導電顆粒植佈方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文導電顆粒植佈方法的核准國家是美國, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是96, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳有志汪若蕙陳裕華.

序號	3437
產出年度	96
領域別	(空)
專利名稱-中文	導電顆粒植佈方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	陳有志汪若蕙陳裕華
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	(空)
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供一種導電顆粒的植佈方法，具有製程簡單與成本低等優點。本發明係應用帶電荷之硫醇化合物與金屬之間的化學鍵結力使導電顆粒或晶片之電極的表面具有靜電荷，再利用電泳技術使帶電荷之導電顆粒游動定位於晶片凸塊之接合位置並使其固定，不會因為後續的製程而使導電顆粒產生移動或脫離現象。本發明可應用於覆晶與細間距凸塊的結合，其所適用凸塊之間距可小於20μm，且晶片凸塊的導電顆粒壓合密度遠大每個凸塊15個導電顆粒。_x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)

序號

3437

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

導電顆粒植佈方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陳有志汪若蕙陳裕華

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

(空)

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種導電顆粒的植佈方法，具有製程簡單與成本低等優點。本發明係應用帶電荷之硫醇化合物與金屬之間的化學鍵結力使導電顆粒或晶片之電極的表面具有靜電荷，再利用電泳技術使帶電荷之導電顆粒游動定位於晶片凸塊之接合位置並使其固定，不會因為後續的製程而使導電顆粒產生移動或脫離現象。本發明可應用於覆晶與細間距凸塊的結合，其所適用凸塊之間距可小於20μm，且晶片凸塊的導電顆粒壓合密度遠大每個凸塊15個導電顆粒。_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

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熱管均熱板	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 226177 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張長生 \| 楊書榮 @ 技術司專利資料集
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時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 證書號碼: 573696 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥 \| 余基祥 \| 林妍君 \| 薛勝文 @ 技術司專利資料集
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複合凸塊的接合結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223363 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張世明 \| 黃元璋 \| 陳文志 \| 楊省樞
高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200444 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 沙益安 \| 林英哲 \| 翁逸君 \| 辛隆賓 \| 廖奇璋 \| 江欣峻 \| 范揚宜 \| 吳仲文
液晶顯示器之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206803 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 范揚宜 \| 江欣峻 \| 林英哲 \| 翁逸君 \| 何璨佑 \| 辛隆賓 \| 劉康弘 \| 吳仲文 \| 沙益安
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半導體光電晶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6759694 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 許裕民 \| 許晉瑋 \| 裴靜偉 \| 袁鋒 \| 劉致為
形成多晶矽薄膜電晶體之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224868 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳麒麟 \| 黃順發 \| 王亮棠

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序號

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領域別

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執行單位

產出單位

計畫名稱

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核准國家

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專利期間訖

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