具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法的核准國家是日本, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是微奈米系統應用技術四年計畫, 專利發明人是鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹, 證書號碼是3533205.

序號791
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
專利發明人鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹
核准國家日本
獲證日期(空)
證書號碼3533205
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ 第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820411
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

791

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微奈米系統應用技術四年計畫

專利發明人

鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹

核准國家

日本

獲證日期

(空)

證書號碼

3533205

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ 第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。

技術摘要-英文

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聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

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http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

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同步更新日期

2023-07-05

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# 具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號3172
產出年度96
領域別(空)
專利名稱-中文具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業共同實驗室環境建構計畫
專利發明人鍾震桂 林俊仁 陳仲竹
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ 第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 3172
產出年度: 96
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南部產業共同實驗室環境建構計畫
專利發明人: 鍾震桂 林俊仁 陳仲竹
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ 第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
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備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號2351
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭
執行單位工研院醫材中心
產出單位(空)
計畫名稱微小化生醫診療工程及組織再生技術開發計畫
專利發明人鍾震桂、林俊仁、陳仲竹
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ A method for fabricating a thermal inkjet head equipped with a symmetrical heater and the head fabricated by the method are provided. The method incorporates two thick photoresist deposition processes and a nickel electroplating process. The first thick photoresist deposition process is carried out to form an ink chamber in fluid communication with a funnel-shaped manifold and an injector orifice. The second thick photoresist deposition process forms a mold for forming an injector passageway that leads to the injector orifice. The nickel electroplating process provides an orifice plate on top of the inkjet head through which an injector passageway that leads to the injector orifice is provided for injecting ink droplets.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
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備註原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 2351
產出年度: 95
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭
執行單位: 工研院醫材中心
產出單位: (空)
計畫名稱: 微小化生醫診療工程及組織再生技術開發計畫
專利發明人: 鍾震桂、林俊仁、陳仲竹
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ A method for fabricating a thermal inkjet head equipped with a symmetrical heater and the head fabricated by the method are provided. The method incorporates two thick photoresist deposition processes and a nickel electroplating process. The first thick photoresist deposition process is carried out to form an ink chamber in fluid communication with a funnel-shaped manifold and an injector orifice. The second thick photoresist deposition process forms a mold for forming an injector passageway that leads to the injector orifice. The nickel electroplating process provides an orifice plate on top of the inkjet head through which an injector passageway that leads to the injector orifice is provided for injecting ink droplets.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
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備註: 原領域別為生技醫藥，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)

# 具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號3159
產出年度96
領域別(空)
專利名稱-中文具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業共同實驗室環境建構計畫
專利發明人鍾震桂 林俊仁 陳仲竹
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼(空)
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ 第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 3159
產出年度: 96
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南部產業共同實驗室環境建構計畫
專利發明人: 鍾震桂 林俊仁 陳仲竹
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: (空)
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_ 第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和製程上由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室與一輔助液室，藉以提供液體流動與補充之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。_x000D_
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)

# 具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號1982
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
專利發明人鍾震桂、林俊仁、陳仲竹
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼6942320
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
序號: 1982
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具備對稱式加熱片與墨水快速回填機制之熱氣泡式單石噴墨頭
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
專利發明人: 鍾震桂、林俊仁、陳仲竹
核准國家: 美國
獲證日期: (空)
證書號碼: 6942320
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 第一案摘要：本發明提供一種具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係由二次厚光阻以及電鍍鎳製程所組成；第一厚光阻製程主要是於一漏斗狀的液體進口與一噴孔之間，形成一噴液室，藉以提供液體流動之用；第二厚光阻製程則是在設計一模具，以此模具來製作噴孔流道，而與噴孔形成一連通；電鍍鎳製程係於噴液頭頂端製作一噴孔片，且此噴孔片係經由噴液頭中之一連接有噴孔通道之噴孔穿過，用以讓液滴由此處噴出。第二案摘要：本發明提供一種具有液體快速回填機制之微型噴液產生器及其製造方法，此方法係設計上增加第二加熱片和
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形: (空)
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# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號651
產出年度93
技術名稱-中文電化學蝕刻停止技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 651
產出年度: 93
技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號652
產出年度93
技術名稱-中文鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 652
產出年度: 93
技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估: 應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號654
產出年度93
技術名稱-中文微鰭片散熱技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估應用潛力中
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才微機電製程,機械背景人才
序號: 654
產出年度: 93
技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估: 應用潛力中
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號655
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度試量產
可應用範圍壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
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所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才alignment mask design / anisotropic wet etching
序號: 655
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號656
產出年度93
技術名稱-中文室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格（1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度雛型
可應用範圍保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
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所須軟硬體設備FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才具IC設計、影像系統設計能力。
序號: 656
產出年度: 93
技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估: 應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號657
產出年度93
技術名稱-中文低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度試量產
可應用範圍犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 657
產出年度: 93
技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號658
產出年度93
技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 658
產出年度: 93
技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號659
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度試量產
可應用範圍印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電機,半導體製程背景人才。
序號: 659
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估: 潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。
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與具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

生物處理裝置及其淨化廢水或自來水原水的方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽 | 證書號碼: ZL01140206.7

浮動床型生物處理裝置以及使用該裝置淨化難分解性廢水或自來水原水的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽 | 證書號碼: 206418

浮動床型生物處理裝置以及使用該裝置淨化難分解性廢水或自來水原水的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽 | 證書號碼: 6,682,653

使用無紡布過濾的膜生物反應器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 張王冠, 張敏超, 洪仁陽, 邵信 | 證書號碼: ZL01144422.3

使用不織物過濾膜之膜離物反應器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 張王冠, 張敏超, 洪仁陽, 邵信 | 證書號碼: 6,808,628

電透析膜離生物反應槽及含硝酸鹽原水或廢水的脫氮方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 洪仁陽, 張王冠, 邵信, 吳漢松 | 證書號碼: ZL01139846.9

使用膜離生物反應器的廢水/水處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 洪仁陽, 張王冠, 邵信, 張敏超 | 證書號碼: 207296

從水中移除砷的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 李茂松, 張王冠, 黃志彬, 顏士閔 | 證書號碼: 189832

多功能壓力量測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平, 湯新達 | 證書號碼: 210150

套管式平均動壓測量裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平, 唐思維 | 證書號碼: ZL03249004.6

套管式平均動壓量測管

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平, 唐思維 | 證書號碼: 242689

雙管式平均動壓測量裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平 | 證書號碼: ZL03249005.4

雙管式平均動壓量測管

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平 | 證書號碼: M245405

移動式負壓隔離艙

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸忠憲, 黃建平, 林慶峰, 吳振榮, 許又仁 | 證書號碼: M248423

旋轉乾燥造粒裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃嘉宏, 黃家銘, 賴重光, 蔡啟明, 張贊淵, 黃珧玲, 鄧瑞琴, 曾善訓, 陳政澤 | 證書號碼: 209043

生物處理裝置及其淨化廢水或自來水原水的方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽 | 證書號碼: ZL01140206.7

浮動床型生物處理裝置以及使用該裝置淨化難分解性廢水或自來水原水的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽 | 證書號碼: 206418

浮動床型生物處理裝置以及使用該裝置淨化難分解性廢水或自來水原水的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 莊順興, 邱創汎, 游惠宋, 張王冠, 邵信, 彭明鏡, 洪仁陽 | 證書號碼: 6,682,653

使用無紡布過濾的膜生物反應器

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 張王冠, 張敏超, 洪仁陽, 邵信 | 證書號碼: ZL01144422.3

使用不織物過濾膜之膜離物反應器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 張王冠, 張敏超, 洪仁陽, 邵信 | 證書號碼: 6,808,628

電透析膜離生物反應槽及含硝酸鹽原水或廢水的脫氮方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 洪仁陽, 張王冠, 邵信, 吳漢松 | 證書號碼: ZL01139846.9

使用膜離生物反應器的廢水/水處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 洪仁陽, 張王冠, 邵信, 張敏超 | 證書號碼: 207296

從水中移除砷的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 李茂松, 張王冠, 黃志彬, 顏士閔 | 證書號碼: 189832

多功能壓力量測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平, 湯新達 | 證書號碼: 210150

套管式平均動壓測量裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平, 唐思維 | 證書號碼: ZL03249004.6

套管式平均動壓量測管

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平, 唐思維 | 證書號碼: 242689

雙管式平均動壓測量裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平 | 證書號碼: ZL03249005.4

雙管式平均動壓量測管

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃建平 | 證書號碼: M245405

移動式負壓隔離艙

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸忠憲, 黃建平, 林慶峰, 吳振榮, 許又仁 | 證書號碼: M248423

旋轉乾燥造粒裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院環安中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃嘉宏, 黃家銘, 賴重光, 蔡啟明, 張贊淵, 黃珧玲, 鄧瑞琴, 曾善訓, 陳政澤 | 證書號碼: 209043

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