無間隙3-D微結構陣列模仁之製程
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文無間隙3-D微結構陣列模仁之製程的核准國家是美國, 證書號碼是6,746,823, 專利性質是發明, 執行單位是工研院機械所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 專利發明人是林坤龍, 周敏傑, 潘正堂.

序號950
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文無間隙3-D微結構陣列模仁之製程
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人林坤龍 | 周敏傑 | 潘正堂
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6,746,823
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種無間隙3-D微結構陣列模仁之製程,其主要係於一基板上塗佈高分子緩衝層,以增加對基板的附著力,再於高分子緩衝層上塗佈光阻組成物層,隨之以黃光微影法(lithography)將圖樣(pattern)成形於光阻組成物層,接著加熱至光阻組成物至玻璃轉換溫度(Tg),使光阻組成物形成具有間隙之微結構陣列,再於微結構表面鍍覆金屬薄膜的導電層,最後以電鑄(Electro forming)的方式填補間隙,即可獲得無間隙的陣列模仁;藉此,利用該模仁即可翻製出金屬模具,而以微射出成型或微熱壓成型,製作出無間隙微結構陣列,進而可以簡便製程有效降低生產成本。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員賴麗惠
電話03-5915788
傳真(空)
電子信箱LHL@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)

序號

950

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

專利發明人

林坤龍 | 周敏傑 | 潘正堂

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6,746,823

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種無間隙3-D微結構陣列模仁之製程,其主要係於一基板上塗佈高分子緩衝層,以增加對基板的附著力,再於高分子緩衝層上塗佈光阻組成物層,隨之以黃光微影法(lithography)將圖樣(pattern)成形於光阻組成物層,接著加熱至光阻組成物至玻璃轉換溫度(Tg),使光阻組成物形成具有間隙之微結構陣列,再於微結構表面鍍覆金屬薄膜的導電層,最後以電鑄(Electro forming)的方式填補間隙,即可獲得無間隙的陣列模仁;藉此,利用該模仁即可翻製出金屬模具,而以微射出成型或微熱壓成型,製作出無間隙微結構陣列,進而可以簡便製程有效降低生產成本。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

賴麗惠

電話

03-5915788

傳真

(空)

電子信箱

LHL@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸

特殊情形

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松山國小地下停車場.已滿場(松山區八德路四段746號)

地區區分說明: | 道路名稱: | 路況類別: 其他 | 方向: | 資料來源: 停車場滿場通報 | 修改時間: 2022-07-25 11:10:24.823

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.松山國小地下停車場.已滿場(松山區八德路四段746號)

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新海

股東權益報酬率(%): 12.58 | 每股盈餘: 2.61 | 酬金總額占稅後損益百分比(%)-董事酬金: +5.21 | 酬金總額占稅後損益百分比(%)-加計兼任員工酬金: +5.84 | 出表日期: 1130412

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董事酬金-合計: 24371186 | 平均每位董事酬金-董事酬金: 1,624,746 | 酬金總額占稅後損益百分比(%)-董事酬金: +5.21 | 稅後純益: +467,741 | 每股盈餘: 2.61 | 股東權益報酬率(%): 12.58 | 公司代號: 9926 | 產業類別: 油電燃氣業 | 稅後損益與董監酬金變動之關聯性與合理性說明: 公司稅後純益與酬金並無關聯 | 出表日期: 1130412

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富邦金控代富邦資產管理股份有限公司公告取得「富邦二號不動產 投資信託基金」使用權資產

發言日期: 1140306 | 發言時間: 182746 | 公司名稱: 富邦金 | 公司代號: 2881 | 事實發生日: 1140306 | 符合條款: 第20款 | 說明: 1.標的物之名稱及性質(如坐落台中市北區XX段XX小段土地): 台北市內湖區瑞湖街62號5樓、6樓部份 2.事實發生日:114/3/6~114/3/6 3.交易單位數量(如XX平方公尺,折合XX...

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公告本公司董事會通過2024年度合併財務報告

發言日期: 1140314 | 發言時間: 164310 | 公司名稱: 震旦行 | 公司代號: 2373 | 事實發生日: 1140314 | 符合條款: 第31款 | 說明: 1.提報董事會或經董事會決議日期:114/03/14 2.審計委員會通過日期:114/03/14 3.財務報告或年度自結財務資訊報導期間 起訖日期(XXX/XX/XX~XXX/XX/XX):113/0...

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富邦金控代富邦資產管理股份有限公司公告取得「富邦二號不動產 投資信託基金」使用權資產

發言日期: 1140306 | 發言時間: 182746 | 公司名稱: 富邦金 | 公司代號: 2881 | 事實發生日: 1140306 | 符合條款: 第20款 | 說明: 1.標的物之名稱及性質(如坐落台中市北區XX段XX小段土地): 台北市內湖區瑞湖街62號5樓、6樓部份 2.事實發生日:114/3/6~114/3/6 3.交易單位數量(如XX平方公尺,折合XX...

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發言日期: 1140314 | 發言時間: 164310 | 公司名稱: 震旦行 | 公司代號: 2373 | 事實發生日: 1140314 | 符合條款: 第31款 | 說明: 1.提報董事會或經董事會決議日期:114/03/14 2.審計委員會通過日期:114/03/14 3.財務報告或年度自結財務資訊報導期間 起訖日期(XXX/XX/XX~XXX/XX/XX):113/0...

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無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201594 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林坤龍 | 周敏傑 | 潘正堂

@ 技術司專利資料集

無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6746823 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林坤龍 | 周敏傑 | 潘正堂

@ 技術司專利資料集

無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201594 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林坤龍 | 周敏傑 | 潘正堂

@ 技術司專利資料集

無間隙3-D微結構陣列模仁之製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6746823 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林坤龍 | 周敏傑 | 潘正堂

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微磁流導光平台

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202622 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 潘正堂 | 周敏傑 | 沈聖智 | 林坤龍 | 趙佑錫

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微磁流導光平台

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202622 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 潘正堂 | 周敏傑 | 沈聖智 | 林坤龍 | 趙佑錫

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降低鎳基合金鍍層內應力之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6699379 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 柯世宗 | 李仁智 | 葛明德 | 王樂民 | 宋鈺 | 楊詔中 | 黃雅如

@ 技術司專利資料集

球形工件加工裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 211484 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林衛助 | 蔡坤龍

@ 技術司專利資料集

物件與膠膜分離之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 194407 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 劉俊賢 | 黃國興 | 徐嘉彬 | 洪嘉宏

@ 技術司專利資料集

可三維即時修正之尋光方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188264 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 周甘霖 | 李閔凱

@ 技術司專利資料集

隔膜閥

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 218453 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林春宏 | 蔡陳德 | 吳錦清 | 何榮振 | 王漢聰

@ 技術司專利資料集

二片式繞射/折射複合型成像系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220699 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 傅春能 | 林宗信 | 林信義 | 陸懋宏 | 徐得銘

@ 技術司專利資料集

二片式繞射/折射複合型成像系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,724,532 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 傅春能 | 林宗信 | 林信義 | 陸懋宏 | 徐得銘

@ 技術司專利資料集

降低鎳基合金鍍層內應力之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6699379 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 柯世宗 | 李仁智 | 葛明德 | 王樂民 | 宋鈺 | 楊詔中 | 黃雅如

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球形工件加工裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 211484 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林衛助 | 蔡坤龍

@ 技術司專利資料集

物件與膠膜分離之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 194407 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 劉俊賢 | 黃國興 | 徐嘉彬 | 洪嘉宏

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可三維即時修正之尋光方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188264 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 周甘霖 | 李閔凱

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隔膜閥

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 218453 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 林春宏 | 蔡陳德 | 吳錦清 | 何榮振 | 王漢聰

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二片式繞射/折射複合型成像系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220699 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 傅春能 | 林宗信 | 林信義 | 陸懋宏 | 徐得銘

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二片式繞射/折射複合型成像系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,724,532 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 傅春能 | 林宗信 | 林信義 | 陸懋宏 | 徐得銘

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埋藏式電容結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6813138 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明 | 魏培森 | 翁卿亮 | 吳俊昆 | 陳昌昇

超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223446 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴理學 | 陳邦旭 | 陸新起 | 劉致為

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206598 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 翁逸君 | 劉康弘 | 范揚宜

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206589 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明 | 范揚宜 | 許家榮 | 陳慶逸

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197248 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏 | 顏凱翔 | 王欽宏 | 梁兆鈞 | 陳玉華

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188284 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁 | 吳志文 | 姚南光 | 龐紹華 | 郭遠峰

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6725882 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁 | 吳志文 | 姚南光 | 龐紹華 | 郭遠峰

薄膜電晶體的結構、其製造方法

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移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220255 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任 | 陳尚立 | 王博文 | 林展瑞

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192543 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明 | 陳昌昇 | 吳俊昆 | 魏培森 | 翁卿亮 | 賴穎俊

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202861 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維 | 李永忠 | 潘宗銘 | 卓言

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

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高密度磁性隨機存取記憶體

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核准國家: 美國 | 證書號碼: 6757189 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘

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超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223446 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴理學 | 陳邦旭 | 陸新起 | 劉致為

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206598 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 翁逸君 | 劉康弘 | 范揚宜

橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206589 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明 | 范揚宜 | 許家榮 | 陳慶逸

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197248 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏 | 顏凱翔 | 王欽宏 | 梁兆鈞 | 陳玉華

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188284 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁 | 吳志文 | 姚南光 | 龐紹華 | 郭遠峰

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6725882 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁 | 吳志文 | 姚南光 | 龐紹華 | 郭遠峰

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198288 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐 | 葉永輝

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220255 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任 | 陳尚立 | 王博文 | 林展瑞

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192543 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明 | 陳昌昇 | 吳俊昆 | 魏培森 | 翁卿亮 | 賴穎俊

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202861 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維 | 李永忠 | 潘宗銘 | 卓言

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200178 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚 | 鄭弘隆 | 賴志明 | 廖奇璋

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200905 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔 | 蕭名君 | 劉康弘 | 林偉義

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198431 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6757189 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘

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