高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物的核准國家是中華民國, 證書號碼是196134, 專利性質是發明, 執行單位是中科院化學所, 產出年度是93, 計畫名稱是關鍵元件材料開發及應用四年計畫, 專利發明人是張錫邦 ,鄒正德 ,李鴻飛.

序號	309
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物
執行單位	中科院化學所
產出單位	(空)
計畫名稱	關鍵元件材料開發及應用四年計畫
專利發明人	張錫邦 \| 鄒正德 \| 李鴻飛
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	196134
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物，對無機系遇熱膨脹型耐燃劑而言，可膨脹性石墨由於售價較昂且其燃燒後所形成之碳化層較為鬆散，因此尚需借助其他方式來強化其碳化層結構強度，而矽酸鹽類其優點為價廉、製程容易及無污染，具有高膨脹壓力且燃燒所生成之Char結構強度極為優異，但卻有抗水性普遍不佳之缺點。本發明以提升矽酸鹽中之B/Na莫耳比率並兼顧其遇熱膨脹倍率之方式，來改進其抗水性。因此具有優異抗水特性，可做為功能添加劑，加入其他膠合劑(Binder)中，做成各式耐燃材料。依本發明製作之遇熱膨脹型耐燃劑或其製品，其抗水性及使用壽命較一般類似商品可增加1倍以上，甚具產業利用價值。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	周進義
電話	03-4458328
傳真	(空)
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

309

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物

執行單位

中科院化學所

產出單位

(空)

計畫名稱

關鍵元件材料開發及應用四年計畫

專利發明人

張錫邦 | 鄒正德 | 李鴻飛

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

196134

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物，對無機系遇熱膨脹型耐燃劑而言，可膨脹性石墨由於售價較昂且其燃燒後所形成之碳化層較為鬆散，因此尚需借助其他方式來強化其碳化層結構強度，而矽酸鹽類其優點為價廉、製程容易及無污染，具有高膨脹壓力且燃燒所生成之Char結構強度極為優異，但卻有抗水性普遍不佳之缺點。本發明以提升矽酸鹽中之B/Na莫耳比率並兼顧其遇熱膨脹倍率之方式，來改進其抗水性。因此具有優異抗水特性，可做為功能添加劑，加入其他膠合劑(Binder)中，做成各式耐燃材料。依本發明製作之遇熱膨脹型耐燃劑或其製品，其抗水性及使用壽命較一般類似商品可增加1倍以上，甚具產業利用價值。

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周進義

電話

03-4458328

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備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

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酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可廣泛的應用於氣體偵測膜、感應器、封裝材料、光電通訊材料和生醫材料等工業產品。 \| 潛力預估: 有賴技術推廣 @ 技術司可移轉技術資料集
含磷化合物及其難燃應用	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195040 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄,江孟丹,劉英麟 @ 技術司專利資料集
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主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6753655 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6737303 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋
薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189563 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200395 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6642595 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中, 高明哲
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188234 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6663214 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝
積體化流體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189552 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁
電磁驅動光開關及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191670 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 盧慧娟, 李新立, 張文陽, 李政鴻
應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206522 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇
可撓性之光電傳輸匯流排	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206592 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈里正, 陳有志, 張恕銘, 柯志祥
N型奈米碳管元件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王宏祥, 魏拯華, 高明哲
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190648 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑
光波導製程之階梯覆蓋率的測試結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191701 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡柏豪, 邱景宏, 顏凱翔, 劉文俊, 李裕文
埋藏式電容結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192752 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇

高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

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