發光二極體及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文發光二極體及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是94, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫, 專利發明人是許榮宗、祁錦雲、蔡政達、葉文勇、卓昌正, 證書號碼是I227063.

序號1224
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文發光二極體及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫
專利發明人許榮宗、祁錦雲、蔡政達、葉文勇、卓昌正
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I227063
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體，包括：一發光二極體晶粒包括一n型半導體層、一活化層與一p型半導體層；一n型歐姆接觸電極與上述n型半導體層電性連接；一p型歐姆接觸電極與上述p型半導體層電性連接；以及一氮化鋁銦鎵厚膜位於上述發光二極體晶粒上，且此氮化鋁銦鎵厚膜具有一斜側面與一紋理化的上表面。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

1224

產出年度

94

領域別

(空)

專利名稱-中文

發光二極體及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫

專利發明人

許榮宗、祁錦雲、蔡政達、葉文勇、卓昌正

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I227063

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種發光二極體，包括：一發光二極體晶粒包括一n型半導體層、一活化層與一p型半導體層；一n型歐姆接觸電極與上述n型半導體層電性連接；一p型歐姆接觸電極與上述p型半導體層電性連接；以及一氮化鋁銦鎵厚膜位於上述發光二極體晶粒上，且此氮化鋁銦鎵厚膜具有一斜側面與一紋理化的上表面。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 發光二極體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號13660
產出年度103
領域別智慧科技
專利名稱-中文發光二極體及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院電光所
計畫名稱工研院環境建構總計畫
專利發明人傅毅耕 ,江仁豪 ,方彥翔 ,陳柏君 ,林佳鋒
核准國家美國
獲證日期102/12/10
證書號碼8604488
專利期間起121/05/26
專利期間訖一種發光二極體，其包括氮化鎵基板、第一型半導體層、發光層、第二型半導體層以及第一電極與第二電極。氮化鎵基板具有位於相反側的第一表面以及第二表面，且第二表面具有多個突起，突起具有一高度h μm與在第二表面上的分佈密度d cm-2滿足：9.87×107≦h2d，且h≦1.8。第一型半導體層配置於氮化鎵基板的第一表面上。發光層配置於第一型半導體層的部分區域上，發光層所發出之光波長的範圍為375 nm至415 nm。第二型半導體層配置於發光層上。第一電極配置於第一型半導體層的部分區域上以電性連接第一型半導體層，第二電極配置於第二型半導體層的部分區域上以電性連接第二型半導體層。
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體，其包括氮化鎵基板、第一型半導體層、發光層、第二型半導體層以及第一電極與第二電極。氮化鎵基板具有位於相反側的第一表面以及第二表面，且第二表面具有多個突起，突起具有一高度h μm與在第二表面上的分佈密度d cm-2滿足：9.87×107≦h2d，且h≦1.8。第一型半導體層配置於氮化鎵基板的第一表面上。發光層配置於第一型半導體層的部分區域上，發光層所發出之光波長的範圍為375 nm至415 nm。第二型半導體層配置於發光層上。第一電極配置於第一型半導體層的部分區域上以電性連接第一型半導體層，第二電極配置於第二型半導體層的部分區域上以電性連接第二型半導體層。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 13660
產出年度: 103
領域別: 智慧科技
專利名稱-中文: 發光二極體及其製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
專利發明人: 傅毅耕 ,江仁豪 ,方彥翔 ,陳柏君 ,林佳鋒
核准國家: 美國
獲證日期: 102/12/10
證書號碼: 8604488
專利期間起: 121/05/26
專利期間訖: 一種發光二極體，其包括氮化鎵基板、第一型半導體層、發光層、第二型半導體層以及第一電極與第二電極。氮化鎵基板具有位於相反側的第一表面以及第二表面，且第二表面具有多個突起，突起具有一高度h μm與在第二表面上的分佈密度d cm-2滿足：9.87×107≦h2d，且h≦1.8。第一型半導體層配置於氮化鎵基板的第一表面上。發光層配置於第一型半導體層的部分區域上，發光層所發出之光波長的範圍為375 nm至415 nm。第二型半導體層配置於發光層上。第一電極配置於第一型半導體層的部分區域上以電性連接第一型半導體層，第二電極配置於第二型半導體層的部分區域上以電性連接第二型半導體層。
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體，其包括氮化鎵基板、第一型半導體層、發光層、第二型半導體層以及第一電極與第二電極。氮化鎵基板具有位於相反側的第一表面以及第二表面，且第二表面具有多個突起，突起具有一高度h μm與在第二表面上的分佈密度d cm-2滿足：9.87×107≦h2d，且h≦1.8。第一型半導體層配置於氮化鎵基板的第一表面上。發光層配置於第一型半導體層的部分區域上，發光層所發出之光波長的範圍為375 nm至415 nm。第二型半導體層配置於發光層上。第一電極配置於第一型半導體層的部分區域上以電性連接第一型半導體層，第二電極配置於第二型半導體層的部分區域上以電性連接第二型半導體層。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 發光二極體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號6996
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文發光二極體及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱電子與光電領域環境建構計畫
專利發明人黃承揚 ,顧浩民 ,趙煦 ,趙主立 ,宣融
核准國家美國
獲證日期99/04/20
證書號碼7,663,153
專利期間起99/02/16
專利期間訖117/03/05
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體，至少包括一個基板、一個鋸齒狀多層膜、一層第一形態半導體層、一層主動發光層以及一層第二形態半導體層。其中鋸齒狀多層膜是利用自我複製式光子晶體(autocloning photonic crystal)製作方法，在第一形態半導體層底下相對於主動發光層處形成。由於這層鋸齒狀多層膜存在於發光二極體之基板上，所以可將主動發光層背面發散之光線經由此結構反射回收再次利用，使所有光線均集中正向出光，提升發光二極體之光汲取效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 6996
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 發光二極體及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫
專利發明人: 黃承揚 ,顧浩民 ,趙煦 ,趙主立 ,宣融
核准國家: 美國
獲證日期: 99/04/20
證書號碼: 7,663,153
專利期間起: 99/02/16
專利期間訖: 117/03/05
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體，至少包括一個基板、一個鋸齒狀多層膜、一層第一形態半導體層、一層主動發光層以及一層第二形態半導體層。其中鋸齒狀多層膜是利用自我複製式光子晶體(autocloning photonic crystal)製作方法，在第一形態半導體層底下相對於主動發光層處形成。由於這層鋸齒狀多層膜存在於發光二極體之基板上，所以可將主動發光層背面發散之光線經由此結構反射回收再次利用，使所有光線均集中正向出光，提升發光二極體之光汲取效率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 發光二極體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號9861
產出年度101
領域別電資通光
專利名稱-中文發光二極體及其製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院環境建構總計畫
專利發明人黃承揚,顧浩民,趙煦,趙主立,宣融
核准國家中華民國
獲證日期101/09/03
證書號碼I370558
專利期間起101/08/11
專利期間訖116/11/06
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體，至少包括一個基板、一個鋸齒狀多層膜、一層第一形態半導體層、一層主動發光層以及一層第二形態半導體層。其中鋸齒狀多層膜是利用自我複製式光子晶體(autocloningphotoniccrystal)製作方法，在第一形態半導體層底下相對於主動發光層處形成。由於這層鋸齒狀多層膜存在於發光二極體之基板上，所以可將主動發光層背面發散之光線經由此結構反射回收再次利用，使所有光線均集中正向出光，提升發光二極體之光汲取效率。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 9861
產出年度: 101
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 發光二極體及其製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院環境建構總計畫
專利發明人: 黃承揚,顧浩民,趙煦,趙主立,宣融
核准國家: 中華民國
獲證日期: 101/09/03
證書號碼: I370558
專利期間起: 101/08/11
專利期間訖: 116/11/06
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體，至少包括一個基板、一個鋸齒狀多層膜、一層第一形態半導體層、一層主動發光層以及一層第二形態半導體層。其中鋸齒狀多層膜是利用自我複製式光子晶體(autocloningphotoniccrystal)製作方法，在第一形態半導體層底下相對於主動發光層處形成。由於這層鋸齒狀多層膜存在於發光二極體之基板上，所以可將主動發光層背面發散之光線經由此結構反射回收再次利用，使所有光線均集中正向出光，提升發光二極體之光汲取效率。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 發光二極體及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號4339
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文發光二極體及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱電子與光電領域環境建構計畫
專利發明人許榮宗 祁錦雲 蔡政達 葉文勇 卓昌正
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼7,358,537
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體，包括：一發光二極體晶粒包括一n型半導體層、一活化層與一p型半導體層；一n型歐姆接觸電極與上述n型半導體層電性連接；一p型歐姆接觸電極與上述p型半導體層電性連接；以及一氮化鋁銦鎵厚膜位於上述發光二極體晶粒上，且此氮化鋁銦鎵厚膜具有一斜側面與一紋理化的上表面。 A LED and a fabrication method are provided. An embodiment of a LED is provided. The LED comprises a LED chip comprising an n-type semiconductor layer, a active layer and a p-type semiconductor layer. An n-type ohmic contact electrode and a p-type ohmic contact electrode electrically contact the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer respectively. An AlGaInN thick film is on the LED chip, and the AlGaInN thick film has an oblique side and a textured top surface. An embodiment of a LED fabrication method is provided. The method comprises providing a substrate and forming a first pattern on the substrate. A AlGaInN thick film with an oblique side is formed on the first pattern by a epitaxy method, and the AlGaInN thick film has a first flat surface. A LED chip is formed on the first flat surface, and the LED chip comprises an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer. An n-type ohmic contact electrode and a p-type ohmic contact electrode are formed on the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer respectively. The above-mentioned structure is inverted. The substrate is removed to expose a second flat surface of the AlGaInN thick film. The second flat surface is textured to form a textured surface.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4339
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 發光二極體及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫
專利發明人: 許榮宗 祁錦雲 蔡政達 葉文勇 卓昌正
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 7,358,537
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體，包括：一發光二極體晶粒包括一n型半導體層、一活化層與一p型半導體層；一n型歐姆接觸電極與上述n型半導體層電性連接；一p型歐姆接觸電極與上述p型半導體層電性連接；以及一氮化鋁銦鎵厚膜位於上述發光二極體晶粒上，且此氮化鋁銦鎵厚膜具有一斜側面與一紋理化的上表面。 A LED and a fabrication method are provided. An embodiment of a LED is provided. The LED comprises a LED chip comprising an n-type semiconductor layer, a active layer and a p-type semiconductor layer. An n-type ohmic contact electrode and a p-type ohmic contact electrode electrically contact the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer respectively. An AlGaInN thick film is on the LED chip, and the AlGaInN thick film has an oblique side and a textured top surface. An embodiment of a LED fabrication method is provided. The method comprises providing a substrate and forming a first pattern on the substrate. A AlGaInN thick film with an oblique side is formed on the first pattern by a epitaxy method, and the AlGaInN thick film has a first flat surface. A LED chip is formed on the first flat surface, and the LED chip comprises an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer. An n-type ohmic contact electrode and a p-type ohmic contact electrode are formed on the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer respectively. The above-mentioned structure is inverted. The substrate is removed to expose a second flat surface of the AlGaInN thick film. The second flat surface is textured to form a textured surface.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 0
特殊情形: (空)
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# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號1066
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文一種高速假撚方法
執行單位工研院化工所
產出單位(空)
計畫名稱高科技纖維與產品技術開發四年計畫
專利發明人陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼207547
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種新穎的紡絲油劑組成物，應用在合成纖維部份延伸絲(POY)的摩擦假撚加工上，可避免因灰分累積於加熱絲導所產生的種種不良影響。本發明之紡絲油劑組成物包括：(A)環氧乙烷/環氧化丙烯共聚物；(B)多氧乙烯基烷基苯基醚；以及(C)銨基磺酸鹽抗靜電劑。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 1066
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 一種高速假撚方法
執行單位: 工研院化工所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫
專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 207547
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種新穎的紡絲油劑組成物，應用在合成纖維部份延伸絲(POY)的摩擦假撚加工上，可避免因灰分累積於加熱絲導所產生的種種不良影響。本發明之紡絲油劑組成物包括：(A)環氧乙烷/環氧化丙烯共聚物；(B)多氧乙烯基烷基苯基醚；以及(C)銨基磺酸鹽抗靜電劑。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號1067
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝
執行單位工研院材料所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人王興昇、李榮賢、陳棓煌
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼207522
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明包含有一基板，晶月，信號傳遞裝置以做為晶月與基板之間之電性連結，導體球陣列(BGA)做為對外訊號之傳遞，晶片、基板與一散熱元件間則以絕緣封裝體加以覆蓋，散熱元件，具有支撐器位於角落凸出於金屬板之"下表面以利於與基板連接，基板包含一島位用以置放上述之晶月，一電源環形成於島住之周圍用以輸入電源，一接地環則環繞於電源環，上述之接地環具有複數個接地墊以銜接散熱元件之支_x000D_撐器。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 1067
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝
執行單位: 工研院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 207522
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明包含有一基板，晶月，信號傳遞裝置以做為晶月與基板之間之電性連結，導體球陣列(BGA)做為對外訊號之傳遞，晶片、基板與一散熱元件間則以絕緣封裝體加以覆蓋，散熱元件，具有支撐器位於角落凸出於金屬板之"下表面以利於與基板連接，基板包含一島位用以置放上述之晶月，一電源環形成於島住之周圍用以輸入電源，一接地環則環繞於電源環，上述之接地環具有複數個接地墊以銜接散熱元件之支_x000D_撐器。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號1073
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文熱管均熱板
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人張長生、楊書榮
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼226177
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質新型
技術摘要-中文本創作揭露一種熱管均熱板，主要用於將散熱面積小的熱源，如電子元件，透過本 創作之熱管均熱板的均熱傳遞作用，迅速且均勻地導引至較大的散熱面來做更有效 的散熱，解決散熱面積小的熱源無法有效散熱，以及無法有效利用較大面積來幫助 散熱的問題。本創作係為兩片金屬板片包夾毛細結構形成一密閉的板型熱管結構， 其中一板片內部更具有凸出結構，利用熱管原理配合本創作所設計的毛細結構及內 部間隔空間，當均熱板局部位置接觸較小面積之發熱源時，能迅速吸熱並且傳遞至 另一面的整個板片，再透過較大面積之板片表面或其表面所附加之散熱片散
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 1073
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 熱管均熱板
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 張長生、楊書榮
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 226177
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 新型
技術摘要-中文: 本創作揭露一種熱管均熱板，主要用於將散熱面積小的熱源，如電子元件，透過本 創作之熱管均熱板的均熱傳遞作用，迅速且均勻地導引至較大的散熱面來做更有效 的散熱，解決散熱面積小的熱源無法有效散熱，以及無法有效利用較大面積來幫助 散熱的問題。本創作係為兩片金屬板片包夾毛細結構形成一密閉的板型熱管結構， 其中一板片內部更具有凸出結構，利用熱管原理配合本創作所設計的毛細結構及內 部間隔空間，當均熱板局部位置接觸較小面積之發熱源時，能迅速吸熱並且傳遞至 另一面的整個板片，再透過較大面積之板片表面或其表面所附加之散熱片散
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
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備註: 原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號1075
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文一種資料通訊的方法
執行單位工研院電通所
產出單位(空)
計畫名稱無線通訊技術發展五年計畫
專利發明人吳炯憲、馬金溝
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6496481
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種資料通訊之方法。首先，發送瑞根據第一控制窗所允許傳送之資料封包個 數，連續送出多數個資料封包至接收端，且接收端檢查所收到之資料封包是否含有 錯誤資料封包。在接收端收到一資料封包群之後，便將各個資料封包之傳送錯誤狀 態記載於一回應封包(ACK)內，並將回應封包傳回至發送端，而發送端於收到回應 封包後立即將錯誤的資料封包重送至接收端，然後緊接著傳送下一資料封包群，每 一資料封包群包含多數個料封包，其個數由第二控制窗決定，因此，第二控制窗的 決定了錯誤狀態被回應的間隔時間與一資料封包群之所含該資料封包的佪數，並且 ，藉由限制錯誤資料封包被更正的次數，可將有效的傳輸延遲限定在一定時間內， 而達到即時的要求。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
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備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1075
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 一種資料通訊的方法
執行單位: 工研院電通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫
專利發明人: 吳炯憲、馬金溝
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6496481
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種資料通訊之方法。首先，發送瑞根據第一控制窗所允許傳送之資料封包個 數，連續送出多數個資料封包至接收端，且接收端檢查所收到之資料封包是否含有 錯誤資料封包。在接收端收到一資料封包群之後，便將各個資料封包之傳送錯誤狀 態記載於一回應封包(ACK)內，並將回應封包傳回至發送端，而發送端於收到回應 封包後立即將錯誤的資料封包重送至接收端，然後緊接著傳送下一資料封包群，每 一資料封包群包含多數個料封包，其個數由第二控制窗決定，因此，第二控制窗的 決定了錯誤狀態被回應的間隔時間與一資料封包群之所含該資料封包的佪數，並且 ，藉由限制錯誤資料封包被更正的次數，可將有效的傳輸延遲限定在一定時間內， 而達到即時的要求。
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備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號1079
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文Optical Disk Control Mechanism
執行單位工研院光電所
產出單位(空)
計畫名稱前瞻光資訊系統技術發展計畫
專利發明人藍永松、張啟伸
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6665253
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種光碟機控制機構，至少包括：一馬達。一傳動構件，藉由馬達可以使傳動構件轉動，而傳動構件至少具有一第一時序元件、一第二時序元件。一極限開關，具有一第一電極頭、一第二電極頭，在傳動構件轉動的過程中，第一時序元件會碰觸到第一電極頭，而使第一電極頭與第二電極頭相互碰觸。一滑片，具有一端緣，在傳動構件轉動的過程中，第二時序元件會碰觸到滑片的端緣，使滑片滑動。
技術摘要-英文(空)
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備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1079
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: Optical Disk Control Mechanism
執行單位: 工研院光電所
產出單位: (空)
計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫
專利發明人: 藍永松、張啟伸
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6665253
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種光碟機控制機構，至少包括：一馬達。一傳動構件，藉由馬達可以使傳動構件轉動，而傳動構件至少具有一第一時序元件、一第二時序元件。一極限開關，具有一第一電極頭、一第二電極頭，在傳動構件轉動的過程中，第一時序元件會碰觸到第一電極頭，而使第一電極頭與第二電極頭相互碰觸。一滑片，具有一端緣，在傳動構件轉動的過程中，第二時序元件會碰觸到滑片的端緣，使滑片滑動。
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# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號1080
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文時序還原之方法與系統
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文
核准國家德國
獲證日期(空)
證書號碼573696
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文在一數位通信系統的接收器,一傳送來的類比信號由 一本地時鐘取樣,為校正本地接收器時鐘與遠端發送器 時鐘的不同步時序,由本地時鐘得到的取樣值由一時序 校正器一步處理,時序校正器更正由本地時鐘得到的取 樣值的方法為在一特定時間計算由本地時鐘得到的一 組取樣和一上升餘弦函數的迴旋,特定時間的決定是用 一窄頻寬帶通濾波器濾波時序校正器的輸出取樣後而 定,一時差檢測器用來計算前述濾波器的特定取樣輸出 後適當地調整時序校正器計算迴旋時的時間._x000D_
技術摘要-英文(空)
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備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1080
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 時序還原之方法與系統
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文
核准國家: 德國
獲證日期: (空)
證書號碼: 573696
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 在一數位通信系統的接收器,一傳送來的類比信號由 一本地時鐘取樣,為校正本地接收器時鐘與遠端發送器 時鐘的不同步時序,由本地時鐘得到的取樣值由一時序 校正器一步處理,時序校正器更正由本地時鐘得到的取 樣值的方法為在一特定時間計算由本地時鐘得到的一 組取樣和一上升餘弦函數的迴旋,特定時間的決定是用 一窄頻寬帶通濾波器濾波時序校正器的輸出取樣後而 定,一時差檢測器用來計算前述濾波器的特定取樣輸出 後適當地調整時序校正器計算迴旋時的時間._x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
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# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號1081
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文時序還原之方法與系統
執行單位工研院晶片中心
產出單位(空)
計畫名稱晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文
核准國家英國
獲證日期(空)
證書號碼573696
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文在一數位通信系統的接收器,一傳送來的類比信號由 一本地時鐘取樣,為校正本地接收器時鐘與遠端發送器 時鐘的不同步時序,由本地時鐘得到的取樣值由一時序 校正器一步處理,時序校正器更正由本地時鐘得到的取 樣值的方法為在一特定時間計算由本地時鐘得到的一 組取樣和一上升餘弦函數的迴旋,特定時間的決定是用 一窄頻寬帶通濾波器濾波時序校正器的輸出取樣後而 定,一時差檢測器用來計算前述濾波器的特定取樣輸出 後適當地調整時序校正器計算迴旋時的時間._x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
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備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1081
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 時序還原之方法與系統
執行單位: 工研院晶片中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文
核准國家: 英國
獲證日期: (空)
證書號碼: 573696
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 在一數位通信系統的接收器,一傳送來的類比信號由 一本地時鐘取樣,為校正本地接收器時鐘與遠端發送器 時鐘的不同步時序,由本地時鐘得到的取樣值由一時序 校正器一步處理,時序校正器更正由本地時鐘得到的取 樣值的方法為在一特定時間計算由本地時鐘得到的一 組取樣和一上升餘弦函數的迴旋,特定時間的決定是用 一窄頻寬帶通濾波器濾波時序校正器的輸出取樣後而 定,一時差檢測器用來計算前述濾波器的特定取樣輸出 後適當地調整時序校正器計算迴旋時的時間._x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 03-5916037 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號1082
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法
執行單位工研院生醫中心
產出單位(空)
計畫名稱抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫
專利發明人潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼157850
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種萃取中草藥中醣甘類化合物之雙水相系統，包括：水萃液；約5wt%-30wt% 的鹽類；約5wt%-30wt%的多醇；及選擇性地約5wt%～-30wt%的醇類。鹽類可以是磷 酸二氫鹽類、磷酸氫二鹽類、磷酸鹽類、或其任二者或三者之混合物、硫酸鹽類、 氯化鹽類、草酸鹽類或醋酸鹽類。另外，揭露一種利用上述雙水相系統之方法，包 括：水萃、濃縮乾燥、利用上述雙水相系統分相、取水層並濃縮乾燥、加溶劑清洗 、超音波震盪、離心取濾液、低溫下靜置沈澱、固液分離、濃縮乾燥。_x000D_ An aqueous two-phase sy
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 1082
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法
執行單位: 工研院生醫中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫
專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 157850
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種萃取中草藥中醣甘類化合物之雙水相系統，包括：水萃液；約5wt%-30wt% 的鹽類；約5wt%-30wt%的多醇；及選擇性地約5wt%～-30wt%的醇類。鹽類可以是磷 酸二氫鹽類、磷酸氫二鹽類、磷酸鹽類、或其任二者或三者之混合物、硫酸鹽類、 氯化鹽類、草酸鹽類或醋酸鹽類。另外，揭露一種利用上述雙水相系統之方法，包 括：水萃、濃縮乾燥、利用上述雙水相系統分相、取水層並濃縮乾燥、加溶劑清洗 、超音波震盪、離心取濾液、低溫下靜置沈澱、固液分離、濃縮乾燥。_x000D_ An aqueous two-phase sy
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)
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與發光二極體及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 芬蘭 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 瑞典 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

用來解開兩個展頻碼的方法與裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 顧中威, 郭富彥 | 證書號碼: 6,724,838

節拍計數器及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 陳芳祝 | 證書號碼: 6,787,689

用於無線通訊網路之即時視訊傳送方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇淑津, 劉志俊 | 證書號碼: 6,658,019

調適型數位濾波器之學習方法與裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 陳恆洲, 陳自強 | 證書號碼: 6,654,412

以延遲量測同步的方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 盧澄乾 | 證書號碼: 184620

以延遲量測同步的方法與裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 盧澄乾 | 證書號碼: 6,647,246

展頻通訊系統的碼跟蹤系統及方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 陳蘊彥, 楊木榮 | 證書號碼: ZL00106945.4

寬頻微帶線洩漏波天線

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 沈志文 | 證書號碼: 211376

用於雙模式收發器的關聯器/有限脈衝頻率響應濾波器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 郭富彥, 顧中威 | 證書號碼: 6,748,014

碼群組辨識與框邊界同步的方法與裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 陳柏村, 黃合淇, 陳蘊彥, 楊木榮 | 證書號碼: 6,775,318

片狀天線

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 曾文仁, 沈志文, 陳建宏 | 證書號碼: ZL01103747.4

環型耦合微波空腔

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉智群, 張忠繼, 鍾如琦 | 證書號碼: 3604653

多頻天線裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 曾文仁, 沈志文 | 證書號碼: 214324

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 芬蘭 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

以快速傅利葉轉換為基礎之分碼多重進接犁耙式接收機架構及其方法

核准國家: 瑞典 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃家齊, 王信淵, 黃永亮 | 證書號碼: 0980149

用來解開兩個展頻碼的方法與裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 顧中威, 郭富彥 | 證書號碼: 6,724,838

節拍計數器及其方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 陳芳祝 | 證書號碼: 6,787,689

用於無線通訊網路之即時視訊傳送方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇淑津, 劉志俊 | 證書號碼: 6,658,019

調適型數位濾波器之學習方法與裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 陳恆洲, 陳自強 | 證書號碼: 6,654,412

以延遲量測同步的方法與裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 盧澄乾 | 證書號碼: 184620

以延遲量測同步的方法與裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 盧澄乾 | 證書號碼: 6,647,246

展頻通訊系統的碼跟蹤系統及方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 陳蘊彥, 楊木榮 | 證書號碼: ZL00106945.4

寬頻微帶線洩漏波天線

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 沈志文 | 證書號碼: 211376

用於雙模式收發器的關聯器/有限脈衝頻率響應濾波器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 郭富彥, 顧中威 | 證書號碼: 6,748,014

碼群組辨識與框邊界同步的方法與裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 陳柏村, 黃合淇, 陳蘊彥, 楊木榮 | 證書號碼: 6,775,318

片狀天線

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 曾文仁, 沈志文, 陳建宏 | 證書號碼: ZL01103747.4

環型耦合微波空腔

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉智群, 張忠繼, 鍾如琦 | 證書號碼: 3604653

多頻天線裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 曾文仁, 沈志文 | 證書號碼: 214324

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