微流模組
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文微流模組的核准國家是中華民國, 證書號碼是186642, 專利性質是發明, 執行單位是工研院光電所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代光資訊系統技術發展五年計畫, 專利發明人是楊進成, 毛慶宜, 吳周霖.

序號	389
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	微流模組
執行單位	工研院光電所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代光資訊系統技術發展五年計畫
專利發明人	楊進成 \| 毛慶宜 \| 吳周霖
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	186642
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種微流模組，使用微流體流通道阻障層，並在其中裝設致動元件、流體噴射腔體以及複數個具有漸縮幾何形狀的流體輸出通道與流體進入通道，利用致動元件例如加熱器將工作流體加熱而產生熱氣泡，並藉由產生熱氣泡的瞬間高壓將工作流體噴射至外界，同時經由流體輸出通道將受壓迫之工作流體排出，並藉流體進入通道補充工作流體，使得流體噴射腔體內的工作流體流動的流場方向具有一致性，且相鄰之流體噴射腔之流場方向相反，而整體呈現單一流動方向的流動，因此不僅大幅增加工作流體的回填速度，也同時提升系統的操作頻率。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	林玉君
電話	(03)5917456
傳真	(空)
電子信箱	JanetLin@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

389

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

微流模組

執行單位

工研院光電所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代光資訊系統技術發展五年計畫

專利發明人

楊進成 | 毛慶宜 | 吳周霖

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

186642

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種微流模組，使用微流體流通道阻障層，並在其中裝設致動元件、流體噴射腔體以及複數個具有漸縮幾何形狀的流體輸出通道與流體進入通道，利用致動元件例如加熱器將工作流體加熱而產生熱氣泡，並藉由產生熱氣泡的瞬間高壓將工作流體噴射至外界，同時經由流體輸出通道將受壓迫之工作流體排出，並藉流體進入通道補充工作流體，使得流體噴射腔體內的工作流體流動的流場方向具有一致性，且相鄰之流體噴射腔之流場方向相反，而整體呈現單一流動方向的流動，因此不僅大幅增加工作流體的回填速度，也同時提升系統的操作頻率。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

林玉君

電話

(03)5917456

傳真

(空)

電子信箱

JanetLin@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

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后庄仔	方向: 回程 \| 站序: 30 \| 路線: 6 \| 路線名稱: 干城站 - 忠義里 \| 英文站點名稱: Houzhuangzi @ 臺中市市區公車站牌資料
后庄仔	方向: 回程 \| 站序: 29 \| 路線: 6副 \| 路線名稱: 干城站 - 原民中心 \| 英文站點名稱: Houzhuangzi @ 臺中市市區公車站牌資料
后庄仔	方向: 去程 \| 站序: 5 \| 路線: 23 \| 路線名稱: 中清同榮路口 - 中興東南路口 \| 英文站點名稱: Houzhuangzi @ 臺中市市區公車站牌資料
后庄仔	方向: 去程 \| 站序: 6 \| 路線: 54 \| 路線名稱: 下港尾 - 樹仔腳 \| 英文站點名稱: Houzhuangzi @ 臺中市市區公車站牌資料
后庄仔	方向: 回程 \| 站序: 32 \| 路線: 61 \| 路線名稱: 太平 - 臺中車站 - 大雅 \| 英文站點名稱: Houzhuangzi @ 臺中市市區公車站牌資料
后庄仔	方向: 去程 \| 站序: 4 \| 路線: 82 \| 路線名稱: 貿易三村 - 臺中車站 - 貿易三村 \| 英文站點名稱: Houzhuangzi @ 臺中市市區公車站牌資料
后庄仔	方向: 去程 \| 站序: 4 \| 路線: 82延 \| 路線名稱: 貿易三村 - 高鐵臺中站 \| 英文站點名稱: Houzhuangzi @ 臺中市市區公車站牌資料
后庄仔	方向: 去程 \| 站序: 8 \| 路線: 108 \| 路線名稱: 港尾 - 南開科技大學校區 \| 英文站點名稱: Houzhuangzi @ 臺中市市區公車站牌資料

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微流模組	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6926391 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 楊進成、毛慶宜、吳周霖 @ 技術司專利資料集
微流模塊	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03101748.7 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 楊進成、毛慶宜、吳周霖 @ 技術司專利資料集

微流模組

@ 技術司專利資料集

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選殖裝置及其分割擷取機構	核准國家: 英國 \| 證書號碼: GB2466738 \| 專利期間起: 116/12/30 \| 專利期間訖: 一種選殖裝置，用以選殖一細胞或組織團塊，包括一機座、一進給機構以及一分割擷取機構。機座具有一平台，用以置放細胞或組織團塊。進給機構設置於機座上，並可相對於平台移動。分割擷取機構設置於進給機構上，包括一... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳婉昕 ,徐麗道 ,古有彬 ,陳玉美 @ 技術司專利資料集
DVD-RW或DVD-Multi光學頭	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Product Type: For DVD-Multi、DVD±RW and CD-ROM/R/RW；Laser Diode: 650±10nm & 780±10nm；Objective Lens: ... \| 潛力預估: TRI預估在台灣、中國廠商開始加入DVD錄放影機生產後，全球DVD錄放影機量產規模將大幅增加。在售價逼近DVD Player後將完全取代之 @ 技術司可移轉技術資料集
DVD-Player光學頭	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Product Type: For DVD-ROM/Vedio；Laser Diode: 650±10nm & 780±10nm；Objective Lens: NA=0.60 for DVD ；NA... \| 潛力預估: DVD-PLAYER於世界不同生活水平區域仍有廣大市場 @ 技術司可移轉技術資料集
HD DVD光學頭	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Product Type: HD DVD/DVD Rewritable, CD Read only；Laser Diode: 405±10nm / 660nm±10nm/785±10nm；bjecti... \| 潛力預估: 預估2008年藍光碟機銷售金額會達到2714億台幣(約US$ 8,100 M), 且年成長率超過100% @ 技術司可移轉技術資料集
SD Card/SD Host/驗證測試	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 依據SDA發行之規格書與測試規範執行。 \| 潛力預估: @ 技術司可移轉技術資料集
HD-DVD/DVD±R光碟片	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 染料純度>98%；碟片符合4.7GB ,DVD-R Book。 \| 潛力預估: 可規避染料權利金，提昇國內廠商之競爭力 @ 技術司可移轉技術資料集
多層光碟片	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複製的唯讀型DVD光碟片符合DVD規格書。 \| 潛力預估: 用於多記錄層光碟片如daul-layer HD-DVD/BD/DVD Disc、螢光多層光碟片等可規避權利金，並提高碟片記錄容量。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變型濺鍍靶材製作技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 2吋3吋。 \| 潛力預估: 相變型DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW光碟片之關鍵材料。 @ 技術司可移轉技術資料集

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與微流模組同分類的技術司專利資料集

場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I221624 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 周有偉, 葉國光, 戴椿河, 張志銘
微米針頭陣列製造方法及其結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 194421 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳玄芳, 周淑金, 葉信宏, 楊昀良, 顏佳瑩
薄膜之低溫成長方法與設備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200889 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 彭成鑑, 陳豐彥
薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 198451 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 邢泰剛, 戴建雄, 田慶成, 李耀東
具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224079 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳一誠, 曾永寬, 林澤勝
平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224891 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 戴建雄, 邢泰剛, 田慶成, 李耀東
積體化薄膜被動元件之製造方法及其結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195323 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張宏宜, 鄭世裕, 許清淵
製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,737,282 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 鄭世裕, 陳雲田
一種具有多階反射率的可覆寫相變化型光記錄媒體結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220521 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 方敦盈, 曾美榕, 鄧明人, 蔡松雨
超高密度可錄式光資訊記錄媒體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220522 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾美榕, 徐偉智, 蔡松雨, 鄧明人
有機電激發光裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207098 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾美榕, 劉仲明, 王俊凱, 林顯光
積層質子交換膜、其製造方法以及包含該積層質子交換膜的直接甲醇進料型燃料電池	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195331 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳中屏, 陳振鑾, 施志哲, 陳致源
氣體感測器及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202724 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 魏碧玉, 賴宏仁, 蘇平貴, 吳仁彰, 林鴻明, 孫益陸
薄膜氣體擴散電極及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190616 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 李文錦, 周淑金, 葉信宏, 陳冠良, 謝坤龍, 陳銘倫
增加電荷耦合裝置影像動態範圍之新技術	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,707,499 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 貢振邦, 林子平, 尤智仕

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專利發明人

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