熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部
專利名稱-中文熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫, 專利發明人是呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌, 證書號碼是220305.
| 序號 | 893 |
| 產出年度 | 93 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 |
| 專利發明人 | 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | 220305 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種具有熱傳增益效果之三維晶片堆疊構裝架構，其係應用在多晶片堆疊整合技術中，其上層晶片係以穿孔構裝方式電性連接至下層晶片，而底層晶片可以同樣之穿孔構裝方式電性耦接至基板以形成一多晶片堆疊結構，另有一導熱增益結構於該多晶片堆疊結構旁用以導熱，本架構之特點在於至少一晶片有一導熱部件與該晶片形成一導熱性接觸以導熱至一導熱裝置，且多晶片堆疊結構係經由晶片穿孔一次構裝電性連接至基板，因此晶片產生的熱，直接經由該導熱部件至該導熱裝置而逸散，提供更高的散熱效能且不佔據多晶片堆疊空間，而穿孔一次構裝提供簡單之製作流程，故可有散熱性佳、構裝尺寸小及製造簡單等優點。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.itri.org.tw |
| 備註 | 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化 |
| 特殊情形 | (空) |
| 同步更新日期 | 2023-07-05 |
序號893 |
產出年度93 |
領域別(空) |
專利名稱-中文熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構 |
執行單位工研院電子所 |
產出單位(空) |
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 |
專利發明人呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌 |
核准國家中華民國 |
獲證日期(空) |
證書號碼220305 |
專利期間起(空) |
專利期間訖(空) |
專利性質發明 |
技術摘要-中文一種具有熱傳增益效果之三維晶片堆疊構裝架構，其係應用在多晶片堆疊整合技術中，其上層晶片係以穿孔構裝方式電性連接至下層晶片，而底層晶片可以同樣之穿孔構裝方式電性耦接至基板以形成一多晶片堆疊結構，另有一導熱增益結構於該多晶片堆疊結構旁用以導熱，本架構之特點在於至少一晶片有一導熱部件與該晶片形成一導熱性接觸以導熱至一導熱裝置，且多晶片堆疊結構係經由晶片穿孔一次構裝電性連接至基板，因此晶片產生的熱，直接經由該導熱部件至該導熱裝置而逸散，提供更高的散熱效能且不佔據多晶片堆疊空間，而穿孔一次構裝提供簡單之製作流程，故可有散熱性佳、構裝尺寸小及製造簡單等優點。 |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員溫國城 |
電話03-5915654 |
傳真03-5820412 |
電子信箱kcwen@itri.org.tw |
參考網址http://www.itri.org.tw |
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化 |
特殊情形(空) |
同步更新日期2023-07-05 |
| 英文商品名稱: WINTERMELON FLAVOR MF-220305 | 食品添加物產品登錄碼: TFAA30000809206 | 分類: | 型態: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 龍源香料股份有限公司 | 食品業者登錄字號: A-115490309-00000-9 @ 食品添加物業者及產品登錄資料集 |
英文商品名稱: WINTERMELON FLAVOR MF-220305 | 食品添加物產品登錄碼: TFAA30000809206 | 分類: | 型態: 液狀(液劑、液體) | 公司或商業登記名稱: 龍源香料股份有限公司 | 食品業者登錄字號: A-115490309-00000-9 @ 食品添加物業者及產品登錄資料集 |
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(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915654 ...)| 序號 | 18293 |
| 產出年度 | 105 |
| 領域別 | 智慧科技 |
| 專利名稱-中文 | 面光源以及可撓性面光源 |
| 執行單位 | 工研院電光系統所 |
| 產出單位 | 工研院電光系統所 |
| 計畫名稱 | 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 |
| 專利發明人 | 許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲 |
| 核准國家 | 中國大陸 |
| 獲證日期 | 105/03/15 |
| 證書號碼 | ZL201210282372.9 |
| 專利期間起 | 105/02/09 |
| 專利期間訖 | 122/09/22 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種面光源，其包括一線路基板、一反射層、多組側向發光源、一導光擴散層以及一光學膜片。反射層配置於線路基板上，側向發光源陣列排列於線路基板上，並與線路基板電性連接。導光擴散層覆蓋反射層以及側向發光源，其中導光擴散層包括多個陣列排列且彼此連接之導光擴散單元，各個導光擴散單元分別對應於其中一組側向發光源之照明範圍，各組側向發光源至少包括二側向發光源，而此二側向發光源分別沿著二不同方向提供光線至其中一個導光擴散單元中，且各側向發光源係分別朝向單一個導光擴散單元發光。此外，光學膜片配置於導光擴散層上。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5917193 |
| 電子信箱 | kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | P51000167CN |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 18293 |
| 產出年度: 105 |
| 領域別: 智慧科技 |
| 專利名稱-中文: 面光源以及可撓性面光源 |
| 執行單位: 工研院電光系統所 |
| 產出單位: 工研院電光系統所 |
| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 |
| 專利發明人: 許詔開 ,陳裕華 ,駱韋仲 |
| 核准國家: 中國大陸 |
| 獲證日期: 105/03/15 |
| 證書號碼: ZL201210282372.9 |
| 專利期間起: 105/02/09 |
| 專利期間訖: 122/09/22 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種面光源，其包括一線路基板、一反射層、多組側向發光源、一導光擴散層以及一光學膜片。反射層配置於線路基板上，側向發光源陣列排列於線路基板上，並與線路基板電性連接。導光擴散層覆蓋反射層以及側向發光源，其中導光擴散層包括多個陣列排列且彼此連接之導光擴散單元，各個導光擴散單元分別對應於其中一組側向發光源之照明範圍，各組側向發光源至少包括二側向發光源，而此二側向發光源分別沿著二不同方向提供光線至其中一個導光擴散單元中，且各側向發光源係分別朝向單一個導光擴散單元發光。此外，光學膜片配置於導光擴散層上。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5917193 |
| 電子信箱: kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: P51000167CN |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 18305 |
| 產出年度 | 105 |
| 領域別 | 智慧科技 |
| 專利名稱-中文 | 晶片接合結構及其接合方法 |
| 執行單位 | 工研院電光系統所 |
| 產出單位 | 工研院電光系統所 |
| 計畫名稱 | 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 |
| 專利發明人 | 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | 105/10/19 |
| 證書號碼 | I534973 |
| 專利期間起 | 105/09/07 |
| 專利期間訖 | 122/03/19 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種晶片接合方法的步驟包含提供二晶片。每一晶片的製造方法包含形成一第一介電層於一基板上。嵌合多個金屬墊於第一介電層上。形成多個凹陷於至少一晶片之第一介電層上。這些凹陷分別介於這些金屬墊之間。形成一第二介電層於具有凹陷之晶片之第一介電層上，並覆蓋於此晶片之這些凹陷及這些金屬墊。接合二晶片及令其中一晶片之這些凹陷與另一晶片之表面構成多個空腔，且第二介電層位於這些空腔內。以機械驅動方式令位於空腔內之第二介電層填滿空腔。接著，壓合二晶片，並固化第二介電層，令二晶片相互固定。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5917193 |
| 電子信箱 | kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | P51020062TW |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 18305 |
| 產出年度: 105 |
| 領域別: 智慧科技 |
| 專利名稱-中文: 晶片接合結構及其接合方法 |
| 執行單位: 工研院電光系統所 |
| 產出單位: 工研院電光系統所 |
| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 |
| 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,顧子琨 |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: 105/10/19 |
| 證書號碼: I534973 |
| 專利期間起: 105/09/07 |
| 專利期間訖: 122/03/19 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種晶片接合方法的步驟包含提供二晶片。每一晶片的製造方法包含形成一第一介電層於一基板上。嵌合多個金屬墊於第一介電層上。形成多個凹陷於至少一晶片之第一介電層上。這些凹陷分別介於這些金屬墊之間。形成一第二介電層於具有凹陷之晶片之第一介電層上，並覆蓋於此晶片之這些凹陷及這些金屬墊。接合二晶片及令其中一晶片之這些凹陷與另一晶片之表面構成多個空腔，且第二介電層位於這些空腔內。以機械驅動方式令位於空腔內之第二介電層填滿空腔。接著，壓合二晶片，並固化第二介電層，令二晶片相互固定。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5917193 |
| 電子信箱: kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: P51020062TW |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 653 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 厚膜光阻製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit. |
| 潛力預估 | 應用潛力中 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | KCWEN@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等）熱墊板,曝光機 |
| 需具備之專業人才 | 熟悉黃光單站製程。 |
| 序號: 653 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit. |
| 潛力預估: 應用潛力中 |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: KCWEN@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等）熱墊板,曝光機 |
| 需具備之專業人才: 熟悉黃光單站製程。 |
| 序號 | 673 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 低應力薄膜製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | SIN Film Stress |
| 技術成熟度 | 量產 |
| 可應用範圍 | 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。 |
| 潛力預估 | 面型微加工重要技術,應用潛力高 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | KCWEN@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等） 1.低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發 2.面型微機電系統製程技術開發與服務 |
| 需具備之專業人才 | 具備爐管設備維修及製程人才。 |
| 序號: 673 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 低應力薄膜製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: SIN Film Stress |
| 技術成熟度: 量產 |
| 可應用範圍: 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。 |
| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高 |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: KCWEN@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等） 1.低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發 2.面型微機電系統製程技術開發與服務 |
| 需具備之專業人才: 具備爐管設備維修及製程人才。 |
| 序號 | 674 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 矽晶深蝕刻製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。 |
| 潛力預估 | 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | KCWEN@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等） ICP or DRIE |
| 需具備之專業人才 | 半導體之乾蝕刻製程為基礎。 |
| 序號: 674 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 矽晶深蝕刻製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。 |
| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等 |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: KCWEN@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等） ICP or DRIE |
| 需具備之專業人才: 半導體之乾蝕刻製程為基礎。 |
| 序號 | 999 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 3D基板式堆疊構裝技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 以Solder Ball為Interconnection的3D堆疊構裝，可有效益的整合不同功能的晶片於同一構裝模組中，不僅能大幅減少電子構裝的尺寸，更能達到System in Package (SiP)的效能。此外，藉由Thermal Via、Thermal Ball及外露銅箔層的整合散熱設計，可使3D堆疊構裝的散熱效能，大幅提升。創新的可靠度測試設計，能同時評估Component Level 及Board Level的可靠度。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 隨著System in Package的技術發展趨勢日漸重要，3D堆疊構裝的技術，日益受電子產品市場的矚目。 |
| 潛力預估 | 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小， 提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Package的效益。 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | Flip chip bonder，Reflow ove |
| 需具備之專業人才 | 覆晶組裝製程技術 |
| 序號: 999 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 3D基板式堆疊構裝技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 以Solder Ball為Interconnection的3D堆疊構裝，可有效益的整合不同功能的晶片於同一構裝模組中，不僅能大幅減少電子構裝的尺寸，更能達到System in Package (SiP)的效能。此外，藉由Thermal Via、Thermal Ball及外露銅箔層的整合散熱設計，可使3D堆疊構裝的散熱效能，大幅提升。創新的可靠度測試設計，能同時評估Component Level 及Board Level的可靠度。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 隨著System in Package的技術發展趨勢日漸重要，3D堆疊構裝的技術，日益受電子產品市場的矚目。 |
| 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小， 提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Package的效益。 |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: Flip chip bonder，Reflow ove |
| 需具備之專業人才: 覆晶組裝製程技術 |
| 序號 | 1002 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate)，以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力，因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性，除此之外，FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。電子所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package；e-WLCSP)，特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力，增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性，同時，電子所並完成製程改善及效能之提昇，達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構，在晶圓製程即可完成封裝製程，可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟，並減少封裝後產品面積及體積。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_；Design: Fan-i |
| 技術成熟度 | 量產 |
| 可應用範圍 | 晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態，其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域，其市場應用量年複合成長率可達31%以上，並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體，針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態，且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行，可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢，也因此晶圓級封裝技術未來之年複合成長率預測將達50%以上，遠高於目前其他不同型態之構裝技術。 |
| 潛力預估 | 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝，其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間，因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力，從而提升模組組裝後之可靠性。 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 封裝相關設備 |
| 需具備之專業人才 | 具電機電子相關知識 |
| 序號: 1002 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 覆晶封裝技術(Flip Chip technology, FC)需在印刷電路板與電子元件間加入轉接板(substrate)，以降低電子元件與基材間因元件操作時發熱或環境變異之熱循環現象所產生之熱應力，因此需在晶粒與基板組裝時增添填膠製程來抒解應力以提高元件可靠性，除此之外，FC另因較細間距及重工性等問題更增加了覆晶技術之成本及應用推廣的阻力。晶圓級構裝技術(WLCSP)可完全解決上述之問題。電子所開發之增益型晶圓級晶方尺度構裝技術(Enhanced Wafer Level Chip Size Package；e-WLCSP)，特色是在晶圓上以製作彈性體(elastomer)的方式作為應力緩衝層(stress buffer layer)來抒解應力，增益了晶圓級晶方尺度構裝(WLCSP)之可靠性，同時，電子所並完成製程改善及效能之提昇，達成真正具備薄型化、堆疊可行性、簡化製程步驟及熱增益型效果之新型態構裝。本技術因採用彈性體製程架構，在晶圓製程即可完成封裝製程，可大幅節省傳統覆晶封裝所需的繁複點膠步驟，並減少封裝後產品面積及體積。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or 8" Si wafer_x000D_；Design: Fan-i |
| 技術成熟度: 量產 |
| 可應用範圍: 晶方尺度構裝技術目前可區分為多種不同之型態，其主要應用領域包含RAM模組(EPROM, SRAM, DRAM)、Flash Memory、DSP、Logic IC、PLD、Analog等多項領域，其市場應用量年複合成長率可達31%以上，並將集中以記憶體為主要應用範圍。電子所開發之e-WLCSP可適用於下一世代之DDR-II記憶體，針對其高速特性(800MHz、1GHz)亦能提供可靠及簡便的封裝型態，且由於晶片製作方式是以整片晶圓來進行，可提供最小的封裝後尺寸及最具潛力的低成本優勢，也因此晶圓級封裝技術未來之年複合成長率預測將達50%以上，遠高於目前其他不同型態之構裝技術。 |
| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應力緩衝層(2nd compliant layer)則主要用作應力緩衝，其厚度亦較1st compliant layer為厚。此架構可有效釋放因FR4基板與晶片間，因熱膨係數之差異(CTE mismatch)造成之應力，從而提升模組組裝後之可靠性。 |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 封裝相關設備 |
| 需具備之專業人才: 具電機電子相關知識 |
| 序號 | 1003 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術，已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上，加以組裝於基板並已通過可靠度測試。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 以銅導線製程的高階晶片，可應用Chipset、ASIC、CPU等。 |
| 潛力預估 | 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內下游相關業者 ，目前尚未有明顯因應之道。 值此以銅代鋁的關鍵時刻，電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術，以銅為導體，可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度，並提高積體電路整體的速度，是未來構裝產業需投注高度研究的技術。 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 構裝廠、IC廠封裝部門。 |
| 需具備之專業人才 | 機械、材料、化學(化工) |
| 序號: 1003 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 於銅晶片上利用濺鍍/電鍍及無電鍍的方式分別製作Ti/Cu及Ni/Au UBM並分別配合錫鉛電鍍及印刷技術來完成覆晶凸塊植球技術。此二種植球技術(電鍍及印刷)已通過高溫儲存及溫度循環等可靠度測試。而後者(無電鍍Ni/Au UBM +錫鉛印刷)又稱為低成本覆晶植球技術，已將其應用於I/O數為81且為周邊排列方式的測試載具上，加以組裝於基板並已通過可靠度測試。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni/Au |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 以銅導線製程的高階晶片，可應用Chipset、ASIC、CPU等。 |
| 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內下游相關業者 ，目前尚未有明顯因應之道。 值此以銅代鋁的關鍵時刻，電光所構裝技術組發展以銅代鋁的銅晶片構裝技術，以銅為導體，可減少訊號延遲、降低electro-migration產生、增加構裝密度，並提高積體電路整體的速度，是未來構裝產業需投注高度研究的技術。 |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 構裝廠、IC廠封裝部門。 |
| 需具備之專業人才: 機械、材料、化學(化工) |
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| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 郭志忠, 郭啟祥 | 證書號碼: 189698 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王慧明, 林一中 | 證書號碼: 190379 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 盧澄乾 | 證書號碼: 205101 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳芳祝, 馬尚智 | 證書號碼: 206673 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 賴義盛 | 證書號碼: 197237 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林一平, 楊舜仁, 馮文生 | 證書號碼: 192304 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳芳祝, 蔡靜玲 | 證書號碼: 200697 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林一中, 邱中人 | 證書號碼: I221989 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張勤振, 劉正一, 陳怡彥 | 證書號碼: I224288 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭勝文 | 證書號碼: I224287 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃永順, 林學錦, 蔡雅雅, 陳錫斌, 郭瑞忠 | 證書號碼: I220500 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳信宏, 陳自強, 葉恆誠 | 證書號碼: I220716 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳彥倫, 李宇旼, 李世凱 | 證書號碼: 220605 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李三良, 徐達儒, 龔佩敏 | 證書號碼: 206797 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳逸嘉, 許維德, 洪鵬翔 | 證書號碼: 206819 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 郭志忠, 郭啟祥 | 證書號碼: 189698 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王慧明, 林一中 | 證書號碼: 190379 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 盧澄乾 | 證書號碼: 205101 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳芳祝, 馬尚智 | 證書號碼: 206673 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 賴義盛 | 證書號碼: 197237 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林一平, 楊舜仁, 馮文生 | 證書號碼: 192304 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳芳祝, 蔡靜玲 | 證書號碼: 200697 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林一中, 邱中人 | 證書號碼: I221989 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張勤振, 劉正一, 陳怡彥 | 證書號碼: I224288 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭勝文 | 證書號碼: I224287 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃永順, 林學錦, 蔡雅雅, 陳錫斌, 郭瑞忠 | 證書號碼: I220500 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳信宏, 陳自強, 葉恆誠 | 證書號碼: I220716 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳彥倫, 李宇旼, 李世凱 | 證書號碼: 220605 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李三良, 徐達儒, 龔佩敏 | 證書號碼: 206797 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳逸嘉, 許維德, 洪鵬翔 | 證書號碼: 206819 |
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