應用於記憶體之多穩態感測放大器
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文應用於記憶體之多穩態感測放大器的核准國家是中華民國, 證書號碼是I298886, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是97, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立.

序號	4155
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	應用於記憶體之多穩態感測放大器
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I298886
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：第一電流鏡電路，耦接至該記憶單元之輸出端，用以產生大小為通過該記憶單元之第一記憶單元電流之兩倍的第二記憶單元電流；第二電流鏡電路，耦接至該等參考單元之輸出端，用以分別產生大小等於通過該等參考單元之複數第一參考電流的複數第二參考電流；以及負載電路，耦接至該第一電流鏡電路與該第二電流鏡電路，用以分別提供該第二記憶單元電流與該等第二參考電流之相等負載，而分別產生與該第二記憶單元電流以及該等第二參考電流之大小成比例之記憶單元電位以及複數參考電位。 The invention provides a multi-state sense amplifier, coupled to at least one memory cell with changeable resistance and a plurality of reference cells. The first current mirror circuit, coupled to the output terminal of the memory cell, generates a second memory cell current at a first node according to a first memory cell current through the memory cell. The second current mirror circuit, coupled to the output terminal of the reference cells, generates a plurality of second reference currents at a plurality of second nodes according to a plurality of first reference currents through the reference cells. The load circuit, coupled to the first node, the second nodes, and a ground, provides equal loads for the second memory cell current and the second reference currents to respectively generate a memory cell voltage at the first node and a plurality of reference voltages at the second nodes.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)

序號

4155

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

應用於記憶體之多穩態感測放大器

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I298886

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種應用於記憶體之多穩態感測放大器，耦接至至少一記憶單元以及複數參考單元，其中該記憶單元之阻值為可變。該多穩態感測放大器包括：第一電流鏡電路，耦接至該記憶單元之輸出端，用以產生大小為通過該記憶單元之第一記憶單元電流之兩倍的第二記憶單元電流；第二電流鏡電路，耦接至該等參考單元之輸出端，用以分別產生大小等於通過該等參考單元之複數第一參考電流的複數第二參考電流；以及負載電路，耦接至該第一電流鏡電路與該第二電流鏡電路，用以分別提供該第二記憶單元電流與該等第二參考電流之相等負載，而分別產生與該第二記憶單元電流以及該等第二參考電流之大小成比例之記憶單元電位以及複數參考電位。 The invention provides a multi-state sense amplifier, coupled to at least one memory cell with changeable resistance and a plurality of reference cells. The first current mirror circuit, coupled to the output terminal of the memory cell, generates a second memory cell current at a first node according to a first memory cell current through the memory cell. The second current mirror circuit, coupled to the output terminal of the reference cells, generates a plurality of second reference currents at a plurality of second nodes according to a plurality of first reference currents through the reference cells. The load circuit, coupled to the first node, the second nodes, and a ground, provides equal loads for the second memory cell current and the second reference currents to respectively generate a memory cell voltage at the first node and a plurality of reference voltages at the second nodes.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

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應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I312154 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7539068 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7486546 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集

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應用于存儲器的多穩態讀出放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610121574.X \| 專利期間起: 1999/2/17 \| 專利期間訖: 115/08/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於存儲器的多穩態感測放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610143353.2 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/11/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集

應用于存儲器的多穩態讀出放大器

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,904,736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,916,129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7904736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7916129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,692,907 \| 專利期間起: 99/04/06 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏 \| 柯明道 @ 技術司專利資料集
壓電驅動光學鏡頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,511,904 \| 專利期間起: 98/03/31 \| 專利期間訖: 116/05/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 胡朝彰 \| 蘇漢威 \| 沈聖智 @ 技術司專利資料集
氫甲醯化製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,219 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 118/03/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 薛茂霖 \| 楊浩熏 \| 時國誠 \| 蘇再添 @ 技術司專利資料集
停車管理系統及裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710159782.3 \| 專利期間起: 100/03/16 \| 專利期間訖: 116/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 郭倫嘉 \| 吳忠郼 \| 沈仲九 \| 黃士一 @ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

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互動式顯示系統

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

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互動式顯示系統

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靜電放電防護電路

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壓電驅動光學鏡頭

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停車管理系統及裝置

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形成薄膜電晶體於透明基板上之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6764887 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 187289 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明 \| 翁逸君 \| 廖奇璋
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電流驅動元件主動陣列的畫素電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197219 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳建儒 \| 陳尚立 \| 施俊任
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半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206462 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸 \| 沈毓仁
半穿透反射式液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6806929 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳慶逸 \| 沈毓仁
光電模組模封裝	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220733 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳文彥 \| 范榮昌 \| 劉君愷
光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6808323 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 姜信騰 \| 劉君愷 \| 周意工
一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190623 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 盧思維 \| 盧威華 \| 呂芳俊
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