多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法
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專利名稱-中文多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是96, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是李乾銘王文翰沈桂弘.

序號	3618
產出年度	96
領域別	(空)
專利名稱-中文	多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	李乾銘王文翰沈桂弘
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	(空)
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種相變化記憶體、操作方法及其製造方法，係由兩個相變化層及電極組成，以並聯的方式構成一記憶胞，在操作上使用電壓控制模式（voltage-drive mode）。在施以不同之工作電壓下，形成不同位階之記憶狀態。與先前之單一相變膜之記憶胞比較，本發明所揭露之相變化記憶體可大幅提高記憶位元數，增加記憶容量。_x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

3618

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

多階相變化記憶體、操作方法及其製造方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

李乾銘王文翰沈桂弘

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

(空)

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種相變化記憶體、操作方法及其製造方法，係由兩個相變化層及電極組成，以並聯的方式構成一記憶胞，在操作上使用電壓控制模式（voltage-drive mode）。在施以不同之工作電壓下，形成不同位階之記憶狀態。與先前之單一相變膜之記憶胞比較，本發明所揭露之相變化記憶體可大幅提高記憶位元數，增加記憶容量。_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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多階相變化記憶體、製造方法及其位階轉換方法

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一種高速假撚方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 \| 證書號碼: 207547 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 \| 證書號碼: 207522 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
熱管均熱板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張長生、楊書榮 \| 證書號碼: 226177 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種資料通訊的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 \| 證書號碼: 6496481 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Optical Disk Control Mechanism	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 \| 專利發明人: 藍永松、張啟伸 \| 證書號碼: 6665253 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 德國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 \| 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 \| 證書號碼: 157850 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

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具低切換雜訊之構裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 \| 證書號碼: 6683781
低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 \| 證書號碼: 6670224
傾斜散射反射板的製造方法與結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 \| 證書號碼: 6692902
低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 \| 證書號碼: 6692791
無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋 \| 證書號碼: 6656772
使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 \| 證書號碼: 6605491
可調式電容及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 \| 證書號碼: 185849
具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 \| 證書號碼: 3533205
具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 \| 證書號碼: 223402
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 184677
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6651325
矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 \| 證書號碼: 184681
3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 \| 證書號碼: 6700783
應用奈米管增加半導體元件電容之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 \| 證書號碼: 6759305
改進之場發射型顯示器驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 \| 證書號碼: 6741039

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專利期間訖

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