電鑄殼模的增厚方法
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專利名稱-中文電鑄殼模的增厚方法的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料所, 產出年度是95, 專利性質是發明, 計畫名稱是光電輸出入模組與應用技術計畫, 專利發明人是張家華、蘇程裕、吳貞欽、徐駿龍, 證書號碼是發明第 I 256328號.

序號	2497
產出年度	95
領域別	(空)
專利名稱-中文	電鑄殼模的增厚方法
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	光電輸出入模組與應用技術計畫
專利發明人	張家華、蘇程裕、吳貞欽、徐駿龍
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	發明第 I 256328號
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種電鑄殼模的增厚方法，用以增加一金屬殼模之厚度，主要係利用具有稀土元素之活性銲料，來增加在接合過程中銲料在基材表面的潤濕性；再藉由機械攪拌將此稀土元素氧化物排出，以產生乾淨接觸面，進而促使熔融的填料於基材表面潤溼，而達到結合的目的。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張家華
電話	03-4712201 ext. 354073
傳真	03-4713119
電子信箱	鞠萍章03-4712201 ext 357202
參考網址	(空)
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

2497

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

電鑄殼模的增厚方法

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

光電輸出入模組與應用技術計畫

專利發明人

張家華、蘇程裕、吳貞欽、徐駿龍

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

發明第 I 256328號

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種電鑄殼模的增厚方法，用以增加一金屬殼模之厚度，主要係利用具有稀土元素之活性銲料，來增加在接合過程中銲料在基材表面的潤濕性；再藉由機械攪拌將此稀土元素氧化物排出，以產生乾淨接觸面，進而促使熔融的填料於基材表面潤溼，而達到結合的目的。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張家華

電話

03-4712201 ext. 354073

傳真

03-4713119

電子信箱

鞠萍章03-4712201 ext 357202

參考網址

(空)

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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N型奈米碳管元件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王宏祥, 魏拯華, 高明哲 \| 證書號碼: 220269
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑, 陳志強, 莊景桑 \| 證書號碼: 190648
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埋藏式電容結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 \| 證書號碼: 192752
埋藏式電容結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 \| 證書號碼: 6813138
超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為 \| 證書號碼: 223446
具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜 \| 證書號碼: 206598
橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸 \| 證書號碼: 206589
測試蝕刻速率的結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華 \| 證書號碼: 197248
微通道流體導引元件	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 \| 證書號碼: 188284
微通道流體導引元件	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 \| 證書號碼: 6725882
薄膜電晶體的結構、其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 \| 證書號碼: 198288
移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 \| 證書號碼: 220255
電容屏蔽結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 \| 證書號碼: 192543
溝槽式金氧半電晶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 \| 證書號碼: 202861

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執行單位

產出單位

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專利期間起

專利期間訖

專利性質

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