應用于高密度組件的金氧半場效晶體管及其制造方法
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專利名稱-中文應用于高密度組件的金氧半場效晶體管及其制造方法的核准國家是中國大陸, 證書號碼是ZL03120847.9, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是95, 計畫名稱是電子與光電領域環境建構計畫, 專利發明人是劉建宏、劉健群、陳俊融、胡紀平.

序號	2915
產出年度	95
領域別	(空)
專利名稱-中文	應用于高密度組件的金氧半場效晶體管及其制造方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	電子與光電領域環境建構計畫
專利發明人	劉建宏 \| 劉健群 \| 陳俊融 \| 胡紀平
核准國家	中國大陸
獲證日期	(空)
證書號碼	ZL03120847.9
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種金氧半場效電晶體及其製造方法，以製造出高密度和低線寬之噴墨頭晶片，此金氧半場效電晶體係於矽基板形成具有較淺的摻質接面深度之源極和汲極，配合較低溫的製程使源極和汲極摻質不會因高溫擴散而互觸，再於汲極源極接觸孔加以高熔點材之栓柱以避免導體與矽接面之互熔滲穿而破壞元件特性，以達到噴墨頭晶片之高元件密度的需求。A MOSFET and the method for fabricating them are disclosed to make the inkjet head chips. The MOSFET has the scaled-down junction formation for the source and drain. Using a lower temperature process and interlayer dielectric, the source and drain dopants can not be diffused deeply due to high-temperature driver-in. The contact holes of the drain are provided with plugs of refractory material to avoid spiking between the metal and silicon. This achieves the requirement of high-density devices on the print head chip.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

2915

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

應用于高密度組件的金氧半場效晶體管及其制造方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

電子與光電領域環境建構計畫

專利發明人

劉建宏 | 劉健群 | 陳俊融 | 胡紀平

核准國家

中國大陸

獲證日期

(空)

證書號碼

ZL03120847.9

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種金氧半場效電晶體及其製造方法，以製造出高密度和低線寬之噴墨頭晶片，此金氧半場效電晶體係於矽基板形成具有較淺的摻質接面深度之源極和汲極，配合較低溫的製程使源極和汲極摻質不會因高溫擴散而互觸，再於汲極源極接觸孔加以高熔點材之栓柱以避免導體與矽接面之互熔滲穿而破壞元件特性，以達到噴墨頭晶片之高元件密度的需求。A MOSFET and the method for fabricating them are disclosed to make the inkjet head chips. The MOSFET has the scaled-down junction formation for the source and drain. Using a lower temperature process and interlayer dielectric, the source and drain dopants can not be diffused deeply due to high-temperature driver-in. The contact holes of the drain are provided with plugs of refractory material to avoid spiking between the metal and silicon. This achieves the requirement of high-density devices on the print head chip.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

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應用於高密度元件之金氧半場效電晶體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195330 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 陳俊融, 胡紀平 @ 技術司專利資料集
噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01139987.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 劉建宏、劉健群、張智超、胡紀平、陳俊融 @ 技術司專利資料集
噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,666,545 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融 @ 技術司專利資料集
噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6666545 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融 @ 技術司專利資料集

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一種高速假撚方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207547 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 @ 技術司專利資料集
增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207522 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 @ 技術司專利資料集
熱管均熱板	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 226177 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張長生、楊書榮 @ 技術司專利資料集
一種資料通訊的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6496481 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 @ 技術司專利資料集
Optical Disk Control Mechanism	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6665253 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 \| 專利發明人: 藍永松、張啟伸 @ 技術司專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 德國 \| 證書號碼: 573696 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 @ 技術司專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 證書號碼: 573696 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 @ 技術司專利資料集
萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 157850 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 \| 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 @ 技術司專利資料集

一種高速假撚方法

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熱管均熱板

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Optical Disk Control Mechanism

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時序還原之方法與系統

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具同動驅動泵之流體配供裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第203387 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 周鍾平、丘尚文、柯明闊
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直流無刷線性馬達全數位化控制參數自動調整法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第206237 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 黃繼震、唐佩忠
晶圓偏心矯正卡匣 ---嘉晶	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第I223372 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 王偉正、黃耀明、洪建中、游欽宏、練福人、李玉麟
即時三維超音波影像系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第I85723 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 醫療系統技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 邱鸞嬌、賴均在、余思廉、高進登
快速立體影像擷取及重建方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第I221589 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 醫療系統技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 邱鸞嬌、蔡凱棟、高進登
三維影像快速擷取及重建裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第212313 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 醫療系統技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 邱鸞嬌、賴均在、蔡凱棟、高進登
數位醫療影像通訊處理方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第I220637 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 醫療系統技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳世英、趙哲誼、馬譯政、林裕涵、高進登
數位醫療影像伺服器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第201638 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 醫療系統技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳世英、趙哲誼、馬譯政、林裕涵、高進登
高速線性馬達驅動加工機	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 第D101204 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新式樣 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 趙介麟、許覺良、魯肇爛、聶一夫、查國強、石世雄、黃仁明、張文曲、曾文豪、王樹根、蔡國權、鄭博升、康乃勤、葉世明

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