下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 @ 政府開放資料
下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 - 搜尋結果總共有 167 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構器 | 核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊、莊立聖 | 證書號碼: 3653510 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
4"主動式奈米碳管場發射顯示技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 184692 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 6714268 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
20" 奈米碳管場發射顯示技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
降低邊緣場效應之整合彩色濾光片的主動式有機發光顯示器結構 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 葉永輝、 陳麒麟、 辛隆賓、湯景萱、劉育榮 | 證書號碼: I228384 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
LTPS TFT Display相關電路設計技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
半穿透反射液晶顯示器之驅動方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸、沈毓仁 | 證書號碼: I240906 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
具有雙層陰電極的場發射顯示面板及其製造方法 | 核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中、廖貞慧、鄭華琦、王文俊 | 證書號碼: 3674844 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
20吋奈米碳管場發射顯示技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
用在真空顯示面板之吸氣劑總成 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 簡瑞峰 | 證書號碼: 195740 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
廣視角橫向電極多域排列液顯示面板及製造方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 證書號碼: 6882395 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 | 證書號碼: 185475 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構器核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊、莊立聖 | 證書號碼: 3653510 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
4"主動式奈米碳管場發射顯示技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板 2.2T1C畫素結構 3.操作電壓 | 潛力預估: 「平面化」及「自發光」已成未來顯示技術重點趨勢，相較於 TFT LCD 產線設備投資龐大，CNT FED技術具有低成本、自發光、高亮度及可比擬 CRT畫質等特點，而主動式FED技術更是考量省電，快速反... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 184692 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 6714268 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
20" 奈米碳管場發射顯示技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品，目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分，現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: one | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LT... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
降低邊緣場效應之整合彩色濾光片的主動式有機發光顯示器結構核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 葉永輝、 陳麒麟、 辛隆賓、湯景萱、劉育榮 | 證書號碼: I228384 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
LTPS TFT Display相關電路設計技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發低耗能LTPS顯示器電路設計技術及相關類比電路(如unit-gain buffer等) | 潛力預估: 以數位內容資源結合行動通訊所廣布之資訊網已無庸置疑的成為未來生活的 重要一環，但汲取資訊的隨身設備其耗電量卻一直是終端設備技術開發之重點，本技術直接訴求以電路設計之觀點來降低耗電，在終端設備功能越區... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源，可先期驗證新材料之適用性，取代目前材料受限於單一廠商之獨占性，協助新技術中關鍵材料之驗證，以取得未來技術蓬勃發展時之商機。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
半穿透反射液晶顯示器之驅動方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸、沈毓仁 | 證書號碼: I240906 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
具有雙層陰電極的場發射顯示面板及其製造方法核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中、廖貞慧、鄭華琦、王文俊 | 證書號碼: 3674844 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
20吋奈米碳管場發射顯示技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
用在真空顯示面板之吸氣劑總成核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 簡瑞峰 | 證書號碼: 195740 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
廣視角橫向電極多域排列液顯示面板及製造方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 證書號碼: 6882395 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖, 陳慶逸 | 證書號碼: 185475 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
4"/10"/20"奈米碳管場發射背光技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits 2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可取代現有CCFL技術，並於未來數位電視之普及化時可降低現有之LCD-TV之背光模組成本之潛力，目前相關平面光源技術較少，量產之背光技術有CCFL、W-LED等 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |