具有表面微結構的材料之表面處理方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具有表面微結構的材料之表面處理方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I292182, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是金光祖 張佩琳 陳秋美 陳宜晶.

序號4859
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文具有表面微結構的材料之表面處理方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人金光祖 張佩琳 陳秋美 陳宜晶
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I292182
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種具有表面微結構的材料之表面處理方法,係將材料表面經自由基氧化乾式處理後,以超臨界流體清潔具有表面微結構的材料表面,移除氧化斷鍵之小分子物質等,其表面微結構可包含奈米孔洞或高深寬比微結構,位於奈米孔洞或高深寬比微結構內的小分子物質或水氣被超臨界流體所攜出,而離開具有表面微結構的材料。 A surface treatment method for material with surface microstructure includes the steps of subjecting the material surface to a dry-type free-radical oxidation treatment, and using a supercritical fluid to purge the surface of the material with surface microstructure, so as to remove oxidized and bond-broken small molecules from the material surface. The surface microstructure may include nanoholes or high-aspect-ratio microstructures. Small molecules or moistures in the nanoholes or the high-aspect-ratio microstructures are carried by the supercritical fluid away from the material with surface microstructure.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱noralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)

序號

4859

產出年度

97

領域別

(空)

專利名稱-中文

具有表面微結構的材料之表面處理方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

金光祖 張佩琳 陳秋美 陳宜晶

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I292182

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具有表面微結構的材料之表面處理方法,係將材料表面經自由基氧化乾式處理後,以超臨界流體清潔具有表面微結構的材料表面,移除氧化斷鍵之小分子物質等,其表面微結構可包含奈米孔洞或高深寬比微結構,位於奈米孔洞或高深寬比微結構內的小分子物質或水氣被超臨界流體所攜出,而離開具有表面微結構的材料。 A surface treatment method for material with surface microstructure includes the steps of subjecting the material surface to a dry-type free-radical oxidation treatment, and using a supercritical fluid to purge the surface of the material with surface microstructure, so as to remove oxidized and bond-broken small molecules from the material surface. The surface microstructure may include nanoholes or high-aspect-ratio microstructures. Small molecules or moistures in the nanoholes or the high-aspect-ratio microstructures are carried by the supercritical fluid away from the material with surface microstructure.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

0

特殊情形

(空)

根據識別碼 I292182 找到的相關資料

無其他 I292182 資料。

[ 搜尋所有 I292182 ... ]

根據名稱 具有表面微結構的材料之表面處理方法 找到的相關資料

無其他 具有表面微結構的材料之表面處理方法 資料。

[ 搜尋所有 具有表面微結構的材料之表面處理方法 ... ]

根據姓名 金光祖 張佩琳 陳秋美 陳宜晶 找到的相關資料

超臨界流體清洗方法及其系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I291714 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院能環所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 能源與環境領域環境建構計畫 | 專利發明人: 金光祖 陳秋美 張佩琳 陳宜晶

@ 技術司專利資料集

超臨界流體清洗方法及其系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I291714 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院能環所 | 產出年度: 97 | 計畫名稱: 能源與環境領域環境建構計畫 | 專利發明人: 金光祖 陳秋美 張佩琳 陳宜晶

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 金光祖 張佩琳 陳秋美 陳宜晶 ... ]

根據電話 03-59117812 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-59117812 ...)

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,904,736 | 專利期間起: 100/03/08 | 專利期間訖: 119/01/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲

@ 技術司專利資料集

互動式顯示系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,916,129 | 專利期間起: 100/03/29 | 專利期間訖: 118/03/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資訊中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智

@ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7904736 | 專利期間起: 100/03/08 | 專利期間訖: 119/01/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲

@ 技術司專利資料集

互動式顯示系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7916129 | 專利期間起: 100/03/29 | 專利期間訖: 118/03/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資訊中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智

@ 技術司專利資料集

靜電放電防護電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,692,907 | 專利期間起: 99/04/06 | 專利期間訖: 117/03/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳世宏, 柯明道

@ 技術司專利資料集

壓電驅動光學鏡頭

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,511,904 | 專利期間起: 98/03/31 | 專利期間訖: 116/05/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 專利發明人: 胡朝彰, 蘇漢威, 沈聖智

@ 技術司專利資料集

氫甲醯化製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,683,219 | 專利期間起: 99/03/23 | 專利期間訖: 118/03/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 專利發明人: 薛茂霖, 楊浩熏, 時國誠, 蘇再添

@ 技術司專利資料集

停車管理系統及裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710159782.3 | 專利期間起: 100/03/16 | 專利期間訖: 116/12/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 郭倫嘉,吳忠郼,沈仲九,黃士一

@ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,904,736 | 專利期間起: 100/03/08 | 專利期間訖: 119/01/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲

@ 技術司專利資料集

互動式顯示系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,916,129 | 專利期間起: 100/03/29 | 專利期間訖: 118/03/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資訊中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智

@ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7904736 | 專利期間起: 100/03/08 | 專利期間訖: 119/01/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲

@ 技術司專利資料集

互動式顯示系統

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7916129 | 專利期間起: 100/03/29 | 專利期間訖: 118/03/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資訊中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智

@ 技術司專利資料集

靜電放電防護電路

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,692,907 | 專利期間起: 99/04/06 | 專利期間訖: 117/03/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳世宏, 柯明道

@ 技術司專利資料集

壓電驅動光學鏡頭

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,511,904 | 專利期間起: 98/03/31 | 專利期間訖: 116/05/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 專利發明人: 胡朝彰, 蘇漢威, 沈聖智

@ 技術司專利資料集

氫甲醯化製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 7,683,219 | 專利期間起: 99/03/23 | 專利期間訖: 118/03/22 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 專利發明人: 薛茂霖, 楊浩熏, 時國誠, 蘇再添

@ 技術司專利資料集

停車管理系統及裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710159782.3 | 專利期間起: 100/03/16 | 專利期間訖: 116/12/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 | 專利發明人: 郭倫嘉,吳忠郼,沈仲九,黃士一

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 03-59117812 ... ]

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:


與具有表面微結構的材料之表面處理方法同分類的技術司專利資料集

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6717071 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193940 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6705910 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206403 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6750834 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6811457 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6683781 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6670224 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692902 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6656772 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6605491 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3533205 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223402 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6717071 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193940 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6705910 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206403 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6750834 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6811457 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6683781 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6670224 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692902 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6656772 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6605491 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3533205 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223402 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩

 |