arcsec，thin-GaN製程技術。 (2)AlGaN/GaN HEMT元件： electron mobility > 1200 cm2 V-1..., 潛力預估是大尺寸GaN on Si磊晶技術，可協助業界降低生產成本，切入發光二極體與功率元件應用領域。.

序號	7566
產出年度	104
技術名稱-中文	GaN on Si 磊晶及元件技術
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
領域	綠能科技
已申請專利之國家	TW/CN/US
已獲得專利之國家	TW/CN/US
技術現況敘述-中文	本技術包含GaN on Si之磊晶及元件技術，Si基板尺寸為6~8吋，可應用於LED發光二極體、Power和Rf功率元件，自有緩衝層專利結構可解決GaN/Si晶片裂縫問題、提升薄膜品質。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	8吋GaN on Si： (1)藍光LED：λ=430nm~480nm，厚度>4um，氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec，(102)~470arcsec，thin-GaN製程技術。 (2)AlGaN/GaN HEMT元件： electron mobility > 1200 cm2 V-1 s-1，sheet carrier density > 1 x 1013 cm-2，Breakdown voltage >600V，厚度均勻度<10%，D-mode and E-mode製程。
技術成熟度	雛型
可應用範圍	(1)LED：交通號誌、交通照明燈具、全彩化顯示幕、照明用。 (2)HEMT：電力及車用電子、無線通訊的高頻功率放大器等產業。
潛力預估	大尺寸GaN on Si磊晶技術，可協助業界降低生產成本，切入發光二極體與功率元件應用領域。
聯絡人員	張弘文
電話	03-5918018
傳真	03-5915138
電子信箱	hwchang@itri.org.tw
參考網址	https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_cont.aspx?&SiteID=1&MmmID=620621110650707703&ST=D&TD=B&OZ=51&MSid=4565
所須軟硬體設備	需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之半導體廠商。
需具備之專業人才	需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之專業。

序號

7566

產出年度

104

技術名稱-中文

GaN on Si 磊晶及元件技術

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

光電半導體元件與系統應用關鍵計畫

領域

綠能科技

已申請專利之國家

TW/CN/US

已獲得專利之國家

TW/CN/US

技術現況敘述-中文

本技術包含GaN on Si之磊晶及元件技術，Si基板尺寸為6~8吋，可應用於LED發光二極體、Power和Rf功率元件，自有緩衝層專利結構可解決GaN/Si晶片裂縫問題、提升薄膜品質。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

8吋GaN on Si： (1)藍光LED：λ=430nm~480nm，厚度>4um，氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec，(102)~470arcsec，thin-GaN製程技術。 (2)AlGaN/GaN HEMT元件： electron mobility > 1200 cm2 V-1 s-1，sheet carrier density > 1 x 1013 cm-2，Breakdown voltage >600V，厚度均勻度<10%，D-mode and E-mode製程。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

(1)LED：交通號誌、交通照明燈具、全彩化顯示幕、照明用。 (2)HEMT：電力及車用電子、無線通訊的高頻功率放大器等產業。

潛力預估

大尺寸GaN on Si磊晶技術，可協助業界降低生產成本，切入發光二極體與功率元件應用領域。

聯絡人員

張弘文

電話

03-5918018

傳真

03-5915138

電子信箱

hwchang@itri.org.tw

參考網址

https://www.itri.org.tw/chi/Content/techTransfer/tech_tran_cont.aspx?&SiteID=1&MmmID=620621110650707703&ST=D&TD=B&OZ=51&MSid=4565

所須軟硬體設備

需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之半導體廠商。

需具備之專業人才

需有磊晶成長技術或光電製程相關經驗之專業。

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高速光傳接模組技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧1.25Gigabit Ethernet Transceiver：單模/Output Power>-11dBm.Sensitivity-10dBm.Sensitivity-8dBm.Sensitiv... \| 潛力預估: 將可與國際模組廠商作技術競爭並符合國際系統廠商規格同時將參與國際光通訊規格制定。 @ 技術司可移轉技術資料集
高速光電元件技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 符合2.5Gigabit Ethernet要求。 ‧ 符合Bellcore 468元件環測要求。 \| 潛力預估: 因應將來FTTX時機的到來，會對LD與PIN的市場需求量大增，故應提昇培養技術成熟度與量產的技巧，以符合未來市場或技轉的要求。 @ 技術司可移轉技術資料集
摻鉺光纖放大器製作技術 (Erbium-Doped Fiber Amplifier Assembling Technology)	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *‧ Operation Wavelength:1530~1560nm. ‧ Input Power:-20dBm16chs. ‧ Gain:>22Db. ‧ Gain Stability: \| 潛力預估: 將開發寬頻光放大器及小型化技術以增加放大頻寬，強化光放大器產業，支援關鍵性技術開發，以發展Metro/Access網路環境技術。** @ 技術司可移轉技術資料集
微光機電技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time \| 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢，為未來製程發展之趨勢。 @ 技術司可移轉技術資料集
高速光發射、接收次模組封裝技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Low cost TO-Can Package ‧ Uncooled 1310nm DFB TOSA ‧ 10km transmission ‧ SC/LC receptacle package ... \| 潛力預估: 由於TO-Can 封裝為國內光通訊光電元件封裝技術中最成熟之技術，本技術若結合廠商生產能力，將可大幅降低10Gb/s光電元件封裝製作成本。 @ 技術司可移轉技術資料集
平面光波導對準封裝技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Single Fiber/Fiber Array Block (FAB) to Waveguide Alignment ‧ Automatic Search and Optimization ‧ ... \| 潛力預估: 本技術可快速且精準的完成耦光對準及填膠固化，並可通過環境測試，極具市場潛力。 @ 技術司可移轉技術資料集
波長鎖定器製作技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Channel Spacing : 50 or 100 GHz ‧ Center Wavelength : ITU grid (1520nm~1570nm) ‧ Wavelength stabil... \| 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。 @ 技術司可移轉技術資料集
高功率Pump雷射耦合器	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Center Wavelength : 1480nm ‧ Center Wavelength Range : ±40nm ‧ Insertion Loss : 55dB ‧ Directivity... \| 潛力預估: 未來光通訊系統進入CDWM與DWDM時，此元件將為不可或缺之關鍵元件。 @ 技術司可移轉技術資料集

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數位驅動控制器	執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.迴授精度線性：± 0.5%。2.機械行程：50 ± 2 Degrees。3.電氣行程：45±2 Degrees。4..操作電壓：18 ~ 32V。5.標準操作電壓值：24V。6.無載速度：130 ... \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
火鶴軍用小靶機設計	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 翼展2.5米、全長2.8米、高度0.6米空重≦75公斤、最大總重≦90公斤最大飛行速度150節飛行升限≦10,000英呎續航時間≦1.5小時、導控距離≦50公里採彈射及滑行起飛等需求規格設計 \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
數位飛控電腦模組設計、製造	執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最大尺寸25×15×15公分、重量約3公斤震動符合MIL-HDBK-5400 PARA.4.6.2.5.1儲存溫度：-55 ~ +85℃操作環境：-40 ~ +55℃；+70℃至少30分鐘可靠度 MT... \| 潛力預估: 可進入軍品市場，取代進口。
共用型軍用發射系統	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 機械與航太領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: １．符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術，傳輸率1Mbits/S。２．機電系統整合技術，自測度達90%，故障隔離度達85%。３．電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 \| 潛力預估: 可進入軍品市場，進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會
低溫共燒陶瓷微波高密度構裝	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: ＊構裝空腔氣密符合氣泡粗漏規格＊輸出入端折返損耗:＞15dB＊介入損耗:＜0.5 Db \| 潛力預估:
S-頻段單晶低雜訊放大器	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: ＊頻段:S-頻段＊增益:＞15dB ＊P1dB:＞16dBm ＊N.F:＜2dB \| 潛力預估:
直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輸出頻寬由0-160MHz,功率約-8dBm,工作溫度範圍在-40~+85℃,信號雜音比能達到60 dB \| 潛力預估:
低頻高增益帶通濾波器設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 頻寬在30kHz~160kHz,平均增益90dB \| 潛力預估:
InSb 320X256紅外線偵檢元件模組	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Format : 320X256 Pitch : 30um RoA > 1.E5Ohm-cm2 漏電流 < 1nA (負偏壓250mV) 接合良率 > 99.9% 操作率 > 99% \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
InSb 320X256冷卻偵檢單元 (RDU)	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: Structure : IDCA RDU Life time > 5年 Cool-down time < 6分鐘 Vacuum < 1.E-8 Torr (下機) \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
InSb 320X256熱像機	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 偵測波段 : 3-5um 量子效率 > 50% NETD < 30mK IDCA RDU 致冷器冷卻能力 > 0.5W MTBF > 4000小時訊號處理電路 : 具驅動、補償(兩點)及成像功能輸... \| 潛力預估: 96-115年：新增需求之年產值為5億元以上，而後勤維修補保之年產值為3億元以上
雷射預警系統組裝、測試及維修	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可判別雷射測距儀、雷射乘波導引及雷射指標器等威脅源種類。 \| 潛力預估: 96-100年：陸軍規劃採購總價高達10億元(約1,000套) 。
高解析度微波管零組件	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊與光電領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 整體重量: \| 潛力預估: 國防工業相關計畫微波管五億以上及雷達系統需求之微波管數千萬以上
高性能防護鋼板加工機製研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 須符合軍規組裝測試 \| 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單
高性能防護鋼板試製及小批量產技術開發研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 需通過APM2穿甲彈槍擊驗證 \| 潛力預估: 96-115年：年產值為2.4億元以上之軍品訂單

GaN on Si 磊晶及元件技術 - 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

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