雙疏性奈米結構及其製作方法
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專利名稱-中文雙疏性奈米結構及其製作方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是鄭世裕 林家欣 王譯慧, 證書號碼是I293943.

序號4854
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文雙疏性奈米結構及其製作方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人鄭世裕 林家欣 王譯慧
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I293943
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種雙疏性奈米結構及其製作方法,係藉由低溫水溶液環境及微波瞬間加熱特性,於基材表面形成緻密性的奈米凹凸結構觸媒層後,藉由微波輔助作用於該觸媒層上製作具有複數奈米單元之奈米結構層,再藉由二階段微波輔助作用於該奈米單元上形成複數個奈米級棒狀物之分支部,經由低表面能高分子溶液的披覆改質,藉以形成具有疏水性及疏油性之雙疏性奈米結構。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

4854

產出年度

97

領域別

(空)

專利名稱-中文

雙疏性奈米結構及其製作方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

鄭世裕 林家欣 王譯慧

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I293943

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種雙疏性奈米結構及其製作方法,係藉由低溫水溶液環境及微波瞬間加熱特性,於基材表面形成緻密性的奈米凹凸結構觸媒層後,藉由微波輔助作用於該觸媒層上製作具有複數奈米單元之奈米結構層,再藉由二階段微波輔助作用於該奈米單元上形成複數個奈米級棒狀物之分支部,經由低表面能高分子溶液的披覆改質,藉以形成具有疏水性及疏油性之雙疏性奈米結構。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

0

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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陶瓷纖維的形成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林家欣 ,鄭世裕 ,王譯慧 | 證書號碼: I491581

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壓電陶瓷纖維複合薄型喇叭及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林家欣 ,鄭世裕 ,王譯慧 | 證書號碼: I491271

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陶瓷纖維的形成方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林家欣 ,鄭世裕 ,王譯慧 | 證書號碼: ZL201110449718.5

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陶瓷纖維的形成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林家欣 ,鄭世裕 ,王譯慧 | 證書號碼: I491581

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壓電陶瓷纖維複合薄型喇叭及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林家欣 ,鄭世裕 ,王譯慧 | 證書號碼: I491271

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陶瓷纖維的形成方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林家欣 ,鄭世裕 ,王譯慧 | 證書號碼: ZL201110449718.5

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透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 | 證書號碼: I321313

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植入奈米碳管之製程方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , | 證書號碼: I321123

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 | 證書號碼: 7,904,736

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互動式顯示系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資訊中心 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 | 證書號碼: 7,916,129

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無線環境下定位系統的新取樣點決定方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 徐銘駿, 崔文, 陳昭男 | 證書號碼: I321928

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通訊網路下之行動管理方法及裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫 | 專利發明人: 江為國, 何哲勳, 許建昌 | 證書號碼: I321411

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靜電放電防護電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳世宏, 柯明道 | 證書號碼: 7,692,907

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直流偏移消除電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 高小文 | 證書號碼: I320993

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透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 專利發明人: 吳旭智, 李青憲 | 證書號碼: I321313

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植入奈米碳管之製程方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 , | 證書號碼: I321123

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲 | 證書號碼: 7,904,736

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互動式顯示系統

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資訊中心 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智 | 證書號碼: 7,916,129

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

無線環境下定位系統的新取樣點決定方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 徐銘駿, 崔文, 陳昭男 | 證書號碼: I321928

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通訊網路下之行動管理方法及裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫 | 專利發明人: 江為國, 何哲勳, 許建昌 | 證書號碼: I321411

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靜電放電防護電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳世宏, 柯明道 | 證書號碼: 7,692,907

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

直流偏移消除電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 高小文 | 證書號碼: I320993

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與雙疏性奈米結構及其製作方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 | 證書號碼: 190460

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 190469

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 6680755

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 3522705

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 190470

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 6778161

矽單晶液晶顯示器及製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖 | 證書號碼: 6721027

簡易式塊狀彈性體的製程方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 | 證書號碼: 6605525

蝕刻玻璃面板之裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 | 證書號碼: 6673195

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 184692

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 6714268

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 191581

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 6677189

薄膜電晶體面板的製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 李啟聖, 張鈞傑 | 證書號碼: 6713328

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 廖明俊, 徐正池 | 證書號碼: 200112

調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖明俊, 陳明道, 楊和興 | 證書號碼: 190460

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 190469

可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 | 證書號碼: 6680755

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 3522705

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 190470

中心對稱之GAMMA電壓校正電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 | 證書號碼: 6778161

矽單晶液晶顯示器及製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 莊立聖 | 證書號碼: 6721027

簡易式塊狀彈性體的製程方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 | 證書號碼: 6605525

蝕刻玻璃面板之裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 | 證書號碼: 6673195

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 184692

陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 | 證書號碼: 6714268

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 191581

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 | 證書號碼: 6677189

薄膜電晶體面板的製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東, 李啟聖, 張鈞傑 | 證書號碼: 6713328

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 廖明俊, 徐正池 | 證書號碼: 200112

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