可改善寫入範圍之磁性隨機存取記憶體
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文可改善寫入範圍之磁性隨機存取記憶體的核准國家是中華民國, 證書號碼是I304212, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳威全王泳弘楊姍意沈桂弘.

序號	4910
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	可改善寫入範圍之磁性隨機存取記憶體
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	陳威全王泳弘楊姍意沈桂弘
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I304212
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種可改善寫入範圍之磁性記憶體，包括有一磁性穿隧接面元件與一調整層，磁性穿隧接面元件係由一反鐵磁層、一固定層、一穿隧能障絕緣層與一自由層組成，其中該反鐵磁層、該固定層、該穿隧能障絕緣層與該自由層係依序形成。調整層形成於磁性穿隧接面元件之一側並與自由層接觸。。其中調整層之厚度為20nm以下，所使用之材料為釕金屬或含有釕的材料，根據本發明之所揭露之可改善寫入範圍之磁性記憶體，得以改善自由層翻轉一致性並且減小自由層的翻轉場，以降低寫入線（write word line）所需提供的電流。 A magnetic random access memory with improved writing margin is provided. The magnetic random access memory includes a magnetic tunnel junction and an adjustable layer. The magnetic tunnel junction includes an anti-ferromagnetic layer, a pinned layer, a tunnel barrier layer, a free layer, and an adjustable layer, which are sequentially formed The thickness of the adjustable layer is below 20nm. The adjustable layer may employ Ru or Ru-contented materials. The provided memory may improve the uniformity of the switch filed and the magnitude of the switch filed of the free layer. Therefore, the current necessary for the write word line is reduced.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)

序號

4910

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

可改善寫入範圍之磁性隨機存取記憶體

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陳威全王泳弘楊姍意沈桂弘

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I304212

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種可改善寫入範圍之磁性記憶體，包括有一磁性穿隧接面元件與一調整層，磁性穿隧接面元件係由一反鐵磁層、一固定層、一穿隧能障絕緣層與一自由層組成，其中該反鐵磁層、該固定層、該穿隧能障絕緣層與該自由層係依序形成。調整層形成於磁性穿隧接面元件之一側並與自由層接觸。。其中調整層之厚度為20nm以下，所使用之材料為釕金屬或含有釕的材料，根據本發明之所揭露之可改善寫入範圍之磁性記憶體，得以改善自由層翻轉一致性並且減小自由層的翻轉場，以降低寫入線（write word line）所需提供的電流。 A magnetic random access memory with improved writing margin is provided. The magnetic random access memory includes a magnetic tunnel junction and an adjustable layer. The magnetic tunnel junction includes an anti-ferromagnetic layer, a pinned layer, a tunnel barrier layer, a free layer, and an adjustable layer, which are sequentially formed The thickness of the adjustable layer is below 20nm. The adjustable layer may employ Ru or Ru-contented materials. The provided memory may improve the uniformity of the switch filed and the magnitude of the switch filed of the free layer. Therefore, the current necessary for the write word line is reduced.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

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磁穿隧元件及磁性記憶裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I307507 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳威全 \| 王泳弘 \| 楊姍意 \| 沈桂弘 @ 技術司專利資料集
磁穿隧元件及磁性記憶裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7583529 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳威全 \| 王泳弘 \| 楊姍意 \| 沈桂弘 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,606,063 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈志達 \| 王泳弘 \| 顏誠廷 \| 沈桂弘 \| 陳威全 \| 楊姍意 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330366 \| 專利期間起: 1999/9/11 \| 專利期間訖: 116/02/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈志達 \| 王泳弘 \| 顏誠廷 \| 沈桂弘 \| 陳威全 \| 楊姍意 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7606063 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈志達 \| 王泳弘 \| 顏誠廷 \| 沈桂弘 \| 陳威全 \| 楊姍意 @ 技術司專利資料集

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,904,736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,916,129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7904736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7916129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,692,907 \| 專利期間起: 99/04/06 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏 \| 柯明道 @ 技術司專利資料集
壓電驅動光學鏡頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,511,904 \| 專利期間起: 98/03/31 \| 專利期間訖: 116/05/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 胡朝彰 \| 蘇漢威 \| 沈聖智 @ 技術司專利資料集
氫甲醯化製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,219 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 118/03/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 薛茂霖 \| 楊浩熏 \| 時國誠 \| 蘇再添 @ 技術司專利資料集
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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

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互動式顯示系統

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互動式顯示系統

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壓電驅動光學鏡頭

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資料擾碼架構及其方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I221721 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 繆紹綱 \| 顏恆麟 \| 李宗憲 \| 林志龍 \| 官振鵬
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一種知識分持之金鑰信託系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 131670 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 網際網路應用技術營運計畫 \| 專利發明人: 樊國楨 \| 宋振華 \| 薛紀建 \| 張耿豪 \| 張明信 \| 謝東明
廢日光燈管之拆解方法及其裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6637098 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 楊奉儒 \| 蔡憲坤
雜質振盪分離送料器結構之改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 210230 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李明晃 \| 陳珠修 \| 楊奉儒
以工業廢棄物作為原料的樹脂混凝土	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207309 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳清齊 \| 賴明柱 \| 楊奉儒 \| 陳志恒
研磨機進料結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 211613 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳珠修 \| 楊奉儒 \| 李明晃
液晶顯示器反射表面的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195728 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 韋忠光
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6713377 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英 \| 黃尊禧
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6660625 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英 \| 黃尊禧
消除光阻中近接效應之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 183704 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 高蔡勝 \| 戴昌銘
製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185243 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 丁岱良
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188081 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6747727 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達
正向修補型之薄膜電晶體液晶顯示裝置以及正向修補方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6714269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃庭輝

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