具內藏電容之基板結構
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具內藏電容之基板結構的核准國家是中華民國, 證書號碼是205395, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美.

序號	891
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	具內藏電容之基板結構
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	鍾佩翰 \| 李明林 \| 賴信助 \| 吳仕先 \| 張慧如 \| 鄭玉美
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	205395
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	A unitary buried array capacitor and microelectronic structures incorporating such capacitors are disclosed. A unitary buried array capacitor can be formed by a top layer of electrode, a middle layer of dielectric, and a bottom layer of electrode. A first electrode lead, a second electrode lead and at least one interconnect line pass through the three layers while only the first electrode lead making electrical contact with the top layer of electrode and only the second electrode lead making electrical contact with the bottom electrode.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	陳文鋒
電話	03-5913314
傳真	03-5820412
電子信箱	chented@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

891

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

具內藏電容之基板結構

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

鍾佩翰 | 李明林 | 賴信助 | 吳仕先 | 張慧如 | 鄭玉美

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

205395

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

A unitary buried array capacitor and microelectronic structures incorporating such capacitors are disclosed. A unitary buried array capacitor can be formed by a top layer of electrode, a middle layer of dielectric, and a bottom layer of electrode. A first electrode lead, a second electrode lead and at least one interconnect line pass through the three layers while only the first electrode lead making electrical contact with the top layer of electrode and only the second electrode lead making electrical contact with the bottom electrode.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳文鋒

電話

03-5913314

傳真

03-5820412

電子信箱

chented@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

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具矩陣式內藏電容之通用型多功能基板結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03134767.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 李明林賴信助鍾佩翰吳仕先張慧如鄭玉美 @ 技術司專利資料集
具內藏電容之基板結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 95 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 李明林、賴信助、鍾佩翰、吳仕先、張慧如、鄭玉美 @ 技術司專利資料集

具矩陣式內藏電容之通用型多功能基板結構

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射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 開發射頻內藏被動元件基板結構設計，包括內藏被動元件結構、內藏被動元件及寄生元件模型、元件程式庫、射頻基板材料評估應用與量測驗證，內藏被動元件射頻藍芽模組驗證。建立隨尺寸變化(Scaling Model... \| 潛力預估: 印刷電路板廠可建立自己製程專屬的內藏被動元件程式庫，提供客戶設計階段導入應用之服務，提昇產業技術門檻與競爭力。 @ 技術司可移轉技術資料集
無鉛製程技術資訊平台建立	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消... @ 技術司可移轉技術資料集
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... \| 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高... @ 技術司可移轉技術資料集
迴路型熱管散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm \| 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步 @ 技術司可移轉技術資料集
無鉛製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊... @ 技術司可移轉技術資料集
電腦輔助熱傳設計分析技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪（94﹪ 信賴度） \| 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包 @ 技術司可移轉技術資料集
IC及LED熱阻量測技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard \| 潛力預估: 主要設備，均是國內自行開發完成，價格較國外節省30%。 @ 技術司可移轉技術資料集
焊點可靠性評估技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MIL-883D \| 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加，特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估，衍生到系統廠組裝後的可靠度評估，及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si... @ 技術司可移轉技術資料集

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路況模擬裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 247968 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 自行車中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 代步與休閒產品系統技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 吳宏生, 常挽瀾, 許震華
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高性能積層橡膠隔震墊	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 209235 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院航空所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 張正雄,張維敏,田耿彰,沈北湖,王世松,黃為國
液晶介相粉末之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191440 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 周兆玲,翁炳志,龐規浩,王坤龍,汪鐵志,陳文德
高性能白金觸媒之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 193328 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 陳永松,翁炳志,莊明志,溫啟明,陳文德
高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196134 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 張錫邦 ,鄒正德 ,李鴻飛
含磷化合物及其難燃應用	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195040 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄,江孟丹,劉英麟
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196459 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄,黃興材,張德全,王國平,洪耀勳
複材管件結構改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M 248593 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 莫文偉,卓錫樑,王正煥,孫士璋,葛光祥,黃鼎貴
具傾角之疊瓦式複合材料管件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 201585 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 盧志勤,章俊文,林進龍,黃茂益
耐高溫微波複合材料之強化方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206626 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 翁炳志,吳宗明,趙樹漢,黃金堂

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