具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法
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專利名稱-中文具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是6870585, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是張鈞傑、莊景桑、陳志強.

序號2029
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人張鈞傑 | 莊景桑 | 陳志強
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6870585
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種具有不同夾厚(cell gap)的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法,其特徵在於:形成一彩色濾光片於反射電極與透明電極上,其中位在反射區之彩色濾光片厚度比位在穿透區之彩色濾光片厚度薄,以及形成一透明有機結構於位在反射區的共通電極上,該透明有機結構的一端撐住彩色濾光片,並使得位在反射區的液晶層夾厚小於位在穿透區的液晶層夾厚。根據本發明,能夠得到在穿透與反射模式下的顏色飽和度相近且又具有不同夾厚之半穿透式液晶顯示器裝置。_x000D_ A transflective LCD device having various
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
特殊情形(空)

序號

2029

產出年度

94

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

張鈞傑 | 莊景桑 | 陳志強

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6870585

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具有不同夾厚(cell gap)的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法,其特徵在於:形成一彩色濾光片於反射電極與透明電極上,其中位在反射區之彩色濾光片厚度比位在穿透區之彩色濾光片厚度薄,以及形成一透明有機結構於位在反射區的共通電極上,該透明有機結構的一端撐住彩色濾光片,並使得位在反射區的液晶層夾厚小於位在穿透區的液晶層夾厚。根據本發明,能夠得到在穿透與反射模式下的顏色飽和度相近且又具有不同夾厚之半穿透式液晶顯示器裝置。_x000D_ A transflective LCD device having various

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電,95年改為電資通光

特殊情形

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具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 4271000 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強

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具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206597 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強

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具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 4271000 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強

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具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206597 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 莊景桑, 陳志強

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形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

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形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190648 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑

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形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

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形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強、莊景桑、張鈞傑

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形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

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形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190648 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑

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形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

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形成頂閘極型薄膜電晶體元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 影像顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強、莊景桑、張鈞傑

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一種高速假撚方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207547 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 | 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬

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增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌

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熱管均熱板

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 226177 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張長生、楊書榮

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一種資料通訊的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6496481 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝

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Optical Disk Control Mechanism

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6665253 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 專利發明人: 藍永松、張啟伸

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時序還原之方法與系統

核准國家: 德國 | 證書號碼: 573696 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文

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時序還原之方法與系統

核准國家: 英國 | 證書號碼: 573696 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文

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萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 157850 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 | 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然

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一種高速假撚方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207547 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 | 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬

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增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌

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熱管均熱板

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 226177 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張長生、楊書榮

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一種資料通訊的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6496481 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝

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Optical Disk Control Mechanism

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6665253 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 專利發明人: 藍永松、張啟伸

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時序還原之方法與系統

核准國家: 德國 | 證書號碼: 573696 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文

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時序還原之方法與系統

核准國家: 英國 | 證書號碼: 573696 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文

@ 技術司專利資料集

萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 157850 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 | 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然

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與具有不同夾厚的半穿透式液晶顯示器裝置及其製造方法同分類的技術司專利資料集

應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇

可撓性之光電傳輸匯流排

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206592 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 沈里正, 陳有志, 張恕銘, 柯志祥

N型奈米碳管元件之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220269 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王宏祥, 魏拯華, 高明哲

形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190648 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑

光波導製程之階梯覆蓋率的測試結構及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191701 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡柏豪, 邱景宏, 顏凱翔, 劉文俊, 李裕文

埋藏式電容結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192752 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇

埋藏式電容結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6813138 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇

超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223446 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206598 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜

橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206589 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197248 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188284 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6725882 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198288 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220255 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞

應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 歐政隆, 李宗昇

可撓性之光電傳輸匯流排

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206592 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 沈里正, 陳有志, 張恕銘, 柯志祥

N型奈米碳管元件之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220269 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王宏祥, 魏拯華, 高明哲

形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190648 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑

光波導製程之階梯覆蓋率的測試結構及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191701 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡柏豪, 邱景宏, 顏凱翔, 劉文俊, 李裕文

埋藏式電容結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 192752 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇

埋藏式電容結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6813138 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇

超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223446 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206598 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜

橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206589 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197248 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188284 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6725882 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198288 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220255 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞

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