垂直式奈米管電晶體元件之製法及該垂直式奈米管電晶體元件
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文垂直式奈米管電晶體元件之製法及該垂直式奈米管電晶體元件的核准國家是美國, 證書號碼是6830981, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是李鈞道、許林弘、林文迪、鄭志成、陳維恕.

序號	1126
產出年度	94
領域別	(空)
專利名稱-中文	垂直式奈米管電晶體元件之製法及該垂直式奈米管電晶體元件
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人	李鈞道 \| 許林弘 \| 林文迪 \| 鄭志成 \| 陳維恕
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6830981
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種垂直式奈米管電晶體元件之製法及該奈米管電晶體元件，上述垂直式奈米管電晶體元件之製法可精確地控制奈米管之成長位置，而能製作出可實際用來建構積體電路之上述奈米管電晶體。A vertical nanotube transistor and a process for fabricating the same. First, a source layer and a catalyst layer are successively formed on a substrate. A dielectric la
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

1126

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

垂直式奈米管電晶體元件之製法及該垂直式奈米管電晶體元件

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

李鈞道 | 許林弘 | 林文迪 | 鄭志成 | 陳維恕

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6830981

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種垂直式奈米管電晶體元件之製法及該奈米管電晶體元件，上述垂直式奈米管電晶體元件之製法可精確地控制奈米管之成長位置，而能製作出可實際用來建構積體電路之上述奈米管電晶體。A vertical nanotube transistor and a process for fabricating the same. First, a source layer and a catalyst layer are successively formed on a substrate. A dielectric la

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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一種高速假撚方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207547 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 @ 技術司專利資料集
增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207522 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 @ 技術司專利資料集
熱管均熱板	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 226177 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張長生、楊書榮 @ 技術司專利資料集
一種資料通訊的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6496481 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 @ 技術司專利資料集
Optical Disk Control Mechanism	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6665253 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 \| 專利發明人: 藍永松、張啟伸 @ 技術司專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 德國 \| 證書號碼: 573696 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 @ 技術司專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 證書號碼: 573696 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 @ 技術司專利資料集
萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 157850 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 \| 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 @ 技術司專利資料集

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平面型燃料電池單體及其電池組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190383 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴秋助, 康顧嚴, 許平源, 薛康琳
具自黏性高分子電解質之鋰電池	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,680,148 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌
以噴霧電漿熱解法製造奈米結構材料之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196500 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖世傑, 陳金銘, 洪松慰, 劉茂煌, 謝建德
含酯類添加劑之非水性電解液及其二次電池	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197251 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 李志聰, 詹益松, 林月微, 吳茂松, 莊文源
具自黏性高分子電解質之鋰電池	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3566681 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌
製造固態電解電容器之配方及其製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200904 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋
具有自粘性高分子電解質的鋰電池及其制造方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01115531.0 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌
固態電解電容器以及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I223294 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋
電池負極材料及其製法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224404 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉茂煌, 陳金銘, 王富田, 黃國忠, 鄭季汝
以氣噴粉末製作鋁合金濺鍍靶材之方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01134646.9 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 賴明雄, 邱思議, 鄭楚丕, 溫志中
銅箔微瘤化處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 185721 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀
一種具抗菌性的不銹鋼	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 189417 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 孫道中, 于作浩
光碟薄膜用相變化靶材之回收及再利用技術	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US 6,635,219 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 溫志中, 賴明雄, 李秉璋
高高溫伸長率電解銅箔之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 192043 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲
含細微化組織之合金靶材製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: TW 197245 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳

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