固態電容器之含浸設備 - 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部 專利名稱-中文固態電容器之含浸設備 的核准國家是中華民國 , 執行單位是工研院材料所 , 產出年度是93 , 專利性質是新型 , 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 , 專利發明人是蔡麗端, 朱堯熹, 陳增堯, 杜佾璋, 莊思賢, 溫獻瑞 , 證書號碼是210173 .
根據識別碼 210173 找到的相關資料 (以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 210173 電話: 0492261777 | 驗證狀態: 通過 | 產品品項: 穀物加工品 | 證書效期: 2024/09/12 | 南投縣南投市福興里彰南路三段999號
@ 臺灣有機農業資訊 站位代碼: 74604 | 地址: 淡水區淡金路四段499號斜對面(向北) | 去返程: 1 | 上下車站別: 0 | 所屬路線代碼: 16790 | Bus Stop Name: St. John‘s University
@ 公車站位資訊
電話: 0492261777 | 驗證狀態: 通過 | 產品品項: 穀物加工品 | 證書效期: 2024/09/12 | 南投縣南投市福興里彰南路三段999號
@ 臺灣有機農業資訊 站位代碼: 74604 | 地址: 淡水區淡金路四段499號斜對面(向北) | 去返程: 1 | 上下車站別: 0 | 所屬路線代碼: 16790 | Bus Stop Name: St. John‘s University
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根據姓名 蔡麗端 朱堯熹 陳增堯 杜佾璋 莊思賢 溫獻瑞 找到的相關資料 根據電話 03-5915310 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915310 序號 239 產出年度 93 技術名稱-中文 導電高分子固態電容器及其製造方法 執行單位 工研院材料所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。
2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。 潛力預估 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之發展趨勢及市場佔有率分析，未來傳統型二氧化錳之鉭晶片電容萎縮，導電性高分子鉭晶片電容器市佔率率為成長，而導電性高分子捲繞型鋁電解電容及高分子鋁晶片電容之市佔率將呈現大幅成長。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員 蔡麗端 電話 03-5915310 傳真 03-5820442 電子信箱 LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 239 產出年度: 93 技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器及其製造方法 執行單位: 工研院材料所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。
2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之發展趨勢及市場佔有率分析，未來傳統型二氧化錳之鉭晶片電容萎縮，導電性高分子鉭晶片電容器市佔率率為成長，而導電性高分子捲繞型鋁電解電容及高分子鋁晶片電容之市佔率將呈現大幅成長。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員: 蔡麗端 電話: 03-5915310 傳真: 03-5820442 電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號 1072 產出年度 94 技術名稱-中文 電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術 執行單位 工研院材料所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子鋁晶片電容器相關晶片化封裝技術，包含其電極組合設計、封裝材料研究及其封裝技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC 技術成熟度 雛型 可應用範圍 需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。 潛力預估 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員 蔡麗端 電話 03-5915310 傳真 03-5820442 電子信箱 LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址 http://www.itri.org.tw/ 所須軟硬體設備 硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 、單元電極積層化設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 1072 產出年度: 94 技術名稱-中文: 電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術 執行單位: 工研院材料所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子鋁晶片電容器相關晶片化封裝技術，包含其電極組合設計、封裝材料研究及其封裝技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。 潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員: 蔡麗端 電話: 03-5915310 傳真: 03-5820442 電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址: http://www.itri.org.tw/ 所須軟硬體設備: 硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 、單元電極積層化設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號 1636 產出年度 95 技術名稱-中文 提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 可攜式電能技術研究四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 利用3滾軸的機械分散方式及特殊界面活性劑的添加可以增加觸媒顆粒的分散性，減少觸媒奈米顆粒的團聚，並且在漿料中添加增稠劑，可以使觸媒漿料得到穩定的分散結果，並且可以達到塗佈所需的黏度。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 本技術可應用於直接甲醇燃料電池（DMFC）及氫氣質子交換膜燃料電池(PEMFC)之膜電極組，其中DMFC系統商品化後可應用在手機、PDA、PSP、筆記型電腦等小型攜帶元件上；而PEMFC則可應用於較大型的攜帶式電源系統（300W）、定置型發電機及運輸工具上。 潛力預估 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建立生產機台製作之自主性。 聯絡人員 蔡麗端 電話 03-5915310 傳真 03-5820442 電子信箱 LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址 無 所須軟硬體設備 觸媒合成設備、電化學分析設備、結構鑑定分析設備、流變儀、Zetapotential。 需具備之專業人才 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。
序號: 1636 產出年度: 95 技術名稱-中文: 提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 利用3滾軸的機械分散方式及特殊界面活性劑的添加可以增加觸媒顆粒的分散性，減少觸媒奈米顆粒的團聚，並且在漿料中添加增稠劑，可以使觸媒漿料得到穩定的分散結果，並且可以達到塗佈所需的黏度。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 本技術可應用於直接甲醇燃料電池（DMFC）及氫氣質子交換膜燃料電池(PEMFC)之膜電極組，其中DMFC系統商品化後可應用在手機、PDA、PSP、筆記型電腦等小型攜帶元件上；而PEMFC則可應用於較大型的攜帶式電源系統（300W）、定置型發電機及運輸工具上。 潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建立生產機台製作之自主性。 聯絡人員: 蔡麗端 電話: 03-5915310 傳真: 03-5820442 電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址: 無 所須軟硬體設備: 觸媒合成設備、電化學分析設備、結構鑑定分析設備、流變儀、Zetapotential。 需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。
序號 1656 產出年度 95 技術名稱-中文 鋁晶片電容器單元電極技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 導電高分子鋁晶片電容器其高電容量是來自單元電極疊壓所形成之積層化結構，由於電容器朝向高容量、小型化及薄型化方向發展，如何於有限空間中堆疊愈多層之單元電極將成為鋁晶片電容器技術之決勝點，因此單元電極之積層化技術亦為鋁積層晶片電容器之關鍵技術之一。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為了避免電容器封裝成型時產生短路或露餡之問題，精密之疊壓積層化自動設備是不可或缺的。以目前工研院的積層化技術經驗可協助國內機械或自動化設備廠開發精密疊壓設備，如此才能縮短鋁積層晶片電容器之量產時程。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 目前國內導電高分子固態電容器在工研院材化所推動下，已有六家廠商投入捲繞型導電高分子鋁固態電容器，而導電高分子鉭晶片電容器亦有帛漢公司成功投產，因此推動國內業者投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，將使國內導電高分子固態電容器產業鏈更加完備。本計畫將透過技術移轉予既有技術廠商或與應用端合設新創公司推動國內導電高分子鋁晶片電容器產業。 潛力預估 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里程碑，逐步取代傳統型液態電容器，將可創造電解電容器之另一個新的春天。 聯絡人員 蔡麗端 電話 03-5915310 傳真 03-5820442 電子信箱 LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址 無 所須軟硬體設備 硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。
序號: 1656 產出年度: 95 技術名稱-中文: 鋁晶片電容器單元電極技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 導電高分子鋁晶片電容器其高電容量是來自單元電極疊壓所形成之積層化結構，由於電容器朝向高容量、小型化及薄型化方向發展，如何於有限空間中堆疊愈多層之單元電極將成為鋁晶片電容器技術之決勝點，因此單元電極之積層化技術亦為鋁積層晶片電容器之關鍵技術之一。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為了避免電容器封裝成型時產生短路或露餡之問題，精密之疊壓積層化自動設備是不可或缺的。以目前工研院的積層化技術經驗可協助國內機械或自動化設備廠開發精密疊壓設備，如此才能縮短鋁積層晶片電容器之量產時程。 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 目前國內導電高分子固態電容器在工研院材化所推動下，已有六家廠商投入捲繞型導電高分子鋁固態電容器，而導電高分子鉭晶片電容器亦有帛漢公司成功投產，因此推動國內業者投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，將使國內導電高分子固態電容器產業鏈更加完備。本計畫將透過技術移轉予既有技術廠商或與應用端合設新創公司推動國內導電高分子鋁晶片電容器產業。 潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里程碑，逐步取代傳統型液態電容器，將可創造電解電容器之另一個新的春天。 聯絡人員: 蔡麗端 電話: 03-5915310 傳真: 03-5820442 電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址: 無 所須軟硬體設備: 硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。
序號 1977 產出年度 96 技術名稱-中文 導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%)) 技術成熟度 雛型 可應用範圍 目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。 潛力預估 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員 蔡麗端 電話 03-5915310 傳真 03-5820442 電子信箱 LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 1977 產出年度: 96 技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%)) 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員: 蔡麗端 電話: 03-5915310 傳真: 03-5820442 電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號 2445 產出年度 96 技術名稱-中文 導電高分子固態電容器材料及製程技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%)) 技術成熟度 雛型 可應用範圍 目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。 潛力預估 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員 蔡麗端 電話 03-5915310 傳真 03-5820442 電子信箱 LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2445 產出年度: 96 技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器材料及製程技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%)) 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。 潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員: 蔡麗端 電話: 03-5915310 傳真: 03-5820442 電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號 2446 產出年度 96 技術名稱-中文 多孔性結構電極成型及其燒結技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 開發新世代導電性高分子高CV晶片固態電容器之多孔性電極技術，包含其電極設計、成型技術及燒結技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子高CV晶片固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 電腦資訊、電子及無線通訊等產品 潛力預估 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員 蔡麗端 電話 03-5915310 傳真 03-5820442 電子信箱 LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2446 產出年度: 96 技術名稱-中文: 多孔性結構電極成型及其燒結技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 開發新世代導電性高分子高CV晶片固態電容器之多孔性電極技術，包含其電極設計、成型技術及燒結技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子高CV晶片固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 電腦資訊、電子及無線通訊等產品 潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。 聯絡人員: 蔡麗端 電話: 03-5915310 傳真: 03-5820442 電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號 2447 產出年度 96 技術名稱-中文 晶片電容器單元電極技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 捲繞型固態電容器、晶片型-鋁質/鉭質/鈮質固態電容器、鋰電池正極材料、抗靜電塗層材料、高分子電激發光元件 潛力預估 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全球市場達5.5億美元。 聯絡人員 蔡麗端 電話 03-5915310 傳真 03-5820442 電子信箱 LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2447 產出年度: 96 技術名稱-中文: 晶片電容器單元電極技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 捲繞型固態電容器、晶片型-鋁質/鉭質/鈮質固態電容器、鋰電池正極材料、抗靜電塗層材料、高分子電激發光元件 潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全球市場達5.5億美元。 聯絡人員: 蔡麗端 電話: 03-5915310 傳真: 03-5820442 電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。 需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
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核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 王建文 | 證書號碼: 205355
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 郭志成、黃道真 | 證書號碼: 220877
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 黃耐仁、林旭翎 | 證書號碼: 224161
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 黃道真、郭志成、江嘉瑋、黃韶麒、鍾曜榮 | 證書號碼: 224160
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 羅信德、黃道真 | 證書號碼: 226925
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 魏兆延、高文龍、楊御風、莊逸群 | 證書號碼: 第157566號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林進為、韋至修、李世炘 | 證書號碼: 發明第189841號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 梁經綸、羅金仁、卓生典 | 證書號碼: 發明第186200號
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 簡賀君 | 證書號碼: 發明第143575號
核准國家: 美國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王大軍 | 證書號碼: US6760466B2
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王大軍、何文楨、謝禎冏 | 證書號碼: 發明207024
核准國家: 美國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡坤成 | 證書號碼: US6697504B2
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭育鎔 | 證書號碼: 第146271號
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭育鎔 | 證書號碼: 第153802號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳澤民、胡繼陽 | 證書號碼: 發明第192904號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 王建文 | 證書號碼: 205355
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 郭志成、黃道真 | 證書號碼: 220877
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 黃耐仁、林旭翎 | 證書號碼: 224161
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 黃道真、郭志成、江嘉瑋、黃韶麒、鍾曜榮 | 證書號碼: 224160
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 石資中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 石礦資源綠色技術研究開發三年計畫 | 專利發明人: 羅信德、黃道真 | 證書號碼: 226925
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 魏兆延、高文龍、楊御風、莊逸群 | 證書號碼: 第157566號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林進為、韋至修、李世炘 | 證書號碼: 發明第189841號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 梁經綸、羅金仁、卓生典 | 證書號碼: 發明第186200號
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 簡賀君 | 證書號碼: 發明第143575號
核准國家: 美國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王大軍 | 證書號碼: US6760466B2
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王大軍、何文楨、謝禎冏 | 證書號碼: 發明207024
核准國家: 美國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡坤成 | 證書號碼: US6697504B2
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭育鎔 | 證書號碼: 第146271號
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭育鎔 | 證書號碼: 第153802號
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 手持式設備嵌入式系統軟體技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳澤民、胡繼陽 | 證書號碼: 發明第192904號