具環境控制之探漏檢測裝置
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具環境控制之探漏檢測裝置的核准國家是中華民國, 證書號碼是I266049, 專利性質是發明, 執行單位是金屬中心, 產出年度是95, 計畫名稱是金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫, 專利發明人是林志勇、陳勤志、曾光宏、吳學文.

序號3074
產出年度95
領域別(空)
專利名稱-中文具環境控制之探漏檢測裝置
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫
專利發明人林志勇 | 陳勤志 | 曾光宏 | 吳學文
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I266049
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文(空)
技術摘要-英文(空)
聯絡人員蔡振豐
電話07-3513121轉2314
傳真07-3516597
電子信箱jenfon@mail.mirdc.org.tw
參考網址(空)
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)

序號

3074

產出年度

95

領域別

(空)

專利名稱-中文

具環境控制之探漏檢測裝置

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫

專利發明人

林志勇 | 陳勤志 | 曾光宏 | 吳學文

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I266049

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

(空)

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

蔡振豐

電話

07-3513121轉2314

傳真

07-3516597

電子信箱

jenfon@mail.mirdc.org.tw

參考網址

(空)

備註

原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸

特殊情形

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具電鑄成型圖案的殼件

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 276839 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 張瑞模 | 陳正義 | 陳建仁 | 鄭勝元

@ 技術司專利資料集

具電鑄成型圖案的衛浴製品

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 276840 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 張瑞模 | 陳正義 | 陳建仁 | 鄭勝元

@ 技術司專利資料集

具電鑄成型圖案的附蓋容器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M282598 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 張瑞模 | 陳正義 | 陳建仁 | 鄭勝元

@ 技術司專利資料集

防靜電薄膜之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 227278 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 卓廷彬 | 劉伍健 | 李新中 | 楊玉森

@ 技術司專利資料集

製造具內沉孔之平板工件之方法及實現該方法之沖壓連續模

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 229636 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 蔡盛祺 | 蔡行知 | 黃建發

@ 技術司專利資料集

球閥之確動防洩結構改良

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 230770 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 林庭凱 | 江文欽

@ 技術司專利資料集

用以成型一微 細導電元件之放電加工法及其成型裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 230638 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 郭佳儱 | 陳明源 | 黃俊德 | 嚴水吉

@ 技術司專利資料集

應用於閥具之推塊結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 276133 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 林庭凱 | 王慈君 | 江文欽

@ 技術司專利資料集

具電鑄成型圖案的殼件

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 276839 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 張瑞模 | 陳正義 | 陳建仁 | 鄭勝元

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具電鑄成型圖案的衛浴製品

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 276840 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 張瑞模 | 陳正義 | 陳建仁 | 鄭勝元

@ 技術司專利資料集

具電鑄成型圖案的附蓋容器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M282598 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 張瑞模 | 陳正義 | 陳建仁 | 鄭勝元

@ 技術司專利資料集

防靜電薄膜之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 227278 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 卓廷彬 | 劉伍健 | 李新中 | 楊玉森

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製造具內沉孔之平板工件之方法及實現該方法之沖壓連續模

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 229636 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 蔡盛祺 | 蔡行知 | 黃建發

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球閥之確動防洩結構改良

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 230770 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 林庭凱 | 江文欽

@ 技術司專利資料集

用以成型一微 細導電元件之放電加工法及其成型裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 230638 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 郭佳儱 | 陳明源 | 黃俊德 | 嚴水吉

@ 技術司專利資料集

應用於閥具之推塊結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 276133 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 專利發明人: 林庭凱 | 王慈君 | 江文欽

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與具環境控制之探漏檢測裝置同分類的技術司專利資料集

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191581 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 廖宗能 | 陳志強

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6677189 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 廖宗能 | 陳志強

薄膜電晶體面板的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6713328 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 李啟聖 | 張鈞傑

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200112 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 廖明俊 | 徐正池

可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6683469 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李明林 | 徐欽山

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6717071 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如 | 李明林 | 何宗哲

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193940 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文 | 陳明道 | 陳尚立

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6705910 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中 | 何家充 | 許志榮 | 鄭華琦 | 張悠揚

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206403 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信 | 李介文 | 鄭紹良 | 陳力俊 | 彭遠清 | 王文通

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6750834 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6811457 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦 | 李正中 | 廖貞慧 | 張悠揚 | 許志榮 | 何家充

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6683781 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲 | 李明林 | 張慧如 | 賴信助

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6670224 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖 | 常鼎國 | 陳丕夫 | 康育銘 | 戴遠東

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692902 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君 | 魏明達 | 張上文

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚 | 許志榮 | 李鈞道 | 李正中

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191581 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 廖宗能 | 陳志強

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6677189 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 廖宗能 | 陳志強

薄膜電晶體面板的製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6713328 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 李啟聖 | 張鈞傑

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200112 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 廖明俊 | 徐正池

可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6683469 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李明林 | 徐欽山

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6717071 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如 | 李明林 | 何宗哲

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193940 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文 | 陳明道 | 陳尚立

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6705910 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中 | 何家充 | 許志榮 | 鄭華琦 | 張悠揚

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206403 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信 | 李介文 | 鄭紹良 | 陳力俊 | 彭遠清 | 王文通

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6750834 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6811457 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦 | 李正中 | 廖貞慧 | 張悠揚 | 許志榮 | 何家充

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6683781 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲 | 李明林 | 張慧如 | 賴信助

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6670224 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖 | 常鼎國 | 陳丕夫 | 康育銘 | 戴遠東

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692902 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君 | 魏明達 | 張上文

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚 | 許志榮 | 李鈞道 | 李正中

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