形成多晶矽薄膜之方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部
專利名稱-中文形成多晶矽薄膜之方法的核准國家是中國大陸, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是97, 專利性質是發明, 計畫名稱是電子與光電領域環境建構計畫, 專利發明人是陳宏澤 陳昱丞 朱芳村, 證書號碼是ZL200510135272.3.
| 序號 | 4349 |
| 產出年度 | 97 |
| 領域別 | (空) |
| 專利名稱-中文 | 形成多晶矽薄膜之方法 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 電子與光電領域環境建構計畫 |
| 專利發明人 | 陳宏澤 陳昱丞 朱芳村 |
| 核准國家 | 中國大陸 |
| 獲證日期 | (空) |
| 證書號碼 | ZL200510135272.3 |
| 專利期間起 | (空) |
| 專利期間訖 | (空) |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種形成多晶矽薄膜之方法，包括以下步驟：(a)提供一形成多晶矽薄膜系統，主要包括一雷射產生器，產生一雷射光束；以及一光罩，設置於該雷射光束之行進路徑上，該光罩包括彼此相距一間隔S之複數個第一透光區域以及彼此相距一間隔S之複數個第二透光區域，其中，該複數個第一透光區域與該複數個第二透光區域相鄰且具有一寬度W與一長度L，該每一複數個第一透光區域之一中心線係平行該長度L之方向，且延伸至該複數個第二透光區域之一內，使得該第一透光區與該第二透光區之間存在一偏移量OS；(b)提供一基板於該光罩後方之該雷射光束之該行進路徑上，該基板上形成有一非晶矽薄膜；(c)以該雷射光束透過該光罩對該非晶矽薄膜進行第一次雷射照射，使對應該光罩上的該複數個第一透光區域之該非晶矽薄膜上的複數個第一長條區域熔化；(d)移除該雷射光束，使該熔化之該複數個第一長條區域上的非晶矽薄膜形成一具有一第一晶粒尺寸之多晶矽薄膜；(e)沿著該長度L移動該基板一距離，該距離不大於該長度L，使得該複數個第一長條區域對應該光罩上之該複數個第二透光區域；(f)以該雷射光束透過該光罩對該多晶矽薄膜進行第二次雷射照射，使對應該光罩上之該複數個第二透光區域之該多晶矽薄膜上的複數個第一長條區域再熔化；以及(g)移除該雷射光束，使該再熔化之該複數個第一長條區域上的多晶矽薄膜形成一具有一第二晶粒尺寸之多晶矽薄膜。 A method for forming a poly-silicon film, comprising steps of: (a) providing a system for forming a poly-silicon film, comprising a laser generator for generating a laser beam and a mask disposed in a traveling path of the laser beam, the mask having a plurality of first transparent regions with a spacing S and a plurality of second transparent regions with a spacing S, each transparent region having a width W and a length L wherein the first transparent regions are adjacent to the second transparent regions and a central line of each first transparent region extends along the length L into one of the second transparent regions such that an offset OS appears between the first transparent regions and the second transparent regions; (b) providing a substrate with an amorphous silicon film formed thereon behind the mask in the traveling path of the laser beam; (c) performing a first laser irradiation proce |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 李露蘋 |
| 電話 | 03-59117812 |
| 傳真 | 03-5917431 |
| 電子信箱 | oralp@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
| 備註 | 0 |
| 特殊情形 | (空) |
| 同步更新日期 | 2019-07-24 |
序號4349 |
產出年度97 |
領域別(空) |
專利名稱-中文形成多晶矽薄膜之方法 |
執行單位工研院電光所 |
產出單位(空) |
計畫名稱電子與光電領域環境建構計畫 |
專利發明人陳宏澤 陳昱丞 朱芳村 |
核准國家中國大陸 |
獲證日期(空) |
證書號碼ZL200510135272.3 |
專利期間起(空) |
專利期間訖(空) |
專利性質發明 |
技術摘要-中文一種形成多晶矽薄膜之方法，包括以下步驟：(a)提供一形成多晶矽薄膜系統，主要包括一雷射產生器，產生一雷射光束；以及一光罩，設置於該雷射光束之行進路徑上，該光罩包括彼此相距一間隔S之複數個第一透光區域以及彼此相距一間隔S之複數個第二透光區域，其中，該複數個第一透光區域與該複數個第二透光區域相鄰且具有一寬度W與一長度L，該每一複數個第一透光區域之一中心線係平行該長度L之方向，且延伸至該複數個第二透光區域之一內，使得該第一透光區與該第二透光區之間存在一偏移量OS；(b)提供一基板於該光罩後方之該雷射光束之該行進路徑上，該基板上形成有一非晶矽薄膜；(c)以該雷射光束透過該光罩對該非晶矽薄膜進行第一次雷射照射，使對應該光罩上的該複數個第一透光區域之該非晶矽薄膜上的複數個第一長條區域熔化；(d)移除該雷射光束，使該熔化之該複數個第一長條區域上的非晶矽薄膜形成一具有一第一晶粒尺寸之多晶矽薄膜；(e)沿著該長度L移動該基板一距離，該距離不大於該長度L，使得該複數個第一長條區域對應該光罩上之該複數個第二透光區域；(f)以該雷射光束透過該光罩對該多晶矽薄膜進行第二次雷射照射，使對應該光罩上之該複數個第二透光區域之該多晶矽薄膜上的複數個第一長條區域再熔化；以及(g)移除該雷射光束，使該再熔化之該複數個第一長條區域上的多晶矽薄膜形成一具有一第二晶粒尺寸之多晶矽薄膜。 A method for forming a poly-silicon film, comprising steps of: (a) providing a system for forming a poly-silicon film, comprising a laser generator for generating a laser beam and a mask disposed in a traveling path of the laser beam, the mask having a plurality of first transparent regions with a spacing S and a plurality of second transparent regions with a spacing S, each transparent region having a width W and a length L wherein the first transparent regions are adjacent to the second transparent regions and a central line of each first transparent region extends along the length L into one of the second transparent regions such that an offset OS appears between the first transparent regions and the second transparent regions; (b) providing a substrate with an amorphous silicon film formed thereon behind the mask in the traveling path of the laser beam; (c) performing a first laser irradiation proce |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員李露蘋 |
電話03-59117812 |
傳真03-5917431 |
電子信箱oralp@itri.org.tw |
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw |
備註0 |
特殊情形(空) |
同步更新日期2019-07-24 |