製造固態電解電容器之配方及其製程
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文製造固態電解電容器之配方及其製程的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院材料所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 專利發明人是蔡麗端, 杜佾璋, 證書號碼是200904.

序號529
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文製造固態電解電容器之配方及其製程
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人蔡麗端, 杜佾璋
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼200904
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文A mixture solution for preparing conducting polymers. The conducting polymer is formed from the mixture of monomer and oxidant solution. The oxidant solution is high concentration, and is also added a five or six-member ring compound with a functional group , which acts as a retardant for the polymerization. Thus, the mixture of monomer and oxidant solution exhibits excellent stability at room temperature. And the conductng polymer accumulating in the space of the capacitor element can be more efficiently formed by using this high concentration oxidant solution. Therefore, the immersion and polymerization processes to form conducting polymer as the electrolyte of solid electrolytic capacitor can be limited in few times.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

529

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

製造固態電解電容器之配方及其製程

執行單位

工研院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫

專利發明人

蔡麗端, 杜佾璋

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

200904

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

A mixture solution for preparing conducting polymers. The conducting polymer is formed from the mixture of monomer and oxidant solution. The oxidant solution is high concentration, and is also added a five or six-member ring compound with a functional group , which acts as a retardant for the polymerization. Thus, the mixture of monomer and oxidant solution exhibits excellent stability at room temperature. And the conductng polymer accumulating in the space of the capacitor element can be more efficiently formed by using this high concentration oxidant solution. Therefore, the immersion and polymerization processes to form conducting polymer as the electrolyte of solid electrolytic capacitor can be limited in few times.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

蔡麗端

電話

03-5915310

傳真

03-5820442

電子信箱

LiDuanTsai@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

根據識別碼 200904 找到的相關資料

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200904

總計資產_億元: 405239.000000 | 總計淨值_億元: 21751.000000 | 本國銀行資產_億元: 293730.000000 | 本國銀行淨值_億元: 18150.000000 | 外國銀行在臺分行資產_億元: 32700.000000 | 外國銀行在臺分行淨值_億元: 868.000000

@ 金融機構資產、淨值_NEW

200904

資產總額_億元: 8491.540000 | 資本_億元: 3386.280000

@ 證券商之資產總額、資本、淨值、損益、資產報酬率及淨值報酬率之比較_NEW

200904

合計數_總累積匯入淨額_億美元: 1265.250000 | 合計數_持有股票市值占總市值比例: 28.690000 | 境外外國機構投資人及陸資_累積匯入淨額_億美元: 1264.490000 | 境外華僑及外國自然人_累積匯入淨額_億美元: 0.760000 | 境外外國機構投資人及陸資_完成登記件數: 66.000000 | 境外華僑及外國自然人_完成登記件數: 0.000000

@ 外資投入我國股市概況表_NEW

200904

臺灣: 41.810000 | 紐約: 58.660000 | 日本: 20.300000 | 倫敦: 9.420000 | 香港: 10.850000 | 韓國: 10.930000 | 新加坡: 9.810000 | 上海:

@ 各國證券市場本益比比較_NEW

200904

上市家數: 724.000000 | 上市資本額_十億元: 5732.190000 | 上市成長率: -0.240000 | 上櫃家數: 547.000000 | 上櫃資本額_十億元: 741.120000 | 上櫃成長率: 1.680000 | 未上市上櫃家數: 498.000000 | 未上市上櫃資本額_十億元: 1647.050000

@ 公開發行公司股票發行概況統計表_New

200904

臺灣_家數: 724.000000 | 紐約_家數: 2357.000000 | 那斯達克_家數: 3206.000000 | 日本_家數: 2354.000000 | 倫敦_家數: 3269.000000 | 香港_家數: 1093.000000 | 韓國_家數: 761.000000 | 新加坡_家數: 632.000000 | 上海_家數: 863.000000

@ 各國證券市場上市公司家數比較_NEW

200904

總計資產_億元: 405239.000000 | 總計淨值_億元: 21751.000000 | 本國銀行資產_億元: 293730.000000 | 本國銀行淨值_億元: 18150.000000 | 外國銀行在臺分行資產_億元: 32700.000000 | 外國銀行在臺分行淨值_億元: 868.000000

@ 金融機構資產、淨值_NEW

200904

資產總額_億元: 8491.540000 | 資本_億元: 3386.280000

@ 證券商之資產總額、資本、淨值、損益、資產報酬率及淨值報酬率之比較_NEW

200904

合計數_總累積匯入淨額_億美元: 1265.250000 | 合計數_持有股票市值占總市值比例: 28.690000 | 境外外國機構投資人及陸資_累積匯入淨額_億美元: 1264.490000 | 境外華僑及外國自然人_累積匯入淨額_億美元: 0.760000 | 境外外國機構投資人及陸資_完成登記件數: 66.000000 | 境外華僑及外國自然人_完成登記件數: 0.000000

@ 外資投入我國股市概況表_NEW

200904

臺灣: 41.810000 | 紐約: 58.660000 | 日本: 20.300000 | 倫敦: 9.420000 | 香港: 10.850000 | 韓國: 10.930000 | 新加坡: 9.810000 | 上海:

@ 各國證券市場本益比比較_NEW

200904

上市家數: 724.000000 | 上市資本額_十億元: 5732.190000 | 上市成長率: -0.240000 | 上櫃家數: 547.000000 | 上櫃資本額_十億元: 741.120000 | 上櫃成長率: 1.680000 | 未上市上櫃家數: 498.000000 | 未上市上櫃資本額_十億元: 1647.050000

@ 公開發行公司股票發行概況統計表_New

200904

臺灣_家數: 724.000000 | 紐約_家數: 2357.000000 | 那斯達克_家數: 3206.000000 | 日本_家數: 2354.000000 | 倫敦_家數: 3269.000000 | 香港_家數: 1093.000000 | 韓國_家數: 761.000000 | 新加坡_家數: 632.000000 | 上海_家數: 863.000000

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# 製造固態電解電容器之配方及其製程 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號3127
產出年度96
領域別(空)
專利名稱-中文製造固態電解電容器之配方及其製程
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
專利發明人蔡麗端 杜佾璋
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種製造固態電解電容器之配方及其製程，係以導電性高分子作為固態電解電容器之電解質配方及電容器素子含浸此高分子電解質之製程，係採用高濃度氧化劑溶液，並於其中加入具有官能基之五元環或六元環化合物作為聚合反應延緩劑，以此氧化劑溶液與導電性高分子單體所組成之混合液具有室溫穩定性，並可使電容器素子在極少次的含浸此一混合液與聚合反應之後即能獲得足夠厚度的高分子電解質，達到簡化製程並獲得極佳的電容器特性；本發明所揭露的配方包含導電性高分子單體、摻雜劑以及由氧化劑、溶劑與具有官能基之五元環或六元環之聚合反應延緩劑所配製之高濃度氧化劑溶液，其透過聚合反應延緩劑使導電性高分子單體以及氧化劑溶液混合後在室溫環境下不會立刻發生聚合反應之特性，待此混合液被電容器素子充分含浸後，再以高於含浸溫度的條件進行導電性高分子聚合，以完成電容器素子含浸高分子電解質之製程。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 3127
產出年度: 96
領域別: (空)
專利名稱-中文: 製造固態電解電容器之配方及其製程
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
專利發明人: 蔡麗端 杜佾璋
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種製造固態電解電容器之配方及其製程，係以導電性高分子作為固態電解電容器之電解質配方及電容器素子含浸此高分子電解質之製程，係採用高濃度氧化劑溶液，並於其中加入具有官能基之五元環或六元環化合物作為聚合反應延緩劑，以此氧化劑溶液與導電性高分子單體所組成之混合液具有室溫穩定性，並可使電容器素子在極少次的含浸此一混合液與聚合反應之後即能獲得足夠厚度的高分子電解質，達到簡化製程並獲得極佳的電容器特性；本發明所揭露的配方包含導電性高分子單體、摻雜劑以及由氧化劑、溶劑與具有官能基之五元環或六元環之聚合反應延緩劑所配製之高濃度氧化劑溶液，其透過聚合反應延緩劑使導電性高分子單體以及氧化劑溶液混合後在室溫環境下不會立刻發生聚合反應之特性，待此混合液被電容器素子充分含浸後，再以高於含浸溫度的條件進行導電性高分子聚合，以完成電容器素子含浸高分子電解質之製程。_x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 製造固態電解電容器之配方及其製程 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號4602
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文製造固態電解電容器的配方及其製作方法
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
專利發明人蔡麗端 杜佾璋
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL03102636.2
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種製造固態電解電容器之配方及其製程，係以導電性高分子作為固態電解電容器之電解質配方及電容器素子含浸此高分子電解質之製程，係採用高濃度氧化劑溶液，並於其中加入具有官能基之五元環或六元環化合物作為聚合反應延緩劑，以此氧化劑溶液與導電性高分子單體所組成之混合液具有室溫穩定性，並可使電容器素子在極少次的含浸此一混合液與聚合反應之後即能獲得足夠厚度的高分子電解質，達到簡化製程並獲得極佳的電容器特性；本發明所揭露的配方包含導電性高分子單體、摻雜劑以及由氧化劑、溶劑與具有官能基之五元環或六元環之聚合反應延緩劑所配製之高濃度氧化劑溶液，其透過聚合反應延緩劑使導電性高分子單體以及氧化劑溶液混合後在室溫環境下不會立刻發生聚合反應之特性，待此混合液被電容器素子充分含浸後，再以高於含浸溫度的條件進行導電性高分子聚合，以完成電容器素子含浸高分子電解質之製程。 A mixture solution for preparing conducting polymers. The conducting polymer is formed from the mixture of monomer and oxidant solution. The oxidant solution is high concentration, and is also added a five or six-member ring compound with a functional group , which acts as a retardant for the polymerization. Thus, the mixture of monomer and oxidant solution exhibits excellent stability at room temperature. And the conductng polymer accumulating in the space of the capacitor element can be more efficiently formed by using this high concentration oxidant solution. Therefore, the immersion and polymerization processes to form conducting polymer as the electrolyte of solid electrolytic capacitor can be limited in few times.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4602
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 製造固態電解電容器的配方及其製作方法
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
專利發明人: 蔡麗端 杜佾璋
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL03102636.2
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種製造固態電解電容器之配方及其製程，係以導電性高分子作為固態電解電容器之電解質配方及電容器素子含浸此高分子電解質之製程，係採用高濃度氧化劑溶液，並於其中加入具有官能基之五元環或六元環化合物作為聚合反應延緩劑，以此氧化劑溶液與導電性高分子單體所組成之混合液具有室溫穩定性，並可使電容器素子在極少次的含浸此一混合液與聚合反應之後即能獲得足夠厚度的高分子電解質，達到簡化製程並獲得極佳的電容器特性；本發明所揭露的配方包含導電性高分子單體、摻雜劑以及由氧化劑、溶劑與具有官能基之五元環或六元環之聚合反應延緩劑所配製之高濃度氧化劑溶液，其透過聚合反應延緩劑使導電性高分子單體以及氧化劑溶液混合後在室溫環境下不會立刻發生聚合反應之特性，待此混合液被電容器素子充分含浸後，再以高於含浸溫度的條件進行導電性高分子聚合，以完成電容器素子含浸高分子電解質之製程。 A mixture solution for preparing conducting polymers. The conducting polymer is formed from the mixture of monomer and oxidant solution. The oxidant solution is high concentration, and is also added a five or six-member ring compound with a functional group , which acts as a retardant for the polymerization. Thus, the mixture of monomer and oxidant solution exhibits excellent stability at room temperature. And the conductng polymer accumulating in the space of the capacitor element can be more efficiently formed by using this high concentration oxidant solution. Therefore, the immersion and polymerization processes to form conducting polymer as the electrolyte of solid electrolytic capacitor can be limited in few times.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 0
特殊情形: (空)
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根據姓名 蔡麗端 杜佾璋 找到的相關資料

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固態電解電容器以及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋 | 證書號碼: I223294

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

固態電容器之含浸設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 朱堯熹, 陳增堯, 杜佾璋, 莊思賢, 溫獻瑞 | 證書號碼: 210173

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

固態電解電容器以及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端、杜佾璋 | 證書號碼: 6862170

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氧化劑混合物、電解質混合物、及其製成的電解電容器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 專利發明人: 杜佾璋 ,蔡麗端 ,簡宏仲 | 證書號碼: ZL201210414334.4

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

電解質混合物、及用此電解質混合物之電解電容器、及其合成共軛高分子用之氧化劑混合物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 專利發明人: 杜佾璋 ,蔡麗端 ,簡宏仲 | 證書號碼: 9,355,785

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

用於氧化聚合法合成導電性高分子之氧化劑

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋 | 證書號碼: I306461

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

固態電解電容器以及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋 | 證書號碼: I223294

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

固態電容器之含浸設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 朱堯熹, 陳增堯, 杜佾璋, 莊思賢, 溫獻瑞 | 證書號碼: 210173

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

固態電解電容器以及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端、杜佾璋 | 證書號碼: 6862170

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

氧化劑混合物、電解質混合物、及其製成的電解電容器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 專利發明人: 杜佾璋 ,蔡麗端 ,簡宏仲 | 證書號碼: ZL201210414334.4

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

電解質混合物、及用此電解質混合物之電解電容器、及其合成共軛高分子用之氧化劑混合物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 民生福祉領域工業基礎技術研究計畫 | 專利發明人: 杜佾璋 ,蔡麗端 ,簡宏仲 | 證書號碼: 9,355,785

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

用於氧化聚合法合成導電性高分子之氧化劑

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋 | 證書號碼: I306461

@ 經濟部產業技術司–專利資料集
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根據電話 03-5915310 找到的相關資料

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# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號239
產出年度93
技術名稱-中文導電高分子固態電容器及其製造方法
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。
技術成熟度雛型
可應用範圍需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。
潛力預估高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之發展趨勢及市場佔有率分析，未來傳統型二氧化錳之鉭晶片電容萎縮，導電性高分子鉭晶片電容器市佔率率為成長，而導電性高分子捲繞型鋁電解電容及高分子鋁晶片電容之市佔率將呈現大幅成長。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 239
產出年度: 93
技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器及其製造方法
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1. 導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞10S/cm，並可通過105℃、2000小時之可靠度測試。 2. 導電性高分子於多孔性氧化鋁介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。
潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值，除了2001年因為全球景氣不佳而出現成長停滯以外，全球的需求呈現穩定而大幅的成長， 2003年預測之全球銷售金額可達3.5億美金。中日社電子部品年鑑曾針對各類低阻抗電容器之發展趨勢及市場佔有率分析，未來傳統型二氧化錳之鉭晶片電容萎縮，導電性高分子鉭晶片電容器市佔率率為成長，而導電性高分子捲繞型鋁電解電容及高分子鋁晶片電容之市佔率將呈現大幅成長。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號1072
產出年度94
技術名稱-中文電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子鋁晶片電容器相關晶片化封裝技術，包含其電極組合設計、封裝材料研究及其封裝技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC
技術成熟度雛型
可應用範圍需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。
潛力預估高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
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參考網址http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 、單元電極積層化設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 1072
產出年度: 94
技術名稱-中文: 電高分子鋁晶片電容器之電極組合設計及其封裝技術
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子鋁晶片電容器相關晶片化封裝技術，包含其電極組合設計、封裝材料研究及其封裝技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 建立鋁晶片電容器之電極積層化封裝技術，電容量達220μF/2V(7.3x4.3x2.8mm3)，ESR達25mΩ(100 kHz)，耐漣波電流能力達2.3Arms。並建立晶片電容老化製程條件，使LC
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 需求低阻抗、高頻化及高可靠度之電子線路用晶片電容，如P4電腦主機板、IA及Internet相關週邊設備、高功率電源供應器等用晶片高階電容。
潛力預估: 高分子鋁電容器之全球產值， 2005年預測之全球銷售金額可達5.5億美金，Paumanok同時預測此項產品至2010年止平均年成長率超過25﹪，產值達10億美元。因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
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所須軟硬體設備: 硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 、單元電極積層化設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號1636
產出年度95
技術名稱-中文提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱可攜式電能技術研究四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用3滾軸的機械分散方式及特殊界面活性劑的添加可以增加觸媒顆粒的分散性，減少觸媒奈米顆粒的團聚，並且在漿料中添加增稠劑，可以使觸媒漿料得到穩定的分散結果，並且可以達到塗佈所需的黏度。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。
技術成熟度雛型
可應用範圍本技術可應用於直接甲醇燃料電池（DMFC）及氫氣質子交換膜燃料電池(PEMFC)之膜電極組，其中DMFC系統商品化後可應用在手機、PDA、PSP、筆記型電腦等小型攜帶元件上；而PEMFC則可應用於較大型的攜帶式電源系統（300W）、定置型發電機及運輸工具上。
潛力預估本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建立生產機台製作之自主性。
聯絡人員蔡麗端
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參考網址無
所須軟硬體設備觸媒合成設備、電化學分析設備、結構鑑定分析設備、流變儀、Zetapotential。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。
序號: 1636
產出年度: 95
技術名稱-中文: 提升觸媒利用率之組合物、複合體與方法
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 可攜式電能技術研究四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用3滾軸的機械分散方式及特殊界面活性劑的添加可以增加觸媒顆粒的分散性，減少觸媒奈米顆粒的團聚，並且在漿料中添加增稠劑，可以使觸媒漿料得到穩定的分散結果，並且可以達到塗佈所需的黏度。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 電極漿料之穩定度達24小時、觸媒漿料分散的顆粒小於200nm以下。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 本技術可應用於直接甲醇燃料電池（DMFC）及氫氣質子交換膜燃料電池(PEMFC)之膜電極組，其中DMFC系統商品化後可應用在手機、PDA、PSP、筆記型電腦等小型攜帶元件上；而PEMFC則可應用於較大型的攜帶式電源系統（300W）、定置型發電機及運輸工具上。
潛力預估: 本技術利用增加觸媒漿料的分散、穩定以及開發精密之塗佈模具設計技術與塗佈技術，可提昇漿料塗佈的良率，減少製程材料成本，並可達到量產化的要求，以降低DMFC膜電極組之研發製作成本，協助國內膜電極相關產業建立生產機台製作之自主性。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 觸媒合成設備、電化學分析設備、結構鑑定分析設備、流變儀、Zetapotential。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號1656
產出年度95
技術名稱-中文鋁晶片電容器單元電極技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文導電高分子鋁晶片電容器其高電容量是來自單元電極疊壓所形成之積層化結構，由於電容器朝向高容量、小型化及薄型化方向發展，如何於有限空間中堆疊愈多層之單元電極將成為鋁晶片電容器技術之決勝點，因此單元電極之積層化技術亦為鋁積層晶片電容器之關鍵技術之一。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為了避免電容器封裝成型時產生短路或露餡之問題，精密之疊壓積層化自動設備是不可或缺的。以目前工研院的積層化技術經驗可協助國內機械或自動化設備廠開發精密疊壓設備，如此才能縮短鋁積層晶片電容器之量產時程。
技術成熟度雛型
可應用範圍目前國內導電高分子固態電容器在工研院材化所推動下，已有六家廠商投入捲繞型導電高分子鋁固態電容器，而導電高分子鉭晶片電容器亦有帛漢公司成功投產，因此推動國內業者投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，將使國內導電高分子固態電容器產業鏈更加完備。本計畫將透過技術移轉予既有技術廠商或與應用端合設新創公司推動國內導電高分子鋁晶片電容器產業。
潛力預估本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里程碑，逐步取代傳統型液態電容器，將可創造電解電容器之另一個新的春天。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。
序號: 1656
產出年度: 95
技術名稱-中文: 鋁晶片電容器單元電極技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 導電高分子鋁晶片電容器其高電容量是來自單元電極疊壓所形成之積層化結構，由於電容器朝向高容量、小型化及薄型化方向發展，如何於有限空間中堆疊愈多層之單元電極將成為鋁晶片電容器技術之決勝點，因此單元電極之積層化技術亦為鋁積層晶片電容器之關鍵技術之一。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 目前市場上最常用的導電高分子晶片電容器規格為D3(7.3x4.3x2.8 mm3)，其所使用之鋁箔單元電極大小約為4 mm x 3mm，厚度約為150~200m，D3電容器至少需積層化6-8層，為了避免電容器封裝成型時產生短路或露餡之問題，精密之疊壓積層化自動設備是不可或缺的。以目前工研院的積層化技術經驗可協助國內機械或自動化設備廠開發精密疊壓設備，如此才能縮短鋁積層晶片電容器之量產時程。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 目前國內導電高分子固態電容器在工研院材化所推動下，已有六家廠商投入捲繞型導電高分子鋁固態電容器，而導電高分子鉭晶片電容器亦有帛漢公司成功投產，因此推動國內業者投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，將使國內導電高分子固態電容器產業鏈更加完備。本計畫將透過技術移轉予既有技術廠商或與應用端合設新創公司推動國內導電高分子鋁晶片電容器產業。
潛力預估: 本計畫預期將在國內推動2~3家廠商投入導電高分子鋁晶片電容器之研發與製造，預期三年內將可促進投資達6億元，量產後將可增加電容器年產值達12億元。而在鋁晶片電容器之投產後，國內導電高分子產業將邁向新的里程碑，逐步取代傳統型液態電容器，將可創造電解電容器之另一個新的春天。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備。軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上。

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號1977
產出年度96
技術名稱-中文導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度雛型
可應用範圍目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
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參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 1977
產出年度: 96
技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器材料及製程技術及其專利群組授權
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
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所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號2445
產出年度96
技術名稱-中文導電高分子固態電容器材料及製程技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度雛型
可應用範圍目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2445
產出年度: 96
技術名稱-中文: 導電高分子固態電容器材料及製程技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之相關材料及其製程技術，包含其導電性高分子材料及其含浸成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.導電性高分子材料配方，導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.多孔性閥金屬材料之介電皮膜化成技術。_x000D_3.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸成膜技術及封裝技術，並使其電容量、損失角、ESR符合商規標準。((驗證規格470F/4V，D3L Size(7.3mm X 4.3mm X2.8mm)，M規格，ESR達15m@100KHz，LC＜0.1CV，DF＜10%))
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 目前高階主機板由以往使用的傳統鋁質電解電容，均改為耐高溫且壽命長的固態電容，在應用面大增下，固態電容成為未來被動元件中最具成長力道零組件產品。材料所利用自組裝技術及應用抑制劑成功操控導電高分子之聚合速率，並開發得高導電率之導電高分子材料，使導電高分子以1000倍的導電率，取代原有的液態電解液電容器，成為下世代新興之被動元件。
潛力預估: 因台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，且因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
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傳真: 03-5820442
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參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號2446
產出年度96
技術名稱-中文多孔性結構電極成型及其燒結技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發新世代導電性高分子高CV晶片固態電容器之多孔性電極技術，包含其電極設計、成型技術及燒結技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子高CV晶片固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。
技術成熟度雛型
可應用範圍電腦資訊、電子及無線通訊等產品
潛力預估台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2446
產出年度: 96
技術名稱-中文: 多孔性結構電極成型及其燒結技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發新世代導電性高分子高CV晶片固態電容器之多孔性電極技術，包含其電極設計、成型技術及燒結技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子高CV晶片固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 建立高CV晶片固態電容器用電極材料70KCV/g之多孔性結構電極成型及其燒結技術，電容量達470μF/2.5V(D3L)。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 電腦資訊、電子及無線通訊等產品
潛力預估: 台灣為3C電子產品之設計及製造中心，對於高頻低阻抗的導電性高分子電容器需求量大，因台灣並無導電性高分子電容器之生產公司，因此對於此類高階電子產品，只有仰賴自日本進口，預期隨著經濟景氣之復甦，對電腦資訊、電子及無線通訊等產品之需求量大增，所以未來台灣之資訊、電子、光電等產業對耐熱性、高頻化、低阻抗之導電性高分子鋁電容器之需求量也將隨之大幅成長。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上

# 03-5915310 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號2447
產出年度96
技術名稱-中文晶片電容器單元電極技術
執行單位工研院材化所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。
技術成熟度雛型
可應用範圍捲繞型固態電容器、晶片型-鋁質/鉭質/鈮質固態電容器、鋰電池正極材料、抗靜電塗層材料、高分子電激發光元件
潛力預估導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全球市場達5.5億美元。
聯絡人員蔡麗端
電話03-5915310
傳真03-5820442
電子信箱LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
序號: 2447
產出年度: 96
技術名稱-中文: 晶片電容器單元電極技術
執行單位: 工研院材化所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術移轉項目是技轉新世代導電性高分子固態/晶片電容器之材料及其單層電極製作技術，包含適用於固態/晶片電容器之具高導電度之導電高分子配方及其於多孔質氧化皮膜上之成膜技術，並分析國外競爭廠商及目標商品-導電高分子固態電容器之技術發展，以提昇國內電容器業者於國際市場之競爭力。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 1.導電性高分子材料配方開發特性測試，使其導電度＞1S/cm，並可通過105℃、1000小時之可靠度測試。_x000D_2.導電性高分子於多孔性介電氧化皮膜之含浸聚合成膜性研究，並使其含浸成膜率達80﹪，ESR符合商規標準（單層電極驗證）。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 捲繞型固態電容器、晶片型-鋁質/鉭質/鈮質固態電容器、鋰電池正極材料、抗靜電塗層材料、高分子電激發光元件
潛力預估: 導電高分子固態電容器為全球眾所矚目之新世代電容器（被動元件之當紅炸子雞），同時也是尖端先進的電容器代名詞，市場之年成長率達25%以上，2005年預估鋁固態電容器全球市場達5.25億美元，鉭固態電容器全球市場達5.5億美元。
聯絡人員: 蔡麗端
電話: 03-5915310
傳真: 03-5820442
電子信箱: LiDuanTsai@itri.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: ◎硬體：電解質含浸成膜裝置、有機半導體測試系統、鋁箔捲繞設備 ◎軟體：含浸成膜之條件、捲繞機規格與操作條件、有機半導體測試條件。
需具備之專業人才: 材料、化工、電化學、機械、電機碩士以上
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與製造固態電解電容器之配方及其製程同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 | 證書號碼: 193940

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 | 證書號碼: 6705910

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 184677

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 | 證書號碼: 193940

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 | 證書號碼: 6705910

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 184677

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