應用於多工分波之共振腔元件陣列及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文應用於多工分波之共振腔元件陣列及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是6993055, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是95, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是王智祥、Nikolai Sakharov Kovch、吳易座.

序號	2374
產出年度	95
領域別	(空)
專利名稱-中文	應用於多工分波之共振腔元件陣列及其製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	王智祥 \| Nikolai Sakharov Kovch \| 吳易座
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6993055
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種應用於多工分波之共振腔元件陣列及其製造方法，係於共振腔元件之磊晶結構中形成選擇性氧化結構，其包含一個以上之砷化鋁鎵(AlxGa1-xAs)氧化調整層；藉由砷化鋁鎵(AlGaAs)於氧化之後會形成氧化鋁鎵(AlGaO)而改變其折射率與厚度，來改變與控制共振腔元件的波長；每一共振腔元件的波長改變量係由選擇性氧化結構所含之砷化鋁鎵(AlxGa1-xAs)氧化調整層的層數、厚度與組成來決定。The specification discloses a resonant cavity device array for wavelength division multiplexing and the method for fabricating it. The structure of the resonant cavity device is selectively formed with an oxide structure, which contains more than one Al.sub.xGa.sub.1-xAs oxide tuning layer. After the oxidation of AlGaAs, AlGaO is formed to change the refractive index and the thickness, thereby changing and controlling the wavelength of the resonant cavity device. The wavelength variant of each resonant cavity device is determined by the number of layers, thicknesses and compositions of the Al.sub.xGa.sub.1-xAs oxide tuning layer contained in the selective oxide structure.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號

2374

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

應用於多工分波之共振腔元件陣列及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

王智祥 | Nikolai Sakharov Kovch | 吳易座

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6993055

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種應用於多工分波之共振腔元件陣列及其製造方法，係於共振腔元件之磊晶結構中形成選擇性氧化結構，其包含一個以上之砷化鋁鎵(AlxGa1-xAs)氧化調整層；藉由砷化鋁鎵(AlGaAs)於氧化之後會形成氧化鋁鎵(AlGaO)而改變其折射率與厚度，來改變與控制共振腔元件的波長；每一共振腔元件的波長改變量係由選擇性氧化結構所含之砷化鋁鎵(AlxGa1-xAs)氧化調整層的層數、厚度與組成來決定。The specification discloses a resonant cavity device array for wavelength division multiplexing and the method for fabricating it. The structure of the resonant cavity device is selectively formed with an oxide structure, which contains more than one Al.sub.xGa.sub.1-xAs oxide tuning layer. After the oxidation of AlGaAs, AlGaO is formed to change the refractive index and the thickness, thereby changing and controlling the wavelength of the resonant cavity device. The wavelength variant of each resonant cavity device is determined by the number of layers, thicknesses and compositions of the Al.sub.xGa.sub.1-xAs oxide tuning layer contained in the selective oxide structure.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化

特殊情形

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香泉米行

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陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6714268 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊 \| 莊立聖
具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191581 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東 \| 廖宗能 \| 陳志強
具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6677189 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東 \| 廖宗能 \| 陳志強

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