混產品混層別下化學機械研磨之研磨速率預估方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文混產品混層別下化學機械研磨之研磨速率預估方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院能環所, 產出年度是96, 專利性質是發明, 計畫名稱是能源與環境領域環境建構計畫, 專利發明人是李銘偉 賴志維, 證書號碼是I287483.

序號3197
產出年度96
領域別(空)
專利名稱-中文混產品混層別下化學機械研磨之研磨速率預估方法
執行單位工研院能環所
產出單位(空)
計畫名稱能源與環境領域環境建構計畫
專利發明人李銘偉 賴志維
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I287483
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係一種混產品混層別下化學機械研磨製程之研磨速率預估方法,該研磨速率預估至少包括:提供一特定產品或層別之墊片研磨速率;並且提供一研磨速率修正項;以及將該特定產品或層別之墊片研磨速率與該研磨速率修正項加總之合作為該混產品混層別下化學機械研磨製程之研磨速率預估值。其中,當更換新墊片時,該研磨速率修正項之值設為零。_x000D_
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

3197

產出年度

96

領域別

(空)

專利名稱-中文

混產品混層別下化學機械研磨之研磨速率預估方法

執行單位

工研院能環所

產出單位

(空)

計畫名稱

能源與環境領域環境建構計畫

專利發明人

李銘偉 賴志維

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I287483

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係一種混產品混層別下化學機械研磨製程之研磨速率預估方法,該研磨速率預估至少包括:提供一特定產品或層別之墊片研磨速率;並且提供一研磨速率修正項;以及將該特定產品或層別之墊片研磨速率與該研磨速率修正項加總之合作為該混產品混層別下化學機械研磨製程之研磨速率預估值。其中,當更換新墊片時,該研磨速率修正項之值設為零。_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸,95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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一種高速假撚方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 | 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 | 證書號碼: 207547

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增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 | 證書號碼: 207522

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熱管均熱板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張長生、楊書榮 | 證書號碼: 226177

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一種資料通訊的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 | 證書號碼: 6496481

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Optical Disk Control Mechanism

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 專利發明人: 藍永松、張啟伸 | 證書號碼: 6665253

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時序還原之方法與系統

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 | 證書號碼: 573696

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時序還原之方法與系統

核准國家: 英國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 | 證書號碼: 573696

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萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 | 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 | 證書號碼: 157850

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一種高速假撚方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 | 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 | 證書號碼: 207547

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增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 | 證書號碼: 207522

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熱管均熱板

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 94 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張長生、楊書榮 | 證書號碼: 226177

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一種資料通訊的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 | 證書號碼: 6496481

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Optical Disk Control Mechanism

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 專利發明人: 藍永松、張啟伸 | 證書號碼: 6665253

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時序還原之方法與系統

核准國家: 德國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 | 證書號碼: 573696

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時序還原之方法與系統

核准國家: 英國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 | 證書號碼: 573696

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萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院生醫中心 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 | 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 | 證書號碼: 157850

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與混產品混層別下化學機械研磨之研磨速率預估方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 6677189

薄膜電晶體面板的製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 李啟聖, 張鈞傑 | 證書號碼: 6713328

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 廖明俊, 徐正池 | 證書號碼: 200112

可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李明林, 徐欽山 | 證書號碼: 6683469

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲 | 證書號碼: 6717071

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 | 證書號碼: 193940

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 | 證書號碼: 6705910

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 6677189

薄膜電晶體面板的製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 李啟聖, 張鈞傑 | 證書號碼: 6713328

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 廖明俊, 徐正池 | 證書號碼: 200112

可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李明林, 徐欽山 | 證書號碼: 6683469

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲 | 證書號碼: 6717071

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 | 證書號碼: 193940

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 | 證書號碼: 6705910

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

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