奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部
專利名稱-中文奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程的核准國家是美國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充, 證書號碼是6811457.
| 序號 | 783 |
| 產出年度 | 93 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 專利發明人 | 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | 6811457 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種奈米碳管場發射顯示器之陰極板的製程，利用感光性導電漿料與可蝕刻之介電材料，結合光微影製程與蝕刻製 程來製作，包含底電極的製作、介電層的製作、閘極層的製作和奈米碳管場發射層的製作。此陰極板結構再與陽極板封裝組合即完成一奈米碳管場發射顯示器陣列。相較於傳統網印法印製的陰極圖案，本發明大大提高解析，使顯示器的品質得到改善。且結構中介電層的解析可在閘電極製作時一併決定，減少了煩複的對位，不僅製程簡單，並且膜厚均勻性佳，印製圖案可任意配列也不會失真，更無電場強度分佈不均的缺點。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | (空) |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
| 特殊情形 | (空) |
| 同步更新日期 | 2023-07-05 |
序號783 |
產出年度93 |
領域別(空) |
專利名稱-中文奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程 |
執行單位工研院電子所 |
產出單位(空) |
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
專利發明人鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 |
核准國家美國 |
獲證日期(空) |
證書號碼6811457 |
專利期間起(空) |
專利期間訖(空) |
專利性質發明 |
技術摘要-中文一種奈米碳管場發射顯示器之陰極板的製程，利用感光性導電漿料與可蝕刻之介電材料，結合光微影製程與蝕刻製 程來製作，包含底電極的製作、介電層的製作、閘極層的製作和奈米碳管場發射層的製作。此陰極板結構再與陽極板封裝組合即完成一奈米碳管場發射顯示器陣列。相較於傳統網印法印製的陰極圖案，本發明大大提高解析，使顯示器的品質得到改善。且結構中介電層的解析可在閘電極製作時一併決定，減少了煩複的對位，不僅製程簡單，並且膜厚均勻性佳，印製圖案可任意配列也不會失真，更無電場強度分佈不均的缺點。 |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員謝旺廷 |
電話03-5913551 |
傳真(空) |
電子信箱wthsieh@itri.org.tw |
參考網址http://www.itri.org.tw |
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光 |
特殊情形(空) |
同步更新日期2023-07-05 |
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| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 4"10"20" 奈米碳管背光技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | LCD-TV之背光源 |
| 潛力預估 | 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | 03-5820046 |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
| 序號: 972 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 4"10"20" 奈米碳管背光技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源，開發完成可用於LCD-TV背光源之CNT-BLU技術。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: LCD-TV之背光源 |
| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: 03-5820046 |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 電子相關背景 |
| 序號 | 973 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 車用型顯示器 |
| 潛力預估 | 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | 03-5820046 |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
| 序號: 973 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件，為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器；利用LTPS技術可將驅動電路製作於玻璃基板，以達到低成本之目標。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture ratio： 30%；Brightness：> 100 nits；Gray level：4 bits；Top emission AMOLED；Strong light readable |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 車用型顯示器 |
| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: 03-5820046 |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 電子相關背景 |
| 序號 | 974 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | (空) |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | (空) |
| 潛力預估 | 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | 03-5820046 |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備 | (空) |
| 需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
| 序號: 974 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 由於TFT液晶顯示技術已相當成熟，各家廠商無不以節省程本與產品輕量化為研發目標。本技術提出以輕、薄、耐衝擊的塑膠基板取代厚重的玻璃基板，再結合噴墨彩色化技術使產品朝向輕量化且節省成本方向發展。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: (空) |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: (空) |
| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: 03-5820046 |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備: (空) |
| 需具備之專業人才: 電子相關背景 |
| 序號 | 975 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 20吋奈米碳管場發射顯示技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Size:20”；均勻度 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 戶外資訊顯示,車用顯示器 |
| 潛力預估 | 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | 03-5820046 |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
| 序號: 975 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 20吋奈米碳管場發射顯示技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用奈米碳管做為場發射電子源,並搭配CRT與FED技術,整合厚膜網印技術,開發一具備高效率、自發光,低成本及大尺寸之陰極板整合技術。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Size:20”；均勻度 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 戶外資訊顯示,車用顯示器 |
| 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: 03-5820046 |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 電子相關背景 |
| 序號 | 976 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | CNT-BLU技術商品化規格驗證 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | LCD-TV等背光源 |
| 潛力預估 | 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | 03-5820046 |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
| 序號: 976 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: CNT-BLU技術商品化規格驗證 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 製程與結構調整,提高良率,均勻度,亮度與發光效率 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: LCD-TV等背光源 |
| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: 03-5820046 |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 電子相關背景 |
| 序號 | 977 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | CNT-FED/CNT-BLU材料驗證 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU) |
| 潛力預估 | 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | 03-5820046 |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
| 序號: 977 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: CNT-FED/CNT-BLU材料驗證 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 新材料適用於CNT-FED/CNT-BLU製程開發之驗證 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU) |
| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: 03-5820046 |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 電子相關背景 |
| 序號 | 978 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等. |
| 潛力預估 | 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | 03-5820046 |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
| 序號: 978 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用厚膜網印與黃光製程，並結合奈米碳管的電子源、FED與CRT技術，開發完成垂直式三極結構之場發射顯示技術，具有高解析度及高亮度的特點。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等. |
| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: 03-5820046 |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備: 無 |
| 需具備之專業人才: 電子相關背景 |
| 序號 | 979 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 10“ LTPS AMOLED模組設計 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 車用型顯示器。_x000D_ |
| 潛力預估 | 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員 | 謝旺廷 |
| 電話 | 03-5913551 |
| 傳真 | 03-5820046 |
| 電子信箱 | wthsieh@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw/chi/other_websites/other_websites_rnd.j |
| 所須軟硬體設備 | 無 |
| 需具備之專業人才 | 電子相關背景 |
| 序號: 979 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 10“ LTPS AMOLED模組設計 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30%_x000D_；Brightness：> 300 nits；Gray level：4 bits；Vth compensation circuit |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 車用型顯示器。_x000D_ |
| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 聯絡人員: 謝旺廷 |
| 電話: 03-5913551 |
| 傳真: 03-5820046 |
| 電子信箱: wthsieh@itri.org.tw |
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| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林志浩、蔡行知、魏江銘 | 證書號碼: 214980 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 220003 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、楊玉森、邱松茂 | 證書號碼: 195390 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 222536 |
| 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 634651 |
| 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 634266 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 翁震杰、賴逸林、鄭勝元 | 證書號碼: 201043 |
| 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 639900 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達、曾光宏、侯信男、黃仁隆、曾界彰 | 證書號碼: 201861 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順、古嘉琳 | 證書號碼: 204712 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達、曾光宏、曾界彰、吳隆佃 | 證書號碼: 224033 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順、仲之豪 | 證書號碼: 242619 |
| 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順、仲之豪 | 證書號碼: 638372 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張 桓 | 證書號碼: 203561 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健、楊玉森 | 證書號碼: 223674 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林志浩、蔡行知、魏江銘 | 證書號碼: 214980 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 220003 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 朱繼文、楊玉森、邱松茂 | 證書號碼: 195390 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 222536 |
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 江文欽、林庭凱 | 證書號碼: 634651 |
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林庭凱、江文欽 | 證書號碼: 634266 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 翁震杰、賴逸林、鄭勝元 | 證書號碼: 201043 |
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 仲之豪、林進順 | 證書號碼: 639900 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達、曾光宏、侯信男、黃仁隆、曾界彰 | 證書號碼: 201861 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順、古嘉琳 | 證書號碼: 204712 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 謝興達、曾光宏、曾界彰、吳隆佃 | 證書號碼: 224033 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順、仲之豪 | 證書號碼: 242619 |
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 林進順、仲之豪 | 證書號碼: 638372 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 張 桓 | 證書號碼: 203561 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 金屬工業關鍵性零組件加工技術四年計畫 | 專利發明人: 劉伍健、楊玉森 | 證書號碼: 223674 |
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