有機雙穩態記憶體及其製造方法
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專利名稱-中文有機雙穩態記憶體及其製造方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 專利發明人是陳維恕, 證書號碼是I229937.

序號	1549
產出年度	94
領域別	(空)
專利名稱-中文	有機雙穩態記憶體及其製造方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人	陳維恕
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I229937
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種有機雙穩態記憶體，其有機層兩側形成有介電層，並於介電層兩側形成有電極，由電極施加電壓時，該記憶體可在高阻抗與低阻抗兩種狀態之間轉換及運作。藉以減低材料品質不佳或製程不穩定對於元件之影響，並改善因品質不良及製程不穩所導致元件之ON/OFF電流比率降低、留滯時間縮短及元件短路失效的問題，同時也為有機雙穩態記憶體電流傳輸機制不夠清楚的問題提供了更多的證據及理論探討的空間。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

1549

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

有機雙穩態記憶體及其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

專利發明人

陳維恕

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I229937

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種有機雙穩態記憶體，其有機層兩側形成有介電層，並於介電層兩側形成有電極，由電極施加電壓時，該記憶體可在高阻抗與低阻抗兩種狀態之間轉換及運作。藉以減低材料品質不佳或製程不穩定對於元件之影響，並改善因品質不良及製程不穩所導致元件之ON/OFF電流比率降低、留滯時間縮短及元件短路失效的問題，同時也為有機雙穩態記憶體電流傳輸機制不夠清楚的問題提供了更多的證據及理論探討的空間。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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通孔結構、記憶體陣列、三維電阻式記憶體與其形成方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: FREDERICK T. CHEN ,吳岱原 ,陳佑昇 ,陳維恕 ,辜佩儀 ,林雨德 \| 證書號碼: 9,257,641 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
電阻式隨機存取記憶體及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 ,吳岱原 ,楊姍意 ,陳鵬升 ,FREDERICK T. CHEN \| 證書號碼: 100148956 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
電阻式記憶元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 ,FREDERICK T. CHEN ,楊姍意 ,陳鵬升 \| 證書號碼: I521674 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
二維碟盤狀相變化記憶體元件結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 96 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 陳維恕陳頤承王文翰許宏輝李乾銘卓言趙得勝李敏鴻 \| 證書號碼: I284389 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
電阻式隨機存取記憶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 ,吳岱原 ,FREDERICK T. CHEN ,陳邦旭 \| 證書號碼: I458077 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
電阻式記憶元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 證書號碼: I433364 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
相變化記憶體裝置及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 證書號碼: I449170 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
電阻式隨機存取記憶體元件及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陳維恕 \| 證書號碼: I451608 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

通孔結構、記憶體陣列、三維電阻式記憶體與其形成方法

一種高速假撚方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 \| 證書號碼: 207547 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 \| 證書號碼: 207522 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
熱管均熱板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張長生、楊書榮 \| 證書號碼: 226177 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種資料通訊的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 \| 證書號碼: 6496481 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Optical Disk Control Mechanism	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 \| 專利發明人: 藍永松、張啟伸 \| 證書號碼: 6665253 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 德國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 \| 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 \| 證書號碼: 157850 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 \| 證書號碼: 6700783
應用奈米管增加半導體元件電容之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 \| 證書號碼: 6759305
改進之場發射型顯示器驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 \| 證書號碼: 6741039
氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 \| 證書號碼: 188211
形成薄膜電晶體於透明基板上之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東 \| 證書號碼: 6764887
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 \| 證書號碼: 187289
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 \| 證書號碼: 6773870
電流驅動元件主動陣列的畫素電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 \| 證書號碼: 197219
高密度資料讀寫器及其讀寫方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂 \| 證書號碼: 200381
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 \| 證書號碼: 206462
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 \| 證書號碼: 6806929
光電模組模封裝	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳文彥, 范榮昌, 劉君愷 \| 證書號碼: 220733
光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 姜信騰, 劉君愷, 周意工 \| 證書號碼: 6808323
一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 盧思維, 盧威華, 呂芳俊 \| 證書號碼: 190623
一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 呂芳俊, 盧思維, 樓百堯 \| 證書號碼: 184711

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