提高電極釋鐵速率之表面處理技術
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文提高電極釋鐵速率之表面處理技術的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是95, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是金光祖、湯鴻祥、詹舒斐、陳文藏, 證書號碼是I261629.

序號	2793
產出年度	95
領域別	(空)
專利名稱-中文	提高電極釋鐵速率之表面處理技術
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	金光祖、湯鴻祥、詹舒斐、陳文藏
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I261629
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種適於同時進行電混凝及高級氧化程序之水處理反應器，包含：一直立的密閉反應槽，其具有一金屬槽體或具有設於該反應槽之內壁上的金屬作為陰極；一位於該反應槽內且與該陰極呈電絕緣的作為陽極之犧牲電極；一設於該反應槽的底部之氣液混合裝置，用於使被導入該反應槽底部的待處理水及空氣或含氧氣體充份接觸；一氣液分離裝置，其流體連通於該反應槽的頂部，用於從該反應槽的頂部排出氣體，同時防止該反應槽內的水由該氣液分離裝置排出；及一直流電源供應裝置，其正極電連接於該陽極及其負極電連接於該陰極。The present invention discloses a surface treatment process for enhancing both the release rate of metal ions from a sacrificial electrode, and the working life of the electrode.A high density of micro pores are formed on the surface of the sacrificial electrode.Chlorine ions are then implanted into the pores. The chlorine ions prevent a passive film from forming on the sacrificial electrode during use, in which an electric current flows through the sacrificial electrode.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

2793

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

提高電極釋鐵速率之表面處理技術

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

金光祖、湯鴻祥、詹舒斐、陳文藏

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I261629

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種適於同時進行電混凝及高級氧化程序之水處理反應器，包含：一直立的密閉反應槽，其具有一金屬槽體或具有設於該反應槽之內壁上的金屬作為陰極；一位於該反應槽內且與該陰極呈電絕緣的作為陽極之犧牲電極；一設於該反應槽的底部之氣液混合裝置，用於使被導入該反應槽底部的待處理水及空氣或含氧氣體充份接觸；一氣液分離裝置，其流體連通於該反應槽的頂部，用於從該反應槽的頂部排出氣體，同時防止該反應槽內的水由該氣液分離裝置排出；及一直流電源供應裝置，其正極電連接於該陽極及其負極電連接於該陰極。The present invention discloses a surface treatment process for enhancing both the release rate of metal ions from a sacrificial electrode, and the working life of the electrode.A high density of micro pores are formed on the surface of the sacrificial electrode.Chlorine ions are then implanted into the pores. The chlorine ions prevent a passive film from forming on the sacrificial electrode during use, in which an electric current flows through the sacrificial electrode.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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提升犧牲電極金屬釋放率的表面處理方法及犧牲電極	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 95 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 金光祖、湯鴻祥、詹舒斐、陳文藏 \| 證書號碼: @ 經濟部產業技術司–專利資料集
提升犧牲電極金屬釋放率的表面處理方法及犧牲電極	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 金光祖湯鴻祥詹舒斐陳文藏 \| 證書號碼: ZL200310117398.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

提升犧牲電極金屬釋放率的表面處理方法及犧牲電極

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提升犧牲電極金屬釋放率的表面處理方法及犧牲電極

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一種高速假撚方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 \| 證書號碼: 207547 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 \| 證書號碼: 207522 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
熱管均熱板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張長生、楊書榮 \| 證書號碼: 226177 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種資料通訊的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 \| 證書號碼: 6496481 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Optical Disk Control Mechanism	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 \| 專利發明人: 藍永松、張啟伸 \| 證書號碼: 6665253 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 德國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 \| 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 \| 證書號碼: 157850 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 \| 證書號碼: 6811457
具低切換雜訊之構裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 \| 證書號碼: 6683781
低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 \| 證書號碼: 6670224
傾斜散射反射板的製造方法與結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 \| 證書號碼: 6692902
低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 \| 證書號碼: 6692791
無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋 \| 證書號碼: 6656772
使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 \| 證書號碼: 6605491
可調式電容及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 \| 證書號碼: 185849
具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 \| 證書號碼: 3533205
具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 \| 證書號碼: 223402
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 184677
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6651325
矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 \| 證書號碼: 184681
3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 \| 證書號碼: 6700783
應用奈米管增加半導體元件電容之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 \| 證書號碼: 6759305

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