記憶體架構及其寫入方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文記憶體架構及其寫入方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是96, 專利性質是發明, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是蘇耿立林志昇張嘉伯, 證書號碼是I279802.

序號	3627
產出年度	96
領域別	(空)
專利名稱-中文	記憶體架構及其寫入方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	蘇耿立林志昇張嘉伯
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I279802
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種記憶體結構及其寫入方法，係包括一電源電路及一橋式電路，藉由該電源電路驅動該橋式電路，用以產生複數個導通模式，該記憶體結構僅需使用一組電源電路，並不需預先知道其位元線之阻值，且該記憶體結構於正負向切換時，不易產生訊號錯誤。_x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	劉展洋
電話	03-5916037
傳真	03-5917431
電子信箱	JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

3627

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

記憶體架構及其寫入方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

蘇耿立林志昇張嘉伯

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I279802

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種記憶體結構及其寫入方法，係包括一電源電路及一橋式電路，藉由該電源電路驅動該橋式電路，用以產生複數個導通模式，該記憶體結構僅需使用一組電源電路，並不需預先知道其位元線之阻值，且該記憶體結構於正負向切換時，不易產生訊號錯誤。_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

劉展洋

電話

03-5916037

傳真

03-5917431

電子信箱

JamesLiu@Itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 \| 證書號碼: I303068 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立 \| 證書號碼: I298886 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
感測放大器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 \| 證書號碼: 7,394,295 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
記憶體結構及其寫入方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立 ,林志昇 ,張嘉伯 , \| 證書號碼: 7508727 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: I312154 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: 7539068 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 ,林志昇 ,張嘉伯 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: 7486546 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 , \| 證書號碼: ZL200610071485.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

感測放大器

一種高速假撚方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院化工所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高科技纖維與產品技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 陳哲陽、簡淑華、黃麗娟、黃泳彬 \| 證書號碼: 207547 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
增進散熱與電磁屏蔽效應之半導體封裝	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 王興昇、李榮賢、陳棓煌 \| 證書號碼: 207522 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
熱管均熱板	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張長生、楊書榮 \| 證書號碼: 226177 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
一種資料通訊的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 無線通訊技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳炯憲、馬金溝 \| 證書號碼: 6496481 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Optical Disk Control Mechanism	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 \| 專利發明人: 藍永松、張啟伸 \| 證書號碼: 6665253 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 德國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
時序還原之方法與系統	核准國家: 英國 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林清祥、余基祥、林妍君、薛勝文 \| 證書號碼: 573696 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
萃取醣苷類化合物之雙液相系統及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院生醫中心 \| 產出年度: 94 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 抗病毒及抗發炎中草藥研發及現代化技術平台之建立四年計畫 \| 專利發明人: 潘一紅、李連滋、邱惜禾、劉惠儒、姚心然 \| 證書號碼: 157850 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 \| 證書號碼: 223402
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 184677
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6651325
矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 \| 證書號碼: 184681
3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 \| 證書號碼: 6700783
應用奈米管增加半導體元件電容之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 \| 證書號碼: 6759305
改進之場發射型顯示器驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 \| 證書號碼: 6741039
氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 \| 證書號碼: 188211
形成薄膜電晶體於透明基板上之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東 \| 證書號碼: 6764887
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 \| 證書號碼: 187289
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 \| 證書號碼: 6773870
電流驅動元件主動陣列的畫素電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 \| 證書號碼: 197219
高密度資料讀寫器及其讀寫方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂 \| 證書號碼: 200381
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 \| 證書號碼: 206462
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 \| 證書號碼: 6806929

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序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

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