奈米電子關鍵技術四年計畫 @ 政府開放資料
奈米電子關鍵技術四年計畫 - 搜尋結果總共有 167 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
利用EBDW曝顯Sub-32nm接觸孔洞製程技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 孔徑/孔距小於1/3(或更稀疏)的小於32奈米直徑的接觸孔洞陣列可以達成_x000D_。 | 潛力預估: 相容性佳、與CMOS製程相容，微距解析度較光學(DUV)微影技術及光罩電子束微影技術(Shaped-Beam EBDW)高。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Sub-10nm接觸孔洞微縮製程技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用電子束直寫技術及微距微縮技術如熱收縮及輔助膜微縮解析度增加技術可達成將40-100nm初始接觸孔洞微縮至小於10nm直徑之孔洞。 | 潛力預估: 世界上最高產率的超高深寬比Sub-10nm接觸孔洞，其他以高解析度EBDW直寫的Sub-10nm接觸孔洞在產率及深寬比上難以達成。舉例而言本技術之初始微距可用量產產率的Shaped-beam EBDW... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIM電容技術：等效厚度小於2.3奈米，漏電流小於 30nA/cm2@1.7V。 | 潛力預估: 相容性佳：與傳統記憶體製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
N型奈米碳管元件之製作方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 王宏祥、魏拯華、高明哲 | 證書號碼: 6723624 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
新式陣列化之奈米碳管電晶體製程方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 駱伯遠、江日舜、魏拯華、黃建良、王宏祥、賴明駿、高明哲 | 證書號碼: 6821911 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
奈米碳管電晶體之製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 駱伯遠、江日舜、魏拯華、黃建良、王宏祥、賴明駿、高明哲 | 證書號碼: I239071 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
MRAM 元件製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM) | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
奈米碳管電晶體之製造方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 駱伯遠, 江日舜, 魏拯華, 黃建良, 王宏祥, 賴明駿, 高明哲 | 證書號碼: 6821911 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體裝置之製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 林哲歆、裴靜偉、陸新起、謝文益 | 證書號碼: I234188 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體裝置之製造方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 林哲歆、裴靜偉、陸新起、謝文益 | 證書號碼: @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 | 證書號碼: 6713377 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 | 證書號碼: 6660625 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體裝置之製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 林哲歆、裴靜偉、陸新起、蔡銘進 | 證書號碼: I241664 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
一種磊晶基極的雙極性電晶體製程 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英 | 證書號碼: 6589849 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體光電晶體 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 | 證書號碼: 222219 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體光電晶體 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 | 證書號碼: 6759694 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 | 證書號碼: 223259 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 | 證書號碼: 6791887 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
利用EBDW曝顯Sub-32nm接觸孔洞製程技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 孔徑/孔距小於1/3(或更稀疏)的小於32奈米直徑的接觸孔洞陣列可以達成_x000D_。 | 潛力預估: 相容性佳、與CMOS製程相容，微距解析度較光學(DUV)微影技術及光罩電子束微影技術(Shaped-Beam EBDW)高。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Sub-10nm接觸孔洞微縮製程技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 利用電子束直寫技術及微距微縮技術如熱收縮及輔助膜微縮解析度增加技術可達成將40-100nm初始接觸孔洞微縮至小於10nm直徑之孔洞。 | 潛力預估: 世界上最高產率的超高深寬比Sub-10nm接觸孔洞，其他以高解析度EBDW直寫的Sub-10nm接觸孔洞在產率及深寬比上難以達成。舉例而言本技術之初始微距可用量產產率的Shaped-beam EBDW... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIM電容技術：等效厚度小於2.3奈米，漏電流小於 30nA/cm2@1.7V。 | 潛力預估: 相容性佳：與傳統記憶體製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
N型奈米碳管元件之製作方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 王宏祥、魏拯華、高明哲 | 證書號碼: 6723624 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
新式陣列化之奈米碳管電晶體製程方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 駱伯遠、江日舜、魏拯華、黃建良、王宏祥、賴明駿、高明哲 | 證書號碼: 6821911 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
奈米碳管電晶體之製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 駱伯遠、江日舜、魏拯華、黃建良、王宏祥、賴明駿、高明哲 | 證書號碼: I239071 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
MRAM 元件製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
奈米碳管電晶體之製造方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 駱伯遠, 江日舜, 魏拯華, 黃建良, 王宏祥, 賴明駿, 高明哲 | 證書號碼: 6821911 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體裝置之製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 林哲歆、裴靜偉、陸新起、謝文益 | 證書號碼: I234188 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體裝置之製造方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 林哲歆、裴靜偉、陸新起、謝文益 | 證書號碼: @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 | 證書號碼: 6713377 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 | 證書號碼: 6660625 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體裝置之製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 林哲歆、裴靜偉、陸新起、蔡銘進 | 證書號碼: I241664 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
一種磊晶基極的雙極性電晶體製程核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英 | 證書號碼: 6589849 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體光電晶體核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 | 證書號碼: 222219 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
半導體光電晶體核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為 | 證書號碼: 6759694 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 | 證書號碼: 223259 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥 | 證書號碼: 6791887 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |